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公开(公告)号:CN100519480C
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200480034414.0
申请日:2004-11-18
IPC: C04B35/581
CPC classification number: C04B35/638 , C04B35/581 , C04B35/62675 , C04B35/6303 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , Y10T428/268
Abstract: 本发明的高热导率氮化铝烧结体具有:220W/m·K或更大的热导率;和250MPa或更大的三点弯曲强度;其中Al2Y4O9(201平面)的X射线衍射强度与氮化铝(101平面)的X射线衍射强度(IAlN)之比是0.002-0.03。根据前述结构,可以提供一种具有高热导率和优异散热性的氮化铝烧结体。
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公开(公告)号:CN1537086A
公开(公告)日:2004-10-13
申请号:CN02814985.8
申请日:2002-07-23
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 小松通泰
IPC: C04B35/587
CPC classification number: F16C33/30 , C04B35/584 , C04B35/593 , C04B35/6303 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3826 , C04B2235/3834 , C04B2235/3839 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C33/32
Abstract: 本发明制备了由氮化硅烧结体组成的耐磨部件。所述氮化硅烧结体含2-10质量%稀土元素氧化物作为烧结助剂、2-7质量%MgAl2O4尖晶石、1-10质量%碳化硅、5质量%或更少的Ti、Zr、Hf、W、Mo、Ta、Nb及Cr中至少一种元素的氧化物,所述氮化硅烧结体的孔隙率为1体积%或更小,三点弯曲强度为900MPa或更大,断裂韧性为6.3MPa·m1/2或更大。根据本发明的上述结构,提供了氮化硅耐磨部件及制备具有高强度和韧性,特别是有极好滚动和滑动特性的这种部件的方法。
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公开(公告)号:CN103764596B
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201280043049.4
申请日:2012-09-04
IPC: C04B35/584 , F16C19/02 , F16C33/32
CPC classification number: F16C19/06 , C04B35/5935 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3882 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C33/32 , F16C2202/04 , F16C2202/10 , F16C2206/44 , F16C2206/60 , F16C2220/20
Abstract: 本发明提供氮化硅烧结体,实施方式的氮化硅烧结体含有:铝,以氧化物换算量计为2~10质量%的范围;R元素,为选自稀土元素中的至少一种,以氧化物换算量计为1~5质量%的范围;M元素,为选自IVA族元素、VA族元素和VIA族元素中的至少一种,以氧化物换算量计为1~5质量%的范围。铝的含量与R元素的含量之比以氧化物换算量计为2:1~5:1的范围,且铝的含量与M元素的含量之比以氧化物换算量计为2:1~10:1的范围。实施方式的氮化硅烧结体作为轴承滚珠这样的耐磨部件使用。
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公开(公告)号:CN1842506B
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200580000816.3
申请日:2005-05-19
Inventor: 小松通泰
IPC: C04B35/584
CPC classification number: C04B35/593 , C04B35/6303 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3272 , C04B2235/36 , C04B2235/3878 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/9684
Abstract: 一种显示出高导热性的氮化硅烧结体,所述氮化硅烧结体包含:以其氧化物计:2质量%至17.5质量%的稀土元素;以其氧化物计,0.07质量%至0.5质量%的Fe;以其氧化物计,0.07质量%至0.5质量%的Ca;以其氧化物计,0.1质量%至0.6质量%的Al;以其氧化物计,0.3质量%至4质量%的Mg;以及以其氧化物计,不超过5质量%(包括0质量%)的Hf。
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公开(公告)号:CN1882517A
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN200480034414.0
申请日:2004-11-18
IPC: C04B35/581
CPC classification number: C04B35/638 , C04B35/581 , C04B35/62675 , C04B35/6303 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , Y10T428/268
Abstract: 本发明的高热导率氮化铝烧结体具有:220W/m·K或更大的热导率;和250MPa或更大的三点弯曲强度;其中Al2Y4O9(201平面)的X射线衍射强度()与氮化铝(101平面)的X射线衍射强度(IAlN)之比(/IAlN)是0.002-0.03。根据前述结构,可以提供一种具有高热导率和优异散热性的氮化铝烧结体。
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公开(公告)号:CN1082938C
公开(公告)日:2002-04-17
申请号:CN96190066.0
申请日:1996-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/33 , C04B35/584 , C04B35/5935 , H01L23/15 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01039 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01064 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01105 , H01L2924/04953 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的高热导性氮化硅烧结体的特征在于:含有换算成氧化物为大于7.5重量%小于17.5重量%的稀土族元素,按需要含有低于1.0重量%的氮化铝或氧化铝中的至少一种;根据需要含有0.1~3.0重量%的从由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W的氧化物、碳化物、氮化物、硅化物、硼化物组成的群体中选出的至少一种、作为其他的杂质阳离子元素合计含有0.3重量%以下的Li、Na、K、Fe、Ca、Mg、Sr、Ba、Mn、B,它由α相型氮化硅结晶和晶界相构成。该烧结体的晶界相中的结晶化合物相对晶界相整体的比率大于20%,而气孔率按容量比算低于2.5%、热导率大于20W/m·K、三点弯曲强度在室温下大于650MPa。若按该构成,除去氮化硅烧结体原本就具有的高强度特性之外,可得到热导率高、散热性优良的氮化硅烧结体。本发明的压接结构体的构成是把发热部件压接到由上述氮化硅烧结体构成的散热板上。
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公开(公告)号:CN1079785C
公开(公告)日:2002-02-27
申请号:CN96190015.6
申请日:1996-06-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C04B35/581 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明所涉及的氮化铝烧结体,其特征在于含有1-10%(重量)从周期表Ⅲa族元素、Ca、Sr、Ba中选择的至少一种元素的氧化物,0.2-2.0%(重量)碳化硼,0.2%(重量,以Si成分计)以下从SiO2、Si3N4、SiC、Si2N2O、β-Sialon、α-Sialon和多型氧化铝(Al-Si-O-N)中选择的至少一种硅化合物,和构成其余部分的氨化铝。按照上述构成,可以抑制AlN烧结体的晶粒生长、使烧结体组织微细化同时增强粒界相与晶粒的结合,从而得到烧结体强度和破坏韧性值均有改善、不损害氛化铝特有的散热特性、机械强度和破坏韧性值均有提高的AlN烧结体。
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公开(公告)号:CN1152298A
公开(公告)日:1997-06-18
申请号:CN96190015.6
申请日:1996-06-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C04B35/581 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明所涉及的氮化铝烧结体,其特征在于含有1-10%(重量)从周期表IIIa族元素、Ca、Sr、Ba中选择的至少一种元素的氧化物,0.2-2.0%(重量)碳化硼,0.2%(重量,以Si成分计)以下从SiO2、Si3N4、SiC、Si2N2O、β-Sialon、α-Sialon和多型氮化铝(Al-Si-O-N)中选择的至少一种硅化合物,和构成其余部分的氮化铝。按照上述构成,可以抑制AlN烧结体的晶粒生长、使烧结体组织微细化同时增强粒界相与晶粒的结合,从而得到烧结体强度和破坏韧性值均有改善、不损害氮化铝特有的散热特性、机械强度和破坏韧性值均有提高的AlN烧结体。
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公开(公告)号:CN102951905B
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201210378592.1
申请日:2004-09-27
IPC: C04B35/584 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/64 , C04B35/584 , C04B35/5935 , C04B35/63 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3826 , C04B2235/3834 , C04B2235/3839 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/5445 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C33/30 , F16C33/62
Abstract: 一种氮化硅耐磨部件是由氮化硅烧结体形成的,该氮化硅烧结体含有以其氧化物计2-4质量%的用作烧结助剂的稀土元素、以其氧化物计2-6质量%的Al组分、及2-7质量%的碳化硅。该氮化硅烧结体具有1%或更低的孔隙率、800-1000MPa的三点弯曲强度、及5.7-6.6MPa·m1/2的断裂韧度。根据该结构,即使使用金属氮化方法制造的便宜的氮化硅粉末,也可以提供一种氮化硅耐磨部件及制造该部件的方法,该部件具有可与普通氮化硅烧结体相比或更高的机械强度、高的抗磨损特性和滚动寿命,且具有出色的可加工性。
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公开(公告)号:CN104768900A
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201380057709.9
申请日:2013-12-06
IPC: C04B35/599 , F16C33/32
CPC classification number: F16C33/32 , C04B35/597 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/3847 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C2240/54
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体,其特征在于:在对氮化硅烧结体进行XRD分析时,当将在对应于六方晶系α-SiAlON结晶的29.6±0.3°和31.0±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I29.6°、I31.0°、另一方面将在对应于β-Si3N4结晶的33.6±0.3°、36.1±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I33.6°、I36.1°时,各最强峰值强度满足下述关系式:(I29.6°+I31.0°)/(I33.6°+I36.1°)=0.10~0.30(1)在所述氮化硅烧结体的任意断面中,每单位面积100μm×100μm的晶界相的面积比为25~40%,可加工系数为0.100~0.120。根据本发明,可以提供适合于滑动特性长期稳定的滑动构件的氮化硅烧结体以及使用该氮化硅烧结体的滑动构件。
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