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公开(公告)号：CN1770316B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200510109730.6
申请日：2005-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B2005/0002 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 自旋极化电子被注入其中的磁记录元件具有磁化方向由自旋极化电子根据该自旋极化电子的流动方向改变的层次，以及根据该磁化方向记录信息。磁记录元件包括其磁化方向由自旋极化电子的作用改变以及具有自旋极化度Pf的自由层FF。其磁化方向固定的固定层FP具有比自旋极化度Pf大的自旋极化度Pp。中间层设置于固定层和自由层之间，实质上由非磁性材料构成。
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公开(公告)号：CN101488554A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910007723.3
申请日：2007-02-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3932
Abstract: 本发明的磁阻效应元件的制造方法包括下列步骤：形成构造体，该构造体包括：包括磁化方向根据外部磁场而变化的磁化自由层、磁化方向固定于一个方向的磁化固定层、以及置于磁化自由层和磁化固定层之间的中间层的磁阻效应薄膜；置于磁阻效应薄膜的磁化固定层上的磁耦合层；置于磁耦合层上的铁磁层；置于铁磁层上的反铁磁层；在与磁阻效应薄膜的薄膜表面平行并与磁化固定层的磁化方向垂直的方向上对磁化自由层施加偏置磁场的偏置机构部；以及用以使电流在从磁化固定层至磁化自由层的方向上通过的一对电极；以及对磁化自由层赋予初始磁化方向，该初始磁化方向相对于磁化固定层的磁化方向的角度大于等于100°且小于160°。
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公开(公告)号：CN101097987A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710137982.9
申请日：2007-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11C16/16 , H01F10/3227 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 根据本发明的一个示例的磁性记录元件包括：磁性自由层(11)，该层的磁化随着流过薄膜的电流方向是可变的，并且该层的磁化的易磁化轴的方向与薄膜平面垂直；磁性被钉扎层(12)，该层的磁化被固定在与薄膜平面垂直的方向上；以及磁性自由层(11)和磁性被钉扎层(12)之间的非磁性阻挡层(13)。在磁性自由层(11)中，饱和磁化强度Ms(emu/cc)和各向异性磁场Han(Oe)之间的关系满足Han＞12.57Ms，以及Han＜1.2E7Ms-1+12.57Ms。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1254790C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN03108385.4
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/3263 , H01F10/329 , H01L27/228
Abstract: 提供一种固体磁性元件，其特征在于：具备，包含磁化方向被固定在第1方向上的第1铁磁性体的第1参照磁性部；包含磁化方向被固定在第2方向上的第2铁磁性体的第2参照磁性部；被设置在上述第1以及第2参照磁性部之间，包含第3铁磁性体的记录磁性部；被设置在上述第1参照磁性部和上述记录磁性部之间的磁区分断部；被设置在上述第2参照磁性部和上述记录磁性部之间的中间部，通过使写入电流在上述第1参照磁性部和上述记录磁性部之间流过，使上述第3铁磁性体的磁化方向与上述第1方向大致平行或者大致反平行，通过使读出电流在上述第2参照磁性部和上述记录磁性部之间流过，可以检测上述第3铁磁性体的磁化方向与上述第2方向的相对关系。
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公开(公告)号：CN1448946A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108383.8
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3263 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H03K19/168
Abstract: 提供一种小型、能进行逻辑处理的新的磁性体逻辑元件及将该元件阵列化了的磁性体逻辑元件阵列。该磁性体逻辑元件具有：至少两个以上的磁性层(HM、SM)；磁性层之间的中间单元；以及磁性层(SM)的磁化方向控制单元，将控制磁性层(SM)的磁化方向用的输入信号设为A、B两个以上，分别分配0、1，用输入信号A、B的组合，决定磁性层(SM)的磁化，将通过了中间单元的磁致电阻效应的大小作为输出信号C。
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公开(公告)号：CN101026222A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710085268.X
申请日：2007-02-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3932
Abstract: 本发明的磁阻效应元件包括：包括磁化自由层、磁化固定层、以及置于两者之间的中间层的磁阻效应薄膜；磁耦合层；铁磁层；反铁磁层；在与磁阻效应薄膜的薄膜表面几乎平行并与磁化固定层的磁化方向几乎垂直的方向上对磁化自由层施加偏置磁场的偏置机构部；以及用以使电流在从磁化固定层至磁化自由层的方向上通过的一对电极，且偏置点大于50％。
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公开(公告)号：CN1937074A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610139885.9
申请日：2006-09-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16 , H03K19/168
CPC classification number: H01F10/3268 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01L29/66984 , H01L43/08 , Y10S977/933
Abstract: 一种磁性元件包括：沟道层；与该沟道层接触的第一磁性电极；与该沟道层接触、并与第一磁性电极绝缘的第二磁性电极；与第一磁性电极邻接设置、并具有第一绝缘层的第一中间层；设置为与该第一中间层的与位于接触第一磁性电极的表面的相反侧的表面接触，以将磁化传递给第一磁性电极的第一磁性层；与第一磁性电极连接的第一电极；以及与第二磁性电极连接的第二电极，第一电极和第二电极中的至少一个输出随第一磁性电极和第二磁性电极的磁化配置变化的第一信号。
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公开(公告)号：CN1677558A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062839.9
申请日：2005-03-31
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据本发明的一方面，提供一种磁致电阻元件，包括：其中磁化方向通过自旋极化电子改变的自由层，该自由层具有被非磁性层分开的铁磁层，其中在铁磁层中，有非磁性层插入其间的两个相邻的铁磁层以反铁磁性的方式彼此耦合；在铁磁层中，其中磁化方向是第一方向的至少一个铁磁层的总的磁化强度的绝对值和其中磁化方向是与第一方向相反的第二方向的至少一个铁磁层的总的磁化强度的绝对值之间的差值等于或小于5×10－15emu；并且，与铁磁层的衬底平行的平面越远离该衬底，所述平面越小。
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