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公开(公告)号：CN1187840C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN99125414.7
申请日：1999-12-07
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 佐藤贤治
CPC classification number: H01L27/14665 , H01L31/085
Abstract: 一种具有增大的检测面积和改进的放射线检测灵敏度的放射线检测装置，包括一个由具有高电阻率的n-型非晶或多晶半导体构成的半导体层，其中空穴的μτ乘积(迁移率×平均寿命)大于电子的μτ乘积。在半导体的一个表面上形成一个表面电极，对其提供一个负的偏压，在另外的一个表面上形成一个载流子收集电极。在半导体层的表面电极一侧上提供一个电子注入阻止结构，并在载流子收集电极一侧上提供一个空穴注入允许结构。
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公开(公告)号：CN1336785A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN01121679.4
申请日：2001-03-28
Applicant: 新电元工业株式会社 , 山梨电子工业株式会社 , 株式会社岛津制作所
IPC: H05G1/26
CPC classification number: H01L27/14676
Abstract: 在设置于衬底上的第1电极膜的表面上,依次形成以三硫化二锑为主成分的电荷移动层,以无定型硒为主成分的X射线检测层,第2电极膜,按照第1电极膜侧为正极,第2电极膜侧为负极的方式,施加电压,对第2电极膜的表面辐射X射线,此时在该X射线检测层内部产生的载流子便收集于第1,第2电极膜中。
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公开(公告)号：CN1257312A
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN99125414.7
申请日：1999-12-07
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 佐藤贤治
CPC classification number: H01L27/14665 , H01L31/085
Abstract: 一种具有增大的检测面积和改进的放射线检测灵敏度的放射线检测装置,包括一个由具有高电阻率的n－型非晶或多晶半导体构成的半导体层,其中空穴的μτ乘积(迁移率×平均寿命)大于电子的μτ乘积。在半导体的一个表面上形成一个表面电极,对其提供一个负的偏压,在另外的一个表面上形成一个载流子收集电极。在半导体层的表面电极一侧上提供一个电子注入阻止结构,并在载流子收集电极一侧上提供一个空穴注入允许结构。
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公开(公告)号：CN113804713B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110089055.4
申请日：2021-01-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 佐藤贤治
IPC: G01N23/223
Abstract: 本发明提供一种能够简单地对试样中的对象元素的价数进行分析的X射线分析装置以及X射线分析方法。X射线分析装置的信号处理装置的控制器(22)具备：存储部(306)，对基于从金属的单体发射的Kα1射线的峰能量以及Kα2射线的峰能量、从包含该金属的单体的2种以上的化合物各自发射的Kα1射线的峰能量以及Kα2射线的峰能量、和2种以上的化合物各自的金属的价数而生成的校准曲线进行存储；处理部(302)，获取从未知试样包含的金属中发射的Kα1射线的峰能量以及该金属的Kα2射线的峰能量；计算部(308)，通过将获取到的Kα1射线的峰能量以及Kα2射线的峰能量应用至校准曲线，计算未知试样中包含的金属的平均价数。
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公开(公告)号：CN106855523A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201611123986.7
申请日：2016-12-08
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/223
CPC classification number: G01N23/2076 , G01N2223/0563 , G01N23/223 , G01N2223/079 , G01N2223/1016 , G01N2223/102
Abstract: 本发明的目的是提供一种X射线分光分析设备和元素分析方法，该X射线分光分析设备可通过分光法以高灵敏度测量液体和粉末等的组成与位置无关地呈均匀的试样的组成。X射线分光分析设备包括：激发源，其利用激发束照射试样表面的预定照射区域以生成特征X射线；分光晶体，其面向照射区域；狭缝，其设置在照射区域和分光晶体之间，狭缝与照射区域和分光晶体的预定晶面平行；X射线线性传感器，其包括沿与狭缝垂直的方向排列的线状检测元件，检测元件各自具有与狭缝平行的方向上的长度。通过针对各波长检测来自照射区域的不同线状区域的特征X射线，可进行灵敏度比利用激发束照射点状照射区域的传统X射线分光分析设备的灵敏度高的分析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103534808A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201180070671.X
申请日：2011-05-30
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14603 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L31/115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，该放射线检测器防止隔着层间绝缘层互相交叉的电配线彼此之间短路，而防止检测元件发生缺损。根据本发明的结构，为了防止非晶硒层（1）和有源矩阵基板（4）的电配线短路而进行了研究。即，电配线设于非晶硒层（1）的被层厚度较厚的中央部覆盖的位置。通过设为这样的结构，由于电配线能够可靠地与电极层隔离，因此能够提供一种能够经得住长时间使用的放射线检测器。
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公开(公告)号：CN102792184A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013043.8
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 佐藤贤治
Abstract: 本发明的目的在于提供一种二维阵列X射线检测器的检查方法，该检查方法能够通过对具有其尺寸在短时间内变大的增长性的缺陷像素进行识别，来识别不适合于X射线摄影的二维阵列X射线检测器。该二维阵列X射线检测器的检查方法包括以下步骤：偏置电压步骤，多次反复利用共用电极施加偏置电压和停止施加偏置电压；暗电流值测量步骤，对不照射X射线的状态下的各像素的像素值进行测量；缺陷像素识别步骤，根据在暗电流值测量步骤中测量出的各像素的像素值来识别缺陷像素；以及判断步骤，根据在缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸来判断二维阵列X射线检测器是否合适。
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公开(公告)号：CN101390213B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680053379.6
申请日：2006-02-23
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L31/115 , G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种放射线检测器，其中位于共用电极向引线的连接部分上的部位在不到放射线检测有效区域的范围内比半导体的其他部位以凹状凹陷形成，以掩埋该位于连接部分上的部位的方式配设绝缘性的台座，共用电极至少覆盖上述的台座的一部分形成，引线与共用电极的入射面中位于台座的部位连接形成，所以能够避免因共用电极连接引线而引起的性能低下，并且能够避免热变形应力或放射线衰减问题。
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公开(公告)号：CN101546780A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910133897.4
申请日：2004-09-24
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 新电元感应装置株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676
Abstract: 根据本发明的辐射检测器具有用于偏置电压施加的公共电极，形成在对辐射敏感的无定形硒半导体膜(a－Se半导体膜)的表面上。公共电极是具有100到1,000厚度的金薄膜。可以在相对较低的气相沉积温度，在较短的气相沉积时间内，在a－Se半导体膜的表面上形成充当公共电极的金薄膜。该特征抑制了由于公共电极的形成而在a－Se半导体膜中产生缺陷。用于公共电极的金薄膜没有现有技术中的厚，而是1,000或更薄。利用减小的厚度，公共电极具有对a－Se半导体膜改进的粘结性能。
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公开(公告)号：CN101048674A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580037296.3
申请日：2005-09-30
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01L31/115 , H01L27/14609 , H01L27/14632 , H01L27/14676 , H01L31/161 , H04N5/32
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，其能够容易地安装具有半导体层的衬底和光照射机构。其具备：玻璃衬底(11)，其具有通过X射线的入射，变换为载流子的X射线感应型半导体(14)；平面形状的光照射机构(28)，其设置在该玻璃衬底(11)的X射线入射侧的相反侧，从而将X射线感应型半导体(14)中残留的载流子用从光照射机构(28)照射的光除去。在玻璃衬底(11)和光照射机构(28)之间夹有具有透光性的凝胶状粘接板(32)，并且光照射机构28为平面形状，因此能够容易地安装玻璃衬底(11)和光照射机构(28)。此外，因为所夹有的粘接板(32)具有透光性，所以从光照射机构(28)照射的光不被遮蔽，能够透过粘接板(32)照射到玻璃衬底(11)上。
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