公开(公告)号：CN105449013A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510598677.4

申请日：2015-09-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平贺广贵 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541

Abstract: 实施方式的目的在于：提供高转换效率的光电转换元件以及太阳能电池。实施方式涉及一种光电转换元件，其至少具有基板、在基板上的下部电极、在下部电极上的光吸收层、在光吸收层上的n层、在n层上的透明电极、以及在透明电极上的氧化物层，其中，当将透明电极的折射率设定为n6、所述氧化物层的折射率设定为n7时，n6和n7满足100/110≤n7/n6≤110/100。

公开(公告)号：CN103117323B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210595830.4

申请日：2012-11-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  平贺广贵 ,  中川直之 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种包含第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件和太阳能电池。所述第1电极包含第1化合物且具有透光性，所述第1化合物包含(Zn1-xMgx)1-yMyO和Zn1-βMβO1-αSα(M是选自B、Al、Ga以及In组成的组中的至少一种元素，0.03≤x≤0.4，0.005≤y≤0.2，0.4≤α≤0.9，0.005≤β≤0.2)中的至少任一种。所述光吸收层设置在所述第1电极和所述第2电极之间。所述光吸收层含有具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构的化合物半导体。所述光吸收层包含p型部和设置在所述p型部与所述第1电极之间、与所述p型部同质接合的n型部。

公开(公告)号：CN104465864A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410440711.0

申请日：2014-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平贺广贵 ,  中川直之 ,  芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/20 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供光电转换元件的制造方法。这是在第一电极上形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层的光电转换元件的制造方法，其中，形成光电转换层的工序包括：光电转换层前驱体形成工序，在第一电极上形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层前驱体；和浸渍工序，在光电转换层前驱体形成工序后，在0℃以上且60℃以下，将形成于第一电极上的光电转换层前驱体浸渍于具有IIa族以及IIb族的至少1种元素的液体中，光电转换层前驱体的第一电极侧的化合物半导体是非晶质，或者，其平均晶体粒径比与第一电极相反一侧的化合物半导体的平均晶体粒径大。

公开(公告)号：CN103946992A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056585.8

申请日：2012-11-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平贺广贵 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547

Abstract: 根据实施方式，可提供一种具备具有光透过性的第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件。光吸收层被设在第1电极与第2电极之间。光吸收层含有化合物半导体，所述化合物半导体含有第11族的第1元素和第16族的第2元素，且具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构。光吸收层含有p型部和n型部。n型部被设在p型部与第1电极之间。n型部与p型部同质接合。n型部含有掺杂剂。掺杂剂是通过Bond Valence Sum计算求出的形式电荷Vb为1.60～2.83的元素。

公开(公告)号：CN103840027A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310573105.1

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平贺广贵 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明的目的在于提供高效率的光电转换元件以及太阳能电池，其中通过在黄铜矿系太阳能电池的透明电极与n层之间设置氧化物层，能够得到使透明电极制作时的损伤减低的效果。由此能够使复合中心减少并提高效率。实施方式的光电转换元件，其特征在于，具备：具有黄铜矿构造的p型光吸收层；在p型光吸收层上形成的n型半导体层；在n型半导体层上形成的氧化物层；和在氧化物层上形成的透明电极。

公开(公告)号：CN102683596A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210071371.X

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大冈青日 ,  齐藤三长 ,  细矢雅弘 ,  岩永宽规 ,  稻叶道彦

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/447 ,  H01L27/304 ,  Y02E10/549

Abstract: 根据实施例，太阳能电池组件包括太阳能电池装置(1)和支持太阳能电池装置(1)的支持结构(21a、21b)。太阳能电池装置(1)是带状的太阳能电池装置，包括布置在一个方向(X1)上以致其主表面彼此面对的多个第一部分(1a)，以及插入第一部分(1a)之间的第二部分(1b)。第一部分(1a)的与太阳能电池装置(1)的一对长边相对应的边缘彼此平行。相邻的两个第一部分(1a)相对于方向(X1)向前地以及向后地倾斜。第二部分(1b)包括一个以上的平面或者曲面，以使相邻的两个第一部分(1a)彼此连接。

公开(公告)号：CN85109419A

公开(公告)日：1986-06-10

申请号：CN85109419

申请日：1985-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹村百子 ,  稻叶道彦 ,  铁矢俊夫 ,  小林三男

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/27 ,  B23K35/001 ,  B23K35/302 ,  B23K2035/008 ,  H01L23/4924 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体器件，其芯片是用锡-铜合金焊料固定到引线架上的。其中第一层金属层是插置于芯片和焊料中间的。形成的第一金属层的厚度在2000到3μm的范围之内，是由钛、铬、钒、锆、铌中选取的一种金属，或至少包括一种上述金属的一种合金构成的。由镍、钴或至少含有一种上述金属的一种合金制备的第二金属层插置在第一层金属和焊料之间，其厚度小于第一金属层。

公开(公告)号：CN103681904B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310430246.8

申请日：2013-09-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  平贺广贵 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明的实施方式的目的是提供高效率的光电转换元件以及太阳电池。实施方式的光电转换元件具备：由I－III－VI2族化合物或I2－II－IV－VI4族化合物的p型化合物半导体层和n型化合物半导体层进行同质接合而成的光电转换层、透明电极、形成于光电转换层和透明电极之间的n型层上的平均膜厚为1nm～10nm的中间层、以及形成于中间层和透明电极之间的窗层。

公开(公告)号：CN102683594B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210066992.9

申请日：2012-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高山晓 ,  中尾英之 ,  小野昭彦 ,  稻叶道彦

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44

CPC classification number: H01L51/447 ,  H01L27/301 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/549

Abstract: 根据一个实施例的有机薄膜太阳能电池组件(100)包括多个太阳能电池板(1)和多个反射面(2)。每个板(1)包括基板(3)、第一电极、第二电极和光电转换层。当假定第一平面(1)包括反射面(2)，第一交线作为第一平面(63)与基板(3)的第二主表面的交线，以及第二平面(64)包括第一交线，并且第二平面(64)与基板(3)的第二主表面形成45°的角度以及与第一平面(63)形成小于45°的角度时，光电转换层的边缘与第二平面(64)接触或者第二平面(64)与光电转换层相交。

公开(公告)号：CN103682151A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310423203.7

申请日：2013-09-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高山晓 ,  大冈青日 ,  中尾英之 ,  工藤由纪 ,  小野昭彦 ,  稻叶道彦

IPC: H01L51/52 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L31/0527 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池模块，包括：基板；经由各个间隙被设置在基板上的多个太阳能电池；以及被设置为覆盖太阳能电池的透明部件，并且该透明部件被配置成入射到透明部件上的光穿过透明部件并到达太阳能电池，其中，透明部件在与太阳能电池之间的各个间隙相对应的位置处具有缝隙形状的凹部空间；且太阳能电池模块在透明部件的表面侧上包括光电转换率改善结构，其中，光被入射到透明部件上。