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公开(公告)号：CN1162754C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN01111868.7
申请日：2001-03-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/039 , G03F7/0045 , G03F7/38 , Y10S430/143
Abstract: 提供图形形成材料和形成方法以及曝光用掩模的制造方法。本发明的图形形成材料含有：碱性可溶性树脂、酸产生剂、溶剂、以及溶解抑制基，作为该溶解抑制基，包含一定比例的通过用电子束照射后在真空中放置，使所述图形形成材料高灵敏度化的第1溶解抑制基、和同样地使所述图形形成材料低灵敏度化的第2溶解抑制基，该比例使得通过在所述图形形成材料中照射电子束，使其可溶于所述碱性溶液的碱性可溶部分的大小与在真空中的放置时间无关，基本上一定。
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公开(公告)号：CN1389902A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN02121780.7
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 伊藤正光
IPC: H01L21/027 , G03F1/00
Abstract: 提供有效的曝光掩模的制造方法、掩模基板信息生成方法、半导体装置的制造方法、掩模基板、曝光掩模及服务器,可以解决在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台后掩模基板的平整度恶化而引起晶片曝光装置制品成品率低的问题。包括对多个掩模基板的每一个,取得表示主面的表面形状及吸附到曝光装置的掩模台前后的主面的平整度;制备在吸附到曝光装置的掩模台之前后都具有平整度良好的表面形状的掩模基板;在此掩模基板上形成所希望的图形而生成曝光掩模。
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公开(公告)号：CN1952791A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610163352.4
申请日：2003-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/30 , Y10S438/906
Abstract: 本发明的目的是使图案的加工尺寸变成为均一而与图案的疏密无关。具体解决方案的特征在于包括：预先求出显影液中的抗蚀剂的溶解浓度和由上述显影液导致的抗蚀剂的溶解速度之间的关系的工序；根据上述关系预先估计上述抗蚀剂的溶解速度变成为所希望的速度或以上的抗蚀剂的溶解浓度的工序；在上述显影液中的抗蚀剂的溶解浓度在该估计溶解浓度或以下的状态下进行显影处理的工序。
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公开(公告)号：CN1264198C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN03147531.0
申请日：2003-07-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , G03F7/09
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 由基板；基板上选择性形成的半透明膜；以及半透明膜上选择性形成的遮光膜构成的光掩模，将基板、半透明膜和遮光膜各自的杨氏系数(MPa)设为E0、E1、E2，各自的厚度(m)设为d0、d1、d2，半透明膜和遮光膜在室温的各自内应力(MPa)设为s1和s2，在没有形成遮光膜的区域的半透明膜被覆率设为h，假设系数k1到k4分别为k1＝1.3×10-8，k2＝-9.5×10-2，k3＝6.0×10-7，k4＝-5.2×10-2，则满足：见式的条件。
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公开(公告)号：CN1264196C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN02121780.7
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 伊藤正光
IPC: H01L21/027 , G03F1/00
Abstract: 提供一种曝光掩模的制造方法及其应用，可以解决在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台后掩模基板的平整度恶化而引起晶片曝光装置制品成品率低的问题。该方法包括：对多个掩模基板的每一个，取得表示主面的表面形状及吸附到曝光装置的掩模台前后的主面的平整度；制备在吸附到曝光装置的掩模台之前后都具有平整度良好的表面形状的掩模基板；在此掩模基板上形成所希望的图形而生成曝光掩模。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1489000A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03156086.5
申请日：2003-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/26 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/30 , Y10S438/906
Abstract: 本发明的目的是使图案的加工尺寸变成为均一而与图案的疏密无关。具体解决方案的特征在于包括：预先求出显影液中的抗蚀剂的溶解浓度和由上述显影液导致的抗蚀剂的溶解速度之间的关系的工序；根据上述关系预先估计上述抗蚀剂的溶解速度变成为所希望的速度或以上的抗蚀剂的溶解浓度的工序；在上述显影液中的抗蚀剂的溶解浓度在该估计溶解浓度或以下的状态下进行显影处理的工序。
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公开(公告)号：CN103782365B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280043092.0
申请日：2012-06-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027
CPC classification number: B08B7/0028 , B08B7/0014 , G03F7/707 , G03F7/70925
Abstract: 本发明提供一种不需将装置的真空腔室内曝露在大气下、即能够简易进行该腔室内的掩模版吸盘的清洁、有助于提升装置的运转率的掩模版吸盘洁净器，其是用于清洁装置的掩模版吸盘的掩模版吸盘洁净器A，具备：贴附于掩模版吸盘的吸附区域的粘着剂层1；层叠于该粘着剂层1的支撑层2；及具有能够输送至掩模版吸盘的形状的基板3，支撑层2与基板3在部分粘着层4的接合区域41被部分地接合。
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公开(公告)号：CN1652022B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200510056072.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 伊藤正光
IPC: G03F1/38 , H01L21/027
Abstract: 提供一种模拟掩模基板的平整度的服务器系统，可以解决在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台后掩模基板的平整度恶化而引起晶片曝光装置制品成品率低的问题。该用于模拟掩模基板的平整度的装置，包括：取得有关掩模基板的主面的表面形状和平整度的第一信息的、测定基板的表面形状和平整度的单元；以及取得根据上述第一信息和与曝光装置的掩模吸盘结构有关的信息由模拟得到的把上述掩模基板设置于上述曝光装置时的、有关上述主面的平整度的第二信息的单元。
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