公开(公告)号：CN112005350A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980027125.4

申请日：2019-04-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 根井孝征 ,  村川努 ,  竹内敏彦 ,  菅谷健太郎

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/532 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层，第一层及第二层各自包括晶体管，第一层中的晶体管及第二层中的晶体管各自包括第一氧化物、第一氧化物上的第一导电体及第二导电体、以覆盖第一导电体、第二导电体及第一氧化物的方式配置的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一氧化物上的在第一导电体与第二导电体之间配置的第二氧化物、第二氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及与第二绝缘体的顶面、第二氧化物的顶面、第三绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触的第四绝缘体，第一绝缘体及第四绝缘体与第二绝缘体相比不容易使氧透过。

公开(公告)号：CN101350331A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810131636.4

申请日：2008-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  神保安弘 ,  根井孝征

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高生产率地制造具有电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的显示装置的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜，并从微晶半导体膜的表面照射激光束，以改善微晶半导体膜的结晶性。然后，通过使用改善了结晶性的微晶半导体膜，形成薄膜晶体管。另外，制造具有该薄膜晶体管的显示装置。