公开(公告)号：CN100440462C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410104963.2

申请日：2004-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 庭山雅彦 ,  米田健司 ,  高桥一马

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/045 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在半导体晶片(11)上，通过栅极绝缘膜(14A)形成栅电极(15A)后，再在栅电极(15A)的侧面形成第1侧壁(16A)。以栅电极(15A)及第1侧壁(16A)为掩模，使用批处理式离子注入装置，注入第1导电性的杂质离子，从而形成扩散区(17)。在形成扩散区(17)之际，将杂质离子的注入方向设定成垂直于半导体晶片(11)，并且分作4次进行离子注入，在每次的离子注入时，使半导体晶片(11)旋转90°。能够在形成与源极扩散区及漏极扩散区连接的低浓度的扩展区之际，以令人满意的合格率形成对栅电极而言对称性良好的扩展区。

公开(公告)号：CN1316561C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410094934.2

申请日：2004-11-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 河崎泰宏 ,  米田健司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0209 ,  H01L29/66575

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，其中，在形成用于侧壁或衬垫的BTBAS-SiN膜和用作偏移隔离层的氧化物膜的同时在半导体衬底背面侧上形成的BTBAS-SiN膜和氧化物膜完全被去除，从而使半导体衬底的背面暴露；在半导体衬底的背面被暴露后，利用静电吸盘或真空吸盘作为晶片装卸器在处理或传送半导体衬底的过程中对半导体衬底进行装卸。

公开(公告)号：CN1630028A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410094934.2

申请日：2004-11-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 河崎泰宏 ,  米田健司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0209 ,  H01L29/66575

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，其中，在形成用于侧壁或衬垫的BTBAS－SiN膜和用作偏移隔离层的氧化物膜的同时在半导体衬底背面侧上形成的BTBAS－SiN膜和氧化物膜完全被去除，从而使半导体衬底的背面暴露；在半导体衬底的背面被暴露后，利用静电吸盘或真空吸盘作为晶片装卸器在处理或传送半导体衬底的过程中对半导体衬底进行装卸。

公开(公告)号：CN1577770A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410059242.4

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 米田健司

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3225 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。是以在不得不缩小精细化了的热预算的制造工序中，形成覆盖硅晶片防止金属污染的除气点，以及在形成的除气点确实可以捕获金属杂质为目的。作为对硅半导体衬底进行最初的热处理，即进行了作为第1热处理的650℃～750℃的温度下持续30分钟～240分钟的热处理，其后的第2热处理的900℃～1100℃的温度下持续30分钟～120分钟的热处理。还有，作使第3次热处理，在形成栅极绝缘膜之前,进行升温温度为8℃/min加热到1000℃的,在1000℃的加热温度下持续30分钟的热处理。

公开(公告)号：CN1476061A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03178460.7

申请日：2003-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 庭山雅彦 ,  米田健司

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/2686

Abstract: 本发明的目的，是提供一种为取得快速热成法(RTP)温度控制性的提高，又可廉价降低晶片表面内的温度偏差的半导体装置的制造方法。其解决的方法是，在半导体衬底上照射灯光进行加热的工序中，在半导体衬底中事先设置好吸收所照射的灯光的自由载流子吸收层。由此，快速热成法(RTP)温度控制性就可以提高，还不只低温区域，工序温度区域的衬底温度的偏差也可以廉价地降低，要求热处理的高精度要求半导体装置的特性在不被降低就可以进行制造。