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公开(公告)号：CN114144894A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080052839.3
申请日：2020-07-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L23/532
Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体、氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体、与第一导电体的顶面接触的第一绝缘体、与第二导电体的顶面接触的第二绝缘体、位于第一绝缘体及第二绝缘体上且具有与第一导电体及第二导电体之间的区域重叠的开口的第三绝缘体、位于氧化物半导体上且位于第一导电体及第二导电体之间的区域中的第四绝缘体以及第四绝缘体上的第三导电体，并且第一绝缘体及第二绝缘体为包含非晶结构的金属氧化物。
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