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公开(公告)号：CN115051128A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210802501.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 本发明的隔离器具备：第一结构体，具有：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极上；第二电极，设置于第一绝缘部上；第二绝缘部，沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围；以及第一电介质部，连续地设置于第一绝缘部与第二电极之间及第二绝缘部与第二电极之间，第一电介质部的相对介电常数高于第一绝缘部，且高于第二绝缘部，第二结构体，具有：第三电极；及第四电极，一端与第二电极的一端电连接，第一绝缘部设置于第三电极之上，第四电极设置于第一绝缘部之上，与第三电极对置，第二绝缘部沿着第一面设置于第四电极的周围，第一电介质部连续地设置于第一绝缘部与第四电极之间及第二绝缘部与第四电极之间。
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公开(公告)号：CN113437461B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010798584.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 根据一个实施方式，隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极上。第二电极设置于第一绝缘部之上。第二绝缘部沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部在第一方向上设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间。第一电介质部的至少一部分沿着第一面位于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部与第二绝缘部的第一界面与第二电极的下端之间的第一方向上的距离，比第一界面与第二电极的上端之间的第一方向上的距离短。第一电介质部的相对介电常数比第一绝缘部的相对介电常数高，且比第二绝缘部的相对介电常数高。
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公开(公告)号：CN113437461A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010798584.7
申请日：2020-08-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01P1/375
Abstract: 根据一个实施方式，隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极上。第二电极设置于第一绝缘部之上。第二绝缘部沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部在第一方向上设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间。第一电介质部的至少一部分沿着第一面位于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部与第二绝缘部的第一界面与第二电极的下端之间的第一方向上的距离，比第一界面与第二电极的上端之间的第一方向上的距离短。第一电介质部的相对介电常数比第一绝缘部的相对介电常数高，且比第二绝缘部的相对介电常数高。
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公开(公告)号：CN101154710A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710180640.5
申请日：2007-09-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3983 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/398 , G11C11/161 , H01F10/187 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明提供可以谋求MR变化率提高的磁阻效应元件、磁存储器、磁头及磁记录再生装置。磁阻效应元件具有：磁化方向实质上被固定成一个方向的第1磁性层、磁化方向随外部磁场变化的第2磁性层和设置在所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的间隔层，所述第1磁性层和所述第2磁性层的至少任一层含有式M1aM2bXc(5≤a≤68、10≤b≤73、22≤c≤85)所表示的磁性化合物，M1是选自Co、Fe、Ni的至少一种元素，M2是选自Ti、V、Cr、Mn的至少一种元素，X是选自N、O、C的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN101101959A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710128678.8
申请日：2007-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3983 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/398 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/305 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明其目的在于提供一种可应用于高密度存储的磁存储装置、可设法提高可靠性的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件的制造方法为该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上固定于一方向的磁化固定层；磁化方向与外部磁场相对应而变化的磁化自由层；以及设置于所述磁化固定层和所述磁化自由层两者间、包含绝缘层和贯通所述绝缘层的金属层的隔层，在该磁阻效应元件的制造方法中所述隔层形成时，形成第一金属层，在所述第一金属层上形成可变换为所述绝缘层的第二金属层，进行第一变换处理，将所述第二金属层变换为所述绝缘层，并且形成贯通所述绝缘层的所述金属层，在通过所述第一变换处理所形成的所述绝缘层和所述金属层上形成可变换为所述绝缘层的第三金属层，进行第二变换处理，将所述第三金属层变换为所述绝缘层，并且形成贯通所述绝缘层的所述金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101499514A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910003801.2
申请日：2009-02-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种可实现更大MR变化率的磁阻效应元件，该磁阻效应元件，其特征在于，具有：磁阻效应膜；以及用于使电流在上述磁阻效应膜的膜面上垂直流通的一对电极，该磁阻效应膜，含有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层；磁化方向对应于外部磁场而变化的磁化自由层；设置在上述磁化固定层和上述磁化自由层之间的中间层；设置在上述磁化固定层或上述磁化自由层上面的盖层；以及设于上述磁化固定层中、上述磁化自由层中、上述磁化固定层和上述磁化自由层的界面、上述中间层和上述磁化自由层的界面、以及上述磁化固定层或磁化自由层与上述盖层的界面的任何一个、并由含有氧或氮的材料形成的功能层，上述功能层的结晶取向面与其上或其下邻接的层的结晶取向面不同。
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公开(公告)号：CN101064358A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710102978.9
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F41/302 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/09 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , H01F10/3222 , H01F10/3272 , H01F10/3295
Abstract: 本发明的磁阻元件包括：具有基本上固定的磁化方向的第一磁性层；设置于该第一磁性层上、具有氧化物、氮化物、氧氮化物、以及金属其中至少一种的薄膜层；以及设置于该薄膜层上、具有基本上固定的磁化方向的第二磁性层。
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公开(公告)号：CN101026221A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078832.5
申请日：2007-02-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/398 , B82Y25/00 , G01R33/09 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3281 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层；自由磁化层；其设置在所述固定磁化层和所述自由磁化层之间的非磁性隔离；和设置在所述自由磁化层背向所述非磁性中间层的一侧上的插入层，其中，第一绝缘层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分，以及，所述插入层具有包含选自由Al(铝)、Si(硅)、Mg(镁)、Ta(钽)和Zn(锌)构成的组中的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧氮化物作为主要成分。
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公开(公告)号：CN101017668A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710005511.2
申请日：2007-02-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F10/3281 , H01F41/303 , H01F41/325
Abstract: 一种用于制造磁阻效应元件的方法，该磁阻效应元件具有依次层叠的磁化固定层、非磁性中间层以及磁化自由层。该方法包括：形成将成为磁化固定层或磁化自由层之一的至少部分磁性层；形成功能层，该功能层包括位于该磁性层的部分上的氧化物、氮化物以及氟化物中的至少一种；以及通过将功能层暴露于离子束辐射或等离子体辐射之一从而去除部分功能层。
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公开(公告)号：CN103017795B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210225044.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L9/0042 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
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