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公开(公告)号：CN1561004A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410055695.X
申请日：2000-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/027 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , H03M9/00
Abstract: 在将串行输入的数字数据转换成并行数字数据的用于数字数据的串行－并行转换(SPC)电路中，使用频率最高为输入数字数据的频率的1/2的时钟信号用于操作该SPC电路，由此改进了SPC电路的功耗、稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN1421862A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02154715.7
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C7/06 , G11C11/4063
CPC classification number: H03F3/45179 , G01R19/00 , G11C7/062 , G11C11/4091 , G11C11/413 , G11C2207/063 , H03F3/45183 , H03F3/45188 , H03F2203/45396 , H03F2203/45506 , H03F2203/45546 , H03F2203/45551 , H03F2203/45702 , H03F2203/45726
Abstract: 根据本发明的读出放大器用于检测输入到第一输入端和第二输入端的信号的电位差，它包括用于施加对应于第一和第二晶体管的阈值电压的电压到第一和第二晶体管的栅极－源极电压的第一装置，以及用于将输入到第一和第二输入端的信号传输到第一和第二晶体管的栅极的第二装置。这样，第一和第二晶体管的阈值变化被校正。
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公开(公告)号：CN1397922A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02126137.7
申请日：2002-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3266 , G09G3/2022 , G09G3/3258 , G09G2300/0809 , G09G2300/0838 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2310/0251 , G09G2320/043
Abstract: 具有其中低电压驱动有可能的结构的像素通过简单的工艺提供。从源信号线输入的数字图像信号通过开关TFT输入到像素。在这一点，电压补偿电路放大数字图像信号的电压振幅和变换该振幅，并将结果施加给驱动器TFT的栅电极。这样，即使用于驱动栅信号线的电源电压变得较低，像素内TFT的开－关控制也可正常地进行。
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公开(公告)号：CN1325096A
公开(公告)日：2001-12-05
申请号：CN01111656.0
申请日：2001-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 浅见宗广
IPC: G09G3/32
CPC classification number: H03K3/356 , G09G3/3688 , G09G2310/0289 , H03K19/0013 , H03K19/018521
Abstract: 一种紧凑的电平移动器,它具有低功耗和快速的操作,能够容易地进行大差值的电压电平的电平转换。电压调整电路(10a)、p沟道MOS场效应晶体管(PMOST)(103)和n－沟道场效应晶体管(NMOST)(105)串联在两个电源之间。电压调整电路(10b)、PMOST(102)、PMOST(104)和NMOST(106)串联在两个电源之间。在电平转换工作的过渡周期穿透电流流动期间,上述电压调整电路有效地减小电源电压,从而使大差值电压电平的电平转换能够容易地进行。
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公开(公告)号：CN1269572A
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：CN00104190.8
申请日：2000-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/027 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , H03M9/00
Abstract: 在将串行输入的数字数据转换成并行数字数据的用于数字数据的串行－并行转换(SPC)电路中,使用频率最高为输入数字数据的频率的1/2的时钟信号用于操作该SPC电路,由此改进了SPC电路的功耗、稳定性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101276648A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810085831.8
申请日：2002-05-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C19/28 , G11C19/00 , H03K19/096 , H03K19/017 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3614 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/0426 , G09G2310/0254 , G09G2310/0283 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , G09G2310/0291 , G09G2310/0297 , G09G2310/08 , G11C19/00 , G11C19/28 , H01L2924/0002 , H03K19/01735 , H03K19/096 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及脉冲输出电路、移位寄存器和显示器件。提供一种由一个导电类型的TFTs构成的电路，该电路可以输出正常振幅的信号。当输入时钟信号CK1变为高电平时，每个TFTs(101、103)导通以将信号输出部分(Out)的电位设定在低电平。然后将脉冲输入到信号输入部分(In)并变为高电平。因此TFT(102)导通。然后CK1变为低电平，每个TFTs(101、103)截止。同时，CK3变为高电平，并且信号输出部分的电位增加。同时，TFT(102)的栅极的电位借助于电容器(104)的功能增加到等于或高于(VDD+VthN)的电平，因此在信号输出部分(Out)呈现的高电平变为等于VDD。当SP变为低电平时；CK3变为低电平；CK1变为高电平时，信号输出部分(Out)的电位再次变为低电平。
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公开(公告)号：CN100423076C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510085931.7
申请日：1999-12-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3275 , G09G3/3233 , G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2310/027 , G09G2310/0297 , G09G2330/02 , H03M1/0607 , H03M1/68 , H03M1/804
Abstract: 本发明涉及一种D/A转换器电路，其能够独立地控制输出电压幅度Vout和参考电压。D/A转换器电路将“n”位数字数据(“n”：自然数)转换为模拟信号，其中所述“n”位数字数据的各个位控制开关，控制连接到所述开关的电容中电荷的充电和放电，以及输出具有用作参考电势的偏移电势的模拟信号。
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公开(公告)号：CN100397446C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN02119181.6
申请日：2002-05-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/26
CPC classification number: G11C19/28 , G02F1/13306 , G02F1/1333 , G09G3/36 , G09G3/3688 , G09G2310/0286 , G09G2330/021 , H01L27/1214 , H01L27/124
Abstract: 提供一种显示器件的驱动电路，仅包括单一导通的TFT，其中输出信号的幅值是标准的。向TFT101和104输入一个脉冲，使TFT导通，节点á的电位升高。当节点á的电位达到(VDD-VthN)时，节点á变成处于浮动状态。于是，当时钟信号到达电平H时，TFT105导通，输出节点的电位升高。另一方面，随着输出节点电位的升高，由于电容107的作用，TFT105的栅极电位进一步升高，使得输出节点的电位高于(VDD+VthN)。因此，输出节点的电位升高到VDD，而不会出现TFT105的阈值引起的电压下降。而后，后续级的输出被输入到TFT102和103，使TFT102和103导通，而节点á的电位下降，使TFT105关断。同时TFT106导通，使得输出节点的电位达到电平L。
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公开(公告)号：CN101159117A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710154289.2
申请日：2002-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及一种发光装置。具有其中低电压驱动有可能的结构的像素通过简单的工艺提供。从源信号线输入的数字图像信号通过开关TFT输入到像素。在这一点，电压补偿电路放大数字图像信号的电压振幅和变换该振幅，并将结果施加给驱动器TFT的栅电极。这样，即使用于驱动栅信号线的电源电压变得较低，像素内TFT的开－关控制也可正常地进行。
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公开(公告)号：CN1384546A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02118504.2
申请日：2002-04-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/786 , H03K19/01714 , H03K19/01721
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极－源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD－GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。
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