公开(公告)号：CN1126374A

公开(公告)日：1996-07-10

申请号：CN95108531.X

申请日：1995-06-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚 ,  高山彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种半导体器件，包括衬底，其上面具有由减压化学汽相淀积制备的非晶硅膜，其特征在于利用结晶硅膜来设置薄膜晶体管，而该结晶硅膜是通过在含有选择地引入的金属元素的区域周围，平行于衬底表面进行晶体生长而获得的，通过选择地引入金属元素而获得的区域能够加速非晶硅膜的晶化，以后对该区域加热。

公开(公告)号：CN1111816A

公开(公告)日：1995-11-15

申请号：CN95104503.2

申请日：1995-03-28

Applicant: 夏普公司 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  高山彻

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B13/22 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026

Abstract: 具有绝缘表面的衬底中，其绝缘表面上淀积非晶半导体膜，用发射加热光射线的热源局部加热非晶半导体膜中的预定被加热部分，移动热源或衬底使被加部分移动加热。因而，非晶半导体膜被顺序处理和多晶化。用加热光射线辐射用邻近被加热部分的已经多晶化部分作为籽晶进行顺序多晶化处理。因此可按被加热部分的移动方向控制晶粒生长方向一致。

公开(公告)号：CN100342484C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03110587.4

申请日：2003-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 仲泽美佐子 ,  一条充弘 ,  浜谷敏次 ,  大沼英人 ,  牧田直树

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18%或更高。

公开(公告)号：CN1941419A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610137390.2

申请日：2003-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 仲泽美佐子 ,  一条充弘 ,  浜谷敏次 ,  大沼英人 ,  牧田直树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18％或更高。

公开(公告)号：CN1293647C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN02124493.6

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  仲泽美佐子 ,  大沼英人 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621

Abstract: 解决了有关源/漏吸杂方法中的n沟道TFT的现有技术中的问题。在n沟道TFT中，其源/漏区仅仅含有n型杂质。因此，比之其源/漏区含有n型杂质和浓度更高的p型杂质的p沟道TFT，n沟道晶体管沟道区中的吸杂效率更低。因此，借助于在其源/漏区末端处提供含有n型杂质和p型杂质二者且p型杂质的浓度设置为高于n型杂质的浓度的高效吸杂区，能够解决n沟道TFT中吸杂效率差的问题。

公开(公告)号：CN1412859A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02154721.1

申请日：2002-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 宫入秀和 ,  志贺爱之 ,  野村克己 ,  牧田直树 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过在JP8－78329A中公开的技术上添加新颖的改进，提供了在其中改善了具有晶体结构的半导体薄膜的薄膜特性的制造方法。另外，还提供了将半导体薄膜用作活性层并且具有像场效应迁移率这样的较高TFT特性的TFT和制造TFT的方法。将促进硅结晶的金属元素添加到具有非晶体结构并且在薄膜中具有小于5×1018/cm3的氧浓度的半导体薄膜中。然后加热处理具有非晶体结构的半导体薄膜，形成具有晶体结构的半导体薄膜。随后，除去在表面上的氧化膜。将氧导入具有晶体结构的半导体薄膜中，进行处理以便于在薄膜中的氧浓度是从5×1018/cm3到1×1021/cm3。在从半导体薄膜的表面上除去氧化膜以后，通过在惰性气体环境下或者真空中照射激光来平整半导体薄膜表面。

公开(公告)号：CN1043703C

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN95108329.5

申请日：1995-06-15

Applicant: 夏普公司 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 香西孝真 ,  牧田直树 ,  高山彻

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/8232 ,  G09G3/18 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种液晶显示器件包括：一包括液晶层的显示部分；一对夹持该液晶层的基片；许多位于这对基片之一上的以阵列方式分布的象素电极；许多分别连接到所述那些象素电极的第一薄膜晶体管，及被定位用于驱动所述显示部分的位于第一薄膜晶体管所在的基片上并有第二薄膜晶体管的外部驱动电路；各第一、二薄膜晶体管分别包括由第一、二晶体硅层构成的第一、二沟道层，包括促进结晶用的催化元素的第二晶体硅层比第一晶体硅层的迁移率更高。

公开(公告)号：CN105612608B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201480055288.0

申请日：2014-08-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  刀根觉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：基板(11)；第一薄膜晶体管(10A)，其由基板(11)支承，具有主要包含结晶硅的第一有源区域(13c)；和第二薄膜晶体管(10B)，其由基板(11)支承，具有第二有源区域(17c)，该第二有源区域(17c)主要包含具有结晶部分的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN102197485B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200980142295.3

申请日：2009-10-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  中辻广志

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14665 ,  G06F3/042 ,  G09G5/10 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法以及显示装置。半导体装置具备薄膜晶体管(125)和薄膜二极管(126)，薄膜晶体管(125)的半导体层(108)和薄膜二极管(126)的半导体层(109)是通过使同一晶质半导体膜结晶而形成的晶质半导体层，在薄膜二极管(126)的半导体层(109)的表面形成有脊部，薄膜二极管(126)的半导体层(109)的表面粗糙度比薄膜晶体管(125)的半导体层(108)的表面粗糙度大。

公开(公告)号：CN100345309C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200310114248.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  岩井道记 ,  森野慎也 ,  堤隆之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的方法包括步骤：在绝缘表面上形成非晶半导体层；向非晶半导体层添加能够促进结晶的催化元素，并且接着进行第一热处理，以使非晶半导体层结晶，由此得到结晶的半导体层；至少除去结晶半导体层中存在的大块体催化元素半导体化合物；并且移去仍存在于结晶半导体层中的至少一部分催化元素，以在结晶半导体层中形成低催化浓度区域，该低催化浓度区域的催化元素浓度低于其它区域的浓度。