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公开(公告)号：CN1096090C
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN96101520.9
申请日：1996-01-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01F41/183
Abstract: 本发明可以在大面积的范围内控制各向异性，制造显示出高饱和磁通密度的软磁性薄膜，使其具有适于各种磁头的导磁率。其方法是在混有氮气的惰性气体保护气氛中，配设以铁或钴为主成分的溅射靶，同时，S极彼此并排的第二区域接着N极彼此并排的第一区域在一边排列着，如此排成一直线的磁体列被配设于靶表面的两侧，使一方的磁体列与另一方的磁体列以相反的极性相向。以靶为蒸发源的反应性溅射在陶瓷衬底17上堆积形成软磁性薄膜。
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公开(公告)号：CN1084907C
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN97120643.0
申请日：1997-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/23
CPC classification number: G11B5/1878 , G11B5/314 , G11B5/40 , Y10T428/115
Abstract: 一种磁头，包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜，并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分，其中T是Fe或Co；M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属；N是氮；x、y和z是原子百分比，保持在65≤x≤94，5≤y≤25，0≤z≤20和x+y+z＝100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分，氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。
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公开(公告)号：CN1147670A
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：CN96108296.8
申请日：1996-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 一种磁头，包括基底磁芯以及在该基底磁芯的两对边形成的磁合金薄膜，其薄膜内具有磁隙，磁合金薄膜由内部和外部组成，该内部位于磁隙的附近，并由用以下平均组分作为整个合金薄膜的一种合金组成，即TxMyNz，其中，T为Fe或Mo，M表示从Nb，Zr，Ta，Hf，Cr，W和Mo中选择的至少一种成分，N为氮，x，y，和z分别为原子百分数的一个值，确定65＜＝x＜＝94，5＜＝y＜＝25，0＜z＜＝20，使x+y+z＝100，其外部的氮含量高于内部的氮含量。
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公开(公告)号：CN1135084A
公开(公告)日：1996-11-06
申请号：CN96101520.9
申请日：1996-01-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01F41/183
Abstract: 本发明可以在大面积的范围内控制各向异性，制造显示出高饱和磁通密度的软磁性薄膜，使其具有适于各种磁头的导磁率。其方法是在混有氮气的惰性气体保护气氛中，配设以铁或钴为主成分的溅射靶，同时，S极彼此并排的第二区域接着N极彼此并排的第一区域在一边排列着，如此排成一直线的磁体列被配设于靶表面的两侧，使一方的磁体列与另一方的磁体列以相反的极性相向。以靶为蒸发源的反应性溅射在陶瓷衬底17上堆积形成软磁性薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1109512A
公开(公告)日：1995-10-04
申请号：CN94119300.4
申请日：1994-12-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3426 , H01J37/3408 , H01J37/3452
Abstract: 一种真空溅镀装置，使用由强磁性材料制成的矩形中间电极6进行溅镀。通过在中间电极6的表面侧沿其两侧边缘部的各侧边缘配置多个磁铁10，并使这些磁铁的相邻磁极的极性相反配置，同时夹着中间电极6相对的磁铁间的极性也相反配置，在靶板6的背面侧配置与中间电极6的表面侧所配置的磁铁具有同样极性关系的多个磁铁13，从而能在加工的基板表面形成均匀的薄膜。
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公开(公告)号：CN103806097A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310495624.0
申请日：2013-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及硅循环再利用系统及其方法。本发明的目的在于提供一种能够从在硅的切片加工中所排出的硅泥中对更多的硅量进行再利用，并能够形成以碳元素、氧元素为首的杂质少的硅的硅循环再利用系统及其方法。由从对硅锭进行切片加工时所产生的废液中回收硅泥的回收装置（S20）、对所述已回收的硅泥照射微波来进行加热的微波加热装置（S30）、将所述已加热的硅泥熔融并使其单方向凝固来形成硅锭的熔融/凝固装置（S40）构成。而且，通过按上述装置的顺序处理硅泥，能够对碳元素、氧元素等的杂质少的更多的硅量进行再利用。
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公开(公告)号：CN1062916C
公开(公告)日：2001-03-07
申请号：CN94106284.8
申请日：1994-06-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: 一种具有矩形平板靶(1)并配置磁铁(18)使磁力线(16)相对靶(1)表面平行通过的溅射电极，通过配置能使磁力线(16)方向作180度变更的构件(17)，在溅射中重复翻转磁路(15)的极性，使磁场与电场产生的电子螺旋运动(19)不只限于一个方向，从而能抵销等离子的不均匀性，提高所形成薄膜在衬底面内、分批操作间的膜厚及膜质的均匀性，提高靶的利用率，并能进行快速且有效的强磁体靶的溅射。
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公开(公告)号：CN1143690A
公开(公告)日：1997-02-26
申请号：CN96106823.X
申请日：1996-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3408
Abstract: 本发明溅射成膜装置，包括位于具有供气、排气功能的真空容器内的平板状矩形基板和分割配置在相互电气绝缘地位于平面内的三块以上矩形电极板上的靶，以及配置使与各靶相对应，在各靶表面上产生规定磁力线的磁铁，从而提供了能以面对面静止方式向大面积矩形基板上稳定、高速、均匀成膜的溅射成膜装置。
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公开(公告)号：CN1100151A
公开(公告)日：1995-03-15
申请号：CN94106284.8
申请日：1994-06-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: 一种具有矩形平板靶(1)并配置磁铁(18)使磁力线(16)相对靶(1)表面平行通过的溅射电极，通过配置能使磁力线(16)方向作180度变更的构件(17)，在溅射中重复翻转磁路(15)的极性，使磁场与电场产生的电子螺旋运动(19)不只限于一个方向，从而能抵消等离子的不均匀性，提高所形成薄膜在衬底面内、分批操作间的膜厚及膜质的均匀性，提高靶的利用率，并能进行快速且有效的强磁体靶的溅射。
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