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公开(公告)号：CN101436534B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810182659.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种制作器件的方法以及采用该方法形成的己加工材料。一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。
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公开(公告)号：CN101436534A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810182659.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种制作器件的方法以及采用该方法形成的已加工材料。一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。
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公开(公告)号：CN100470727C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200480027712.7
申请日：2004-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明实现杂质引入而不引起基板温度上升。杂质引入步骤期间形成的晶格缺陷的物理性质被光学测量和控制从而它们对于后续步骤变得最优。杂质引入方法包括：引入杂质到固态基体的表面中的步骤；测量杂质被引入的区域的光学特性的步骤；根据所测量的杂质引入区域的光学特性确定退火条件的步骤；以及在如此确定的退火条件下退火该杂质引入区域的步骤。
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公开(公告)号：CN101151709A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010228.2
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412 , H01J37/32458 , H01J37/32623 , H01J37/32633
Abstract: 本发明的目的是提供在导入到样品的表面的杂质的浓度均匀性方面优秀的等离子掺杂方法，和能均匀地进行样品的等离子处理的等离子处理装置。在根据本发明的等离子掺杂装置中，用作为排放装置的涡轮分子泵(3)经由排气口11将真空室(1)抽空，同时从气体供应装置(2)导入预定的气体，以使用调压阀(4)使真空室(1)的内部保持预定的压力。13.56MHz的高频电由高频电源(5)供应到线圈(8)，以在真空室(1)内产生感应耦合等离子体，所述线圈设置在与样品电极(6)相对的介电窗(7)的附近。将高频电供应到样品电极(6)的高频电源(10)被设置。通过驱动活门(18)和盖住贯通门(16)，处理的均匀性得到增强。
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公开(公告)号：CN101151707A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010324.7
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67167 , H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 本发明的目的是当将导入固体试样中的杂质彼此混合时，防止最初期望的功能未展现，并且高精度地执行等离子体掺杂。为了区别可以混合的杂质和不应混合的杂质，首先区别核心的杂质导入机构。为了避免非常少量的杂质混合物，专门使用用于传送将处理的半导体衬底的机构和用于去除将形成在半导体衬底上的树脂材料的机构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101053066A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580037487.X
申请日：2005-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/68735 , H01J37/32642 , H01L21/2236 , H01L21/67069
Abstract: 一种能够提高晶态到非晶态转变的均匀性的等离子体处理方法和设备。当将预定的气体通过进气孔(11)从气体供应设备(2)引入到真空容器(1)中时，通过排气孔(12)由作为排气设备的涡轮分子泵(3)排出，且该真空容器(1)中的压力由压力调节阀(4)保持在预定值。将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)提供到接近电介质窗(7)设置的线圈(8)上，该电介质窗(7)与样品电极(6)相对，且感应耦合等离子体在真空容器(1)中生成。向样品电极(6)提供高频功率的高频电源(10)被提供，并作为控制样品电极(6)的电势的电压源。通过涉及样品电极(6)的结构，硅晶片(9)的表面中晶体层被均匀地转变为非晶态。
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公开(公告)号：CN1993818A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026461.5
申请日：2005-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/268 , H01L21/28061 , H01L29/66575
Abstract: 提供了一种用于制造高精度的精细晶体管的方法，该晶体管在其中引入杂质的区域中具有源极/漏极区(310、320)。该方法包括在半导体衬底的前面上形成栅电极(340)的步骤，引入杂质从而夹置栅电极(340)的步骤，和激活杂质的步骤。引入杂质的步骤包括等离子体辐射步骤，且在激活步骤之前，形成反射防止膜(400)的步骤被包括从而在其中引入杂质的区域具有小的光反射率。
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公开(公告)号：CN1741251A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510092358.2
申请日：2005-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/223
Abstract: 一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器(1)、设于容器(1)内的试料台(2)、与试料台(2)相对设置的窗口(3)、隔着窗口(3)与试料台(2)相对的作为紫外线光源的五个Xe灯(4)。在试料台(2)上载置作为试料的硅基板(5)，从Xe灯(4)发出的紫外线照射硅基板(5)的表面，则硅基板(5)的表面附近的结晶结构被破坏，而进行非晶质化。然后，在已非晶质化的基板表面上施加离子供给处理、活性化处理，由此，能够在基板表面极浅地导入杂质。
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公开(公告)号：CN101053066B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200580037487.X
申请日：2005-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/68735 , H01J37/32642 , H01L21/2236 , H01L21/67069
Abstract: 一种能够提高晶态到非晶态转变的均匀性的等离子体处理方法和设备。当将预定的气体通过进气孔(11)从气体供应设备(2)引入到真空容器(1)中时，通过排气孔(12)由作为排气设备的涡轮分子泵(3)排出，且该真空容器(1)中的压力由压力调节阀(4)保持在预定值。将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)提供到接近电介质窗(7)设置的线圈(8)上，该电介质窗(7)与样品电极(6)相对，且感应耦合等离子体在真空容器(1)中生成。向样品电极(6)提供高频功率的高频电源(10)被提供，并作为控制样品电极(6)的电势的电压源。通过涉及样品电极(6)的结构，硅晶片(9)的表面中晶体层被均匀地转变为非晶态。
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公开(公告)号：CN101156503A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680011123.9
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/00 , H01L21/302 , H01L21/205 , H05H1/46 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/321 , H01J37/32412
Abstract: 提出能够精确监控进入样品表面的离子电流的等离子体处理方法和系统。当从气体供应单元(2)引入预定字体时，通过涡轮高真空泵(3)通过出口(11)排除真空容器(1)，且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)中保持预定压力级。通过从等离子体源的高频电源(5)向在介电窗(7)附近提供的线圈(8)供应高频功率，来生成感应耦合等离子体。提供用于向样品电极(6)供应高频功率的样品电极的高频电源(10)，且在样品电极的高频电源(10)和样品电极(6)之间提供样品电极的匹配电路(13)和高频传感器(14)。从而能够使用高频传感器(14)和算术单元(15)来精确地监控进入样品表面的离子电流。
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