公开(公告)号：CN1476048A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03132892.X

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  长尾里筑子 ,  坂仓真之 ,  仲泽美佐子 ,  宫城德子 ,  池田寿雄 ,  土屋薰 ,  石垣步 ,  高桥正弘 ,  松田宪之 ,  大原宏树

IPC: H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。

公开(公告)号：CN1450594A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03110587.4

申请日：2003-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 仲泽美佐子 ,  一条充弘 ,  浜谷敏次 ,  大沼英人 ,  牧田直树

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18％或更高。

公开(公告)号：CN1132384A

公开(公告)日：1996-10-02

申请号：CN95120573.0

申请日：1995-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  小沼利光 ,  仲泽美佐子 ,  西毅

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  H01L27/10

CPC classification number: G02F1/13624 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0443 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0281 ,  G09G2320/0252 ,  G09G2320/0261 ,  G09G2320/103 ,  G09G2340/16

Abstract: 在有源矩阵型液晶显示器件中，信号线和扫描线在一个透明基片上按矩阵形式交叉。在每个交叉部分设置一个薄膜晶体管和一个透明象素电极。在该透明基片和另一个透明基片之间插入液晶材料，在每个象素区设置一个中央象素电极和包围该中央象素电极的一个外围象素电极。当象素区在动态图像显示中有移动时，先通过外围象素电极给液晶施加电场，而后经一个预定的延迟时间后通过中央象素电极给液晶施加电场。