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公开(公告)号：CN104134673B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410186936.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发明名称是显示装置及其制造方法。本发明提供一种适用于设置在显示面板中的共同连接部的结构。设置在像素部的外侧区域的共同连接部具有使用与栅极绝缘层相同的层形成的绝缘层、使用与第二氧化物半导体层相同的层形成的氧化物半导体层、以及使用与导电层相同的层形成的导电层(也称为共同电位线)的层叠结构，其中，通过设置在第一氧化物半导体层上的层间绝缘层中的开口，导电层(也称为共同电位线)连接到共同电极，并且与像素电极相对的电极通过导电粒子电连接到共同电极。
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公开(公告)号：CN101527282B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200810183698.X
申请日：2008-12-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/1288
Abstract: 本发明的目的在于：在以边缘场切换模式驱动的液晶显示装置的制造方法中，通过缩减光掩模数来实现制造步骤的简化和制造成本的缩减。其包括如下步骤：在具有透光性的绝缘衬底上按顺序层叠形成第一透明导电膜及第一金属膜；使用第一光掩模的多级灰度掩模加工第一透明导电膜及第一金属膜的形状；按顺序层叠形成绝缘膜、第一半导体膜、第二半导体膜、第二金属膜；使用第二光掩模的多级灰度掩模加工第二金属膜、第二半导体膜的形状；形成保护膜；使用第三光掩模加工保护膜的形状；形成第二透明导电膜；以及使用第四光掩模加工第二透明导电膜的形状。
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公开(公告)号：CN102160104B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980137844.8
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/133 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G02F1/167 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部，该像素包括：具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管；以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边，设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且，所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。
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公开(公告)号：CN102160105A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137845.2
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种适用于设置在显示面板中的共同连接部的结构。设置在像素部的外侧区域的共同连接部具有使用与栅极绝缘层相同的层形成的绝缘层、使用与第二氧化物半导体层相同的层形成的氧化物半导体层、以及使用与导电层相同的层形成的导电层(也称为共同电位线)的层叠结构，其中，通过设置在第一氧化物半导体层上的层间绝缘层中的开口，导电层(也称为共同电位线)连接到共同电极，并且与像素电极相对的电极通过导电粒子电连接到共同电极。
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公开(公告)号：CN103545342B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310468513.0
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 本公开涉及半导体装置。一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部，该像素包括：具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管；以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边，设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且，所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103985718A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410239406.5
申请日：2009-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13392 , G02F1/13458 , G02F2001/13398 , G09G2300/0804 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。
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公开(公告)号：CN101419945B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200810175032.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/13606 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/13625 , G02F2201/50 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/1214
Abstract: 本发明的制造方法包括如下工序：在衬底上形成由透明导电层和金属层的叠层构成的第一导电层，并且使用第一多级灰度掩模来形成由第一导电层构成的栅电极和由单层的透明导电层构成的像素电极；在形成栅极绝缘膜和I型半导体层和n+型半导体层之后使用第二多级灰度掩模形成像素电极中的接触孔及I型半导体层和n+型半导体层的岛；在形成第二导电层之后使用第三光掩模形成源电极及漏电极；在形成保护膜之后使用第四光掩模来形成开口区域。注意，该使用第四光掩模的工序可以通过使用背面曝光技术及回流技术而省略掩模。
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公开(公告)号：CN102496628A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110373876.7
申请日：2009-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13392 , G02F1/13458 , G02F2001/13398 , G09G2300/0804 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。
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公开(公告)号：CN102160184A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137843.3
申请日：2009-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/133 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13392 , G02F1/13458 , G02F2001/13398 , G09G2300/0804 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。
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公开(公告)号：CN101527282A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810183698.X
申请日：2008-12-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于：在以边缘场切换模式驱动的液晶显示装置的制造方法中，通过缩减光掩模数来实现制造步骤的简化和制造成本的缩减。其包括如下步骤：在具有透光性的绝缘衬底上按顺序层叠形成第一透明导电膜及第一金属膜；使用第一光掩模的多级灰度掩模加工第一透明导电膜及第一金属膜的形状；按顺序层叠形成绝缘膜、第一半导体膜、第二半导体膜、第二金属膜；使用第二光掩模的多级灰度掩模加工第二金属膜、第二半导体膜的形状；形成保护膜；使用第三光掩模加工保护膜的形状；形成第二透明导电膜；以及使用第四光掩模加工第二透明导电膜的形状。
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