公开(公告)号：CN101151707B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200680010324.7

申请日：2006-03-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  中山一郎 ,  佐佐木雄一朗 ,  奥村智洋 ,  金成国 ,  伊藤裕之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明的目的是当将导入固体试样中的杂质彼此混合时，防止最初期望的功能未展现，并且高精度地执行等离子体掺杂。为了区别可以混合的杂质和不应混合的杂质，首先区别核心的杂质导入机构。为了避免非常少量的杂质混合物，专门使用用于传送将处理的半导体衬底的机构和用于去除将形成在半导体衬底上的树脂材料的机构。

公开(公告)号：CN101151715A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010338.9

申请日：2006-03-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金成国 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/2236 ,  H01L22/12

Abstract: 一种实现高产量的灰化设备和方法，其中抗蚀剂的表面硬化层和内部非硬化层之间的界面以及非硬化层和半导体基板之间的界面可以被探测，以及一种杂质掺入设备组。等离子体灰化形成在抗蚀剂上的表面硬化层和内部非硬化层的该灰化设备，该抗蚀剂作为掩模涂覆在半导体基板上并且掺有杂质，其特征在于包括偏振光椭圆计，用于在等离子体灰化时使线偏振光入射到半导体基板来探测该半导体基板反射的椭圆偏振光，来探测该硬化层和该非硬化层之间的界面以及该非硬化层和该半导体基板之间的界面。

公开(公告)号：CN100555574C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200510092358.2

申请日：2005-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  金成国 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  前嶋聪 ,  中山一郎 ,  水野文二

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/223

Abstract: 一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器(1)、设于容器(1)内的试料台(2)、与试料台(2)相对设置的窗口(3)、隔着窗口(3)与试料台(2)相对的作为紫外线光源的五个Xe灯(4)。在试料台(2)上载置作为试料的硅基板(5)，从Xe灯(4)发出的紫外线照射硅基板(5)的表面，则硅基板(5)的表面附近的结晶结构被破坏，而进行非晶质化。然后，在已非晶质化的基板表面上施加离子供给处理、活性化处理，由此，能够在基板表面极浅地导入杂质。

公开(公告)号：CN100517573C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200580018635.3

申请日：2005-05-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金成国 ,  佐佐木雄一朗 ,  水野文二 ,  冈下胜己 ,  伊藤裕之 ,  奥村智洋 ,  前嶋聪 ,  中山一郎

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/0276

Abstract: 一种掺入杂质的方法包括：通过等离子体掺入方法将杂质引入固态基体，以形成杂质掺入区域的步骤；在该固态基体上形成起着降低光反射的功能的抗光反射膜的步骤；测量杂质掺入区域的光学特性和厚度的步骤；基于所述测量的光学特性和厚度选择所述抗光反射层的步骤；以及通过光辐射执行退火的步骤。降低了退火时辐射光的反射率，有效地将能量引入杂质掺入层中，改善了激活效率，在防止扩散的同时降低杂质掺入层的薄层电阻。

公开(公告)号：CN100511599C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200680010338.9

申请日：2006-03-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金成国 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/2236 ,  H01L22/12

Abstract: 一种实现高产量的灰化设备和方法，其中抗蚀剂的表面硬化层和内部非硬化层之间的界面以及非硬化层和半导体基板之间的界面可以被探测，以及一种杂质掺入设备组。等离子体灰化形成在抗蚀剂上的表面硬化层和内部非硬化层的该灰化设备，该抗蚀剂作为掩模涂覆在半导体基板上并且掺有杂质，其特征在于包括偏振光椭圆计，用于在等离子体灰化时使线偏振光入射到半导体基板来探测该半导体基板反射的椭圆偏振光，来探测该硬化层和该非硬化层之间的界面以及该非硬化层和该半导体基板之间的界面。

公开(公告)号：CN100454491C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200480029733.2

申请日：2004-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  金成国 ,  水野文二

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/268

Abstract: 一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。

公开(公告)号：CN1868035A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480029733.2

申请日：2004-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  金成国 ,  水野文二

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/268

Abstract: 一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。

公开(公告)号：CN100539029C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200680010228.2

申请日：2006-03-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  伊藤裕之 ,  中山一郎 ,  金成国

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明的目的是提供在导入到样品的表面的杂质的浓度均匀性方面优秀的等离子掺杂方法，和能均匀地进行样品的等离子处理的等离子处理装置。在根据本发明的等离子掺杂装置中，用作为排放装置的涡轮分子泵(3)经由排气口(11)将真空室(1)抽空，同时从气体供应装置(2)导入预定的气体，以使用调压阀(4)使真空室(1)的内部保持预定的压力。13.56MHz的高频电由高频电源(5)供应到线圈(8)，以在真空室(1)内产生感应耦合等离子体，所述线圈设置在与样品电极(6)相对的介电窗(7)的附近。将高频电供应到样品电极(6)的高频电源(10)被设置。通过驱动活门(18)和盖住贯通门(16)，处理的均匀性得到增强。

公开(公告)号：CN100437912C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200480024667.X

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  水野文二 ,  伊藤裕之 ,  金成国 ,  田村秀贵 ,  中山一郎 ,  奥村智洋 ,  前嶋聪

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基极等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。

公开(公告)号：CN1856864A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200480027712.7

申请日：2004-09-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金成国 ,  佐佐木雄一朗 ,  水野文二

IPC: H01L21/265

Abstract: 本发明实现杂质引入而不引起基板温度上升。杂质引入步骤期间形成的晶格缺陷的物理性质被光学测量和控制从而它们对于后续步骤变得最优。杂质引入方法包括：引入杂质到固态基体的表面中的步骤；测量杂质被引入的区域的光学特性的步骤；根据所测量的杂质引入区域的光学特性确定退火条件的步骤；以及在如此确定的退火条件下退火该杂质引入区域的步骤。