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公开(公告)号：CN104954643A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510125617.0
申请日：2015-03-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G02B3/0037 , G01B11/14 , G02B3/0056 , G06K9/209 , G06K9/32 , G06K9/42 , G06K9/6202
Abstract: 本申请公开了图像处理方法和成像设备。根据一实施例，在成像设备中实现一种图像处理方法，该成像设备包括：微透镜阵列，该微透镜阵列包括微透镜；主透镜，其被配置成将来自摄影对象的光引导至微透镜阵列；以及图像传感器，其被配置成在光通过主透镜和微透镜阵列后接收该光。该方法包括：获得由图像传感器捕捉的图像；根据图像高度来设置包括在所述图像中并由微透镜形成的微透镜图像中的感兴趣的微透镜图像和比较目标微透镜图像的排布；通过将感兴趣微透镜图像与比较目标微透镜图像作比较而检测感兴趣微透镜图像与每个比较目标微透镜图像之间的图像偏移量；并使用该图像偏移量来计算与感兴趣微透镜图像对应的距离。
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公开(公告)号：CN104932151A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510111759.1
申请日：2015-03-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1343 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133526 , G02B13/0015 , G02F1/133371 , G02F2201/52 , G03B3/10 , G03B13/18 , G03B35/10 , G02F1/13394 , G02F1/133514 , G02F1/134309
Abstract: 本申请公开了液晶光学元件和图像装置。液晶光学元件，包括第一电极、第二电极、第一对准薄膜、第二对准薄膜、间隔件、和液晶层。第一电极包括多个透镜部件。第二电极与第一电极对置。第一对准薄膜被形成在第一电极和第二电极之间。第二对准薄膜被形成在第一对准薄膜和第二电极之间。间隔件被设置在第一电极和第二电极之间。该间隔件被规则地布置，各自位于透镜部件的边缘处。液晶层被设置在第一对准薄膜和第二对准薄膜之间。
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公开(公告)号：CN104932132A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510116513.3
申请日：2015-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/1337 , G02F1/133723 , G02F1/133784 , G02F1/133788 , G02F1/29 , G02F2001/133738 , G02F2001/133749 , G02F2001/133773 , G02F2001/134381 , G02F2001/294 , G02F1/134309
Abstract: 公开了液晶光学元件和成像设备。在液晶光学元件中，第一基板包括第一主表面。第二基板包括与第一主表面相对的第二主表面。第一电极设置在第一主表面上。公共电极设置在第二主表面上。液晶层在第一主表面和第二主表面之间形成。第一对准层在第一基板和液晶层之间形成。第二对准层在第二基板和液晶层之间形成。第一对准层的锚固力弱于第二对准层的锚固力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114156362A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110211234.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L27/144 , G01S17/08 , G01S17/86
Abstract: 本发明涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置以及移动体，能够提高可靠性。根据实施方式，光检测器包括第1导电型的第1半导体层、第1区域、猝灭部、第2区域以及第1层。第1区域设置在第1半导体层的一部分之上。第1区域包括具有比第1半导体层高的第1导电型的杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域、和设置在第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域。猝灭部与第2半导体区域电连接。第2区域设置在第1半导体层的另外的一部分之上。第2区域包括第2导电型的第3半导体区域、和设置在第3半导体区域的一部分之上的第1导电型的第4半导体区域。第1层设置在第2区域之上，含有吸收或者反射光的树脂。
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公开(公告)号：CN113488551A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010893551.0
申请日：2020-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L27/144 , G01S7/481 , G01S17/02
Abstract: 本发明提供一种能够抑制噪声的光检测元件、光检测系统、激光雷达装置以及移动体。光检测元件具备第一半导体层，该第一半导体层具有光检测区域和周边区域，该光检测区域是在光入射的第一面上排列有多个光检测部的区域，该周边区域是设于光检测区域的周围且不包含光检测部的半导体区域。周边区域的厚度方向上的至少一部分的第一层区域的晶格缺陷的密度或者第一层区域所含的杂质的浓度比所述光检测区域中的在与所述厚度方向交叉的方向上与该第一层区域邻接的第二层区域的晶格缺陷的密度或者第二层区域所含的杂质的浓度高。
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公开(公告)号：CN113437174A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010944864.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 本发明提供能够缩短不灵敏时间的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。光检测器包括第一导电型的第一半导体区域、第一元件、第二元件、绝缘体、第一布线和第二布线。第一元件的第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第一元件的第三半导体区域设置于第二半导体区域之上，与第二半导体区域接触。第二元件的第四半导体区域设置于第一半导体区域之上，具有比第二半导体区域低的第一导电型的杂质浓度。第二元件的第五半导体区域设置于第四半导体区域之上，与第四半导体区域接触。绝缘体设置于第一元件与第二元件之间。第一布线与第三半导体区域电连接。第二布线与第五半导体区域电连接。
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公开(公告)号：CN104459954A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410427520.0
申请日：2014-08-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G02B3/0056 , G02B5/005 , G02B9/34 , G02B13/001 , G02B13/0015 , G02B13/004 , G02B13/0055 , G02B13/16 , G02B13/18 , G03B9/02 , H04N5/2251 , H04N5/2254 , G02B1/04 , G02B13/00
Abstract: 本发明提供了成像透镜和固态成像设备。根据一个实施例，成像透镜包括第一光学系统和微透镜阵列。该第一光学系统包括光轴。该微透镜阵列设置在该第一光学系统和成像元件之间。微透镜阵列包括设置在第一平面内的微透镜单元。成像元件包括像素组。每一个像素组包括像素。当投影到第一平面上时，微透镜单元分别覆盖像素组。该第一光学系统包括孔径光阑、第一透镜、第二透镜、第三透镜、和第四透镜。该第一透镜设置在孔径光阑和微透镜阵列之间。该第二透镜设置在第一透镜和微透镜阵列之间。该第三透镜设置在第二透镜和微透镜阵列之间。该第四透镜设置在第三透镜和微透镜阵列之间。
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公开(公告)号：CN104459859A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410461618.8
申请日：2014-09-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G02B5/201 , G02B3/0056 , G02B27/0075 , H01J2229/893 , H01L27/14621 , H04N5/225 , H04N9/045 , H04N2209/045 , H04N2209/049
Abstract: 本发明公开了滤色器阵列和固态图像传感器。根据一实施例，滤色器阵列包括具有多种颜色的多个滤色器。滤色器排布为使得每一个滤色器对应于微透镜阵列中包括的多个微透镜的任一个。每个微透镜被配置成用光来照射多个像素。
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