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公开(公告)号：CN1180883A
公开(公告)日：1998-05-06
申请号：CN97120643.0
申请日：1997-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/1878 , G11B5/314 , G11B5/40 , Y10T428/115
Abstract: 一种磁头,包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜,并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分,其中T是Fe或Co;M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属;N是氮;x、y和z是原子百分比,保持在65≤x≤94,5≤y≤25,0≤z≤20和x+y+z=100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分,氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。
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公开(公告)号：CN1062916C
公开(公告)日：2001-03-07
申请号：CN94106284.8
申请日：1994-06-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: 一种具有矩形平板靶(1)并配置磁铁(18)使磁力线(16)相对靶(1)表面平行通过的溅射电极，通过配置能使磁力线(16)方向作180度变更的构件(17)，在溅射中重复翻转磁路(15)的极性，使磁场与电场产生的电子螺旋运动(19)不只限于一个方向，从而能抵销等离子的不均匀性，提高所形成薄膜在衬底面内、分批操作间的膜厚及膜质的均匀性，提高靶的利用率，并能进行快速且有效的强磁体靶的溅射。
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公开(公告)号：CN1096090C
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN96101520.9
申请日：1996-01-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01F41/183
Abstract: 本发明可以在大面积的范围内控制各向异性，制造显示出高饱和磁通密度的软磁性薄膜，使其具有适于各种磁头的导磁率。其方法是在混有氮气的惰性气体保护气氛中，配设以铁或钴为主成分的溅射靶，同时，S极彼此并排的第二区域接着N极彼此并排的第一区域在一边排列着，如此排成一直线的磁体列被配设于靶表面的两侧，使一方的磁体列与另一方的磁体列以相反的极性相向。以靶为蒸发源的反应性溅射在陶瓷衬底17上堆积形成软磁性薄膜。
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公开(公告)号：CN1084907C
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN97120643.0
申请日：1997-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/23
CPC classification number: G11B5/1878 , G11B5/314 , G11B5/40 , Y10T428/115
Abstract: 一种磁头，包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜，并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分，其中T是Fe或Co；M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属；N是氮；x、y和z是原子百分比，保持在65≤x≤94，5≤y≤25，0≤z≤20和x+y+z＝100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分，氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。
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公开(公告)号：CN1135084A
公开(公告)日：1996-11-06
申请号：CN96101520.9
申请日：1996-01-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01F41/183
Abstract: 本发明可以在大面积的范围内控制各向异性，制造显示出高饱和磁通密度的软磁性薄膜，使其具有适于各种磁头的导磁率。其方法是在混有氮气的惰性气体保护气氛中，配设以铁或钴为主成分的溅射靶，同时，S极彼此并排的第二区域接着N极彼此并排的第一区域在一边排列着，如此排成一直线的磁体列被配设于靶表面的两侧，使一方的磁体列与另一方的磁体列以相反的极性相向。以靶为蒸发源的反应性溅射在陶瓷衬底17上堆积形成软磁性薄膜。
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