图象消去装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100349752C

    公开(公告)日:2007-11-21

    申请号:CN200510009132.1

    申请日:2005-02-03

    CPC classification number: B41J29/26

    Abstract: 提供一种可将在普通纸上形成的、由可消去的图象形成材料构成的图象良好地消去,发挥优异的再利用性和安全性的装置。本发明的图象消去装置,是使用可消去的图象形成材料,消去在被记录媒体上形成的图象的装置,该可消去的图象形成材料含有显色性化合物和显色剂及粘合剂树脂,具有以比上述粘合剂树脂的软化点低的温度,擦过上述被记录媒体上的机构,以及将上述被记录媒体的擦过面加热到比上述粘合剂树脂的软化点高的温度的机构。

    太阳能电池及太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN118591892A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202280089028.X

    申请日:2022-01-25

    Abstract: 实施方式的太阳能电池(1)具有第一太阳能电池面板(11)、第二太阳能电池面板(51)、第一密封层(84)、第二密封层(85)、第三密封层(86)和第一保护材料(81)。第一密封层(81)的厚度为50μm以上且400μm以下。第二密封层(85)的厚度为30μm以上且400μm以下。第三密封层(86)的厚度为50μm以上且400μm以下。第一保护材料(81)的厚度为25μm以上且200μm以下。在从第一太阳能电池面板(11)的受光面的法线方向观察时第一太阳能电池面板(11)和第二太阳能电池面板(51)重合的部位,太阳能电池(1)的厚度为350μm以上且1140μm以下。

    多层接合型光电转换元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN116548083A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202180070473.7

    申请日:2021-10-06

    Abstract: 本发明提供一种能以高效率发电、而且耐久性高的半导体元件。实施方式的多层接合型光电转换元件依次具备第一电极(101)、含有钙钛矿半导体的第一光活性层(103)、第一掺杂层(107)、含有硅的第二光活性层(108)、第二掺杂层(111)、钝化层(109)和第二电极(110)。而且,存在于所述第一光活性层(103)与第二光活性层(108)侧的邻接层之间的层间界面实质上为平滑面,所述多层接合型光电转换元件还进一步具备光散射层,所述光散射层贯通所述钝化层(109)的一部分而将所述第二掺杂层(111)和所述第二电极(110)电接合,且所述光散射层由相互离开的多个硅合金层(112)形成。该元件可采用包括在形成了含有第二活性层(108)的底部单元后,通过涂布形成第一光活性层(103)的方法来制造。

    太阳能电池模块
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116033771A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202211302212.6

    申请日:2022-10-24

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制发电性能的降低的太阳能电池模块。实施方式的太阳能电池模块具有被并排配置的第一太阳能电池元件及第二太阳能电池元件、连接部件和屏蔽部件。连接部件将第一太阳能电池元件的第一电极与第二太阳能电池元件的第二电极电连接。第一太阳能电池元件及第二太阳能电池元件具有包含钙钛矿型半导体的第一单元及包含硅的第二单元。第一电极配置在厚度方向上供第一单元配置的第一方向的端部。第二电极配置在厚度方向上供第二单元配置的第二方向的端部。屏蔽部件由电绝缘性材料构成,配置在第一太阳能电池元件的第一电极中的第二太阳能电池元件侧的端部与连接部件之间。

    图象消去装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1651260A

    公开(公告)日:2005-08-10

    申请号:CN200510009132.1

    申请日:2005-02-03

    CPC classification number: B41J29/26

    Abstract: 提供一种可将在普通纸上形成的、由可消去的图象形成材料构成的图象良好地消去,发挥优异的再利用性和安全性的装置。本发明的图象消去装置,是使用可消去的图象形成材料,消去在被记录媒体上形成的图象的装置,该可消去的图象形成材料含有显色性化合物和显色剂及粘合剂树脂,具有以比上述粘合剂树脂的软化点低的温度,擦过上述被记录媒体上的机构,以及将上述被记录媒体的擦过面加热到比上述粘合剂树脂的软化点高的温度的机构。

    多层接合型光电变换元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN114830365B

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202080006271.1

    申请日:2020-11-16

    Abstract: 本发明提供一种多层接合型光电变换元件及其制造方法。实施方式的多层接合型光电变换元件(100),依次具备:第一电极(101);包含钙钛矿半导体的第一光活性层(103);第一钝化层层(109);以及第二电极(112)。并且,所述多层接合型光电变换元件还具备光散射层,该光散射层贯通所述钝化层(106)的一部分,将所述第一光活性层(103)与所述第一掺杂层(108)电接合,且由相互分离的多个硅合金层(107)构成。该元件能够通过包括如下工序的方法来制造:在形成了包含第二光活性层(109)的底部单元之后通过涂布来形成第一光活性层(103)。(106);第一掺杂层(108);包含硅的第二光活性

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