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公开(公告)号：CN100495205C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510118182.3
申请日：2003-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041
Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。
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公开(公告)号：CN100456421C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200510009041.8
申请日：2005-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11 , Y10S430/119 , Y10S430/123
Abstract: 本发明公开了一种阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法。在衬底101上形成由化学放大型抗蚀剂形成的抗蚀膜102。接着，在抗蚀膜102上形成防止抗蚀膜中的成份溶解到液体浸渍用液体中，或防止液体浸渍用液体浸透到抗蚀膜102中的阻挡膜103。之后，在将液体浸渍用液体104供到阻挡膜103上的状态下，隔着阻挡膜103用曝光光105选择性地照射抗蚀膜102，进行图案曝光。接着，去掉阻挡膜103之后，再对已图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理。从而形成由抗蚀膜102构成的抗蚀图案102a。
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公开(公告)号：CN1746774A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510099184.2
申请日：2005-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70733 , G03F7/70866 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的曝光装置，具有曝光部，其配置在容器(30)中，在将浸液用液体(42)配置于在晶片(40)上成膜的抗蚀膜上的状态下，通过掩膜(41)对抗蚀膜照射曝光光。另外，还具有使已被曝光的抗蚀膜的表面干燥的干燥部。因此，本发明能够防止由在浸液光刻法中使用的液体的残留所引起的抗蚀膜的改性，可以得到具有良好形状的微细化图形。
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公开(公告)号：CN1707757A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510074290.5
申请日：2005-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/2041 , G03F7/70891
Abstract: 一种半导体制造装置及图案形成方法，为得到由液体浸泡平板印刷制造的好的抗蚀膜的形状。由液体浸泡平板印刷的图案形成方法，在晶片(101)上形成抗蚀膜(102)，接下来，在形成的抗蚀膜(102)上填充了不饱和脂肪酸，例如包含三油酸甘油脂的葵花油或者橄榄油等的液体(103)的状态下，对抗蚀膜(102)进行有选择地照射曝光光线(104)来完成图案曝光。其后，对进行了图案曝光的抗蚀膜(102)进行显像，由抗蚀膜(102)形成抗蚀图案(102a)。
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公开(公告)号：CN1702551A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073033.X
申请日：2005-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种包含基础聚合物的抗蚀材料，其中基础聚合物中含有的化合物包含由以化学式1的通式所表示的第一单元和以化学式2的通式所表示的第二单元形成的共聚物，其中R1、R2、R3、R7和R8相同或者不同，为氢原子、氟原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基；R4是碳原子数为0～20的直链亚烷基、或者支链或环状亚烷基；R5和R6相同或者不同，为氢原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、氟代烷基、或者由酸脱离出来的保护基；R9为氟原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基。
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公开(公告)号：CN1702550A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510072000.3
申请日：2005-05-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种包含基础聚合物的抗蚀材料，其中基础聚合物中含有的化合物具有以化学式1的通式所表示的单元，其中R1、R2及R3相同或者不同，为氢原子、氟原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基；R4为碳原子数为0～20的直链亚烷基、或者支链或环状亚烷基；R5为氢原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、氟代烷基、或者由酸脱离出来的保护基；R6为含环酯化合物的基团、含有含羟基的脂环化合物的基团或者含有含六氟异丙醇的化合物的基团。
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公开(公告)号：CN1700416A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510064543.0
申请日：2005-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置，包括一液体供应部件，用以供应待施加到平台上的液体，该平台上置有带抗蚀膜的基底；一曝光部件，用以使曝光光线穿过遮光框照射平台上的抗蚀膜，该抗蚀膜上施加有液体；一电离防止部件，用以防止所述液体的电离。
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公开(公告)号：CN1661776A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510009041.8
申请日：2005-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11 , Y10S430/119 , Y10S430/123
Abstract: 本发明公开了一种阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法。在衬底101上形成由化学放大型抗蚀剂形成的抗蚀膜102。接着，在抗蚀膜102上形成防止抗蚀膜中的成分溶解到液体浸渍用液体中，或防止液体浸渍用液体浸透到抗蚀膜102中的阻挡膜103。之后，在将液体浸渍用液体104供到阻挡膜103上的状态下，隔着阻挡膜103用曝光光105选择性地照射抗蚀膜102，进行图案曝光。接着，去掉阻挡膜103之后，再对已图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理。从而形成由抗蚀膜102构成的抗蚀图案102a。
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公开(公告)号：CN1619416A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410097946.0
申请日：2001-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 株式会社PD服务
Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。本发明的制造方法包含以下工程：(a)准备具有开口的热吸收用掩膜的工程；(b)将图形用掩膜用基片配置到所述热吸收用掩膜的下方的工程；(c)在所述图形用掩膜用基片的下面上堆积感光胶的工程；(d)用所述热吸收用掩膜作掩膜，用能透过所述图形用掩膜用基片的放射线照射所述感光胶使所述感光胶图形化的工程；(e)用所述感光胶作掩膜，由刻蚀所述图形用掩膜用基片形成具有开口的图形用掩膜的工程。
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公开(公告)号：CN1611490A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410076928.4
申请日：2004-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C07C311/01 , C08F28/00 , G03F7/00
CPC classification number: C08F220/18 , C08F212/02 , C08F228/02 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/107 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: 本发明能够提供一种对波长小于等于300nm带的曝光光的透过性优良、衬底密接性、显像溶解性优良的抗蚀材料。抗蚀材料的基础树脂含有由[化学式1]这样的通式所表示的单元。R1、R2及R3相同或者不同，为氢原子、氟原子、碳原子数大于等于1且小于等于20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基；R4为碳原子数大于等于0且小于等于20的直链亚烷基、或者支链或环状亚烷基；R5、R6相同或者不同，为氢原子、碳原子数大于等于1且小于等于20的直链烷基、支链或环烷基、氟代烷基、或者由酸脱离出来的保护基。
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