公开(公告)号：CN1316561C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410094934.2

申请日：2004-11-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 河崎泰宏 ,  米田健司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0209 ,  H01L29/66575

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，其中，在形成用于侧壁或衬垫的BTBAS-SiN膜和用作偏移隔离层的氧化物膜的同时在半导体衬底背面侧上形成的BTBAS-SiN膜和氧化物膜完全被去除，从而使半导体衬底的背面暴露；在半导体衬底的背面被暴露后，利用静电吸盘或真空吸盘作为晶片装卸器在处理或传送半导体衬底的过程中对半导体衬底进行装卸。

公开(公告)号：CN1630028A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410094934.2

申请日：2004-11-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 河崎泰宏 ,  米田健司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0209 ,  H01L29/66575

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，其中，在形成用于侧壁或衬垫的BTBAS－SiN膜和用作偏移隔离层的氧化物膜的同时在半导体衬底背面侧上形成的BTBAS－SiN膜和氧化物膜完全被去除，从而使半导体衬底的背面暴露；在半导体衬底的背面被暴露后，利用静电吸盘或真空吸盘作为晶片装卸器在处理或传送半导体衬底的过程中对半导体衬底进行装卸。