公开(公告)号：CN101145391A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710152706.X

申请日：2007-09-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松野则昭 ,  井上敦雄

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/04

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种强电介质存储装置，用强电介质存储元件(1)来记忆数据，包括：温度传感器(2)，检测该强电介质存储装置的温度；控制部(4)，输出控制信号，该控制信号指定电压，该电压随着由温度传感器(2)检测的温度的降低而增加；以及电压发生部(3)，发生由来自控制部(4)的控制信号指定的电压，并向强电介质存储元件(1)提供发生后的电压。据此，可以提供一种强电介质存储装置，通过采用较简单的结构，从而可以对出货后受到的热应力的影响进行恢复，即，为了保持所述数据对极化量的降低或压印恶化进行恢复。

公开(公告)号：CN1822368A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008260.9

申请日：2006-02-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松野则昭

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/52 ,  H01L21/822 ,  G06F21/00

CPC classification number: H01L23/576 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，对利用从背面进行的FIB加工等实施的不正当解析手段具有极高的抗篡改性。该半导体器件具有多层布线结构，使用上层的布线层配置即使被解析也不会造成麻烦的信号布线，使得其遮盖下层的布线层，重要的布线配置在下层的布线层。另外，遮盖扩散分离层地在最下层的金属布线层，以制造上允许的微细布线节距进行布线，为了通过从背面进行的FIB加工到达要解析的目标布线，就必须切断防御布线。还包括使某种信号、或者电压或电流流过防御布线，监视防御布线的电特性，在捕捉到由于对防御布线的剥离、切断、篡改而造成电特性和物理特性的变化时，清除半导体器件内的机密信息、或者将半导体器件转换为固定模式的装置。

公开(公告)号：CN1627505A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410010478.9

申请日：2004-11-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松野则昭

IPC: H01L21/8246 ,  H01L23/485 ,  H01L21/301 ,  G06K19/07

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L23/576 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

Abstract: 当划片区域2切断的时候，切割检测器53发送检测信号A给转换电路51并电关断焊点50以及检查目标电路52，然后由检测器55监控从转换电路51到检查目标电路52的输入和输出通路54的固定电位。在同一时间，检查目标电路52被转变到一种模式，其中检测信号A拒绝了检查模式的命令接收。在获取了输入和输出通路54的固定电位的异常的情况下，检查目标电路52就转变进入该安全模式。

公开(公告)号：CN101373758B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200810166690.2

申请日：2004-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松野则昭 ,  角田真人 ,  和田博文

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/522 ,  G06F17/50 ,  G06F21/00 ,  G06K19/073

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种屏蔽布线的布线构造，是在路径端部折回并连接起来的多条屏蔽布线，多条屏蔽布线的每一条，都与多条屏蔽布线中的与自身路径不同的路径的屏蔽布线相邻，多条屏蔽布线是通过配置多个基本单元而形成的，基本单元中配置的多条布线的路径互不相交，基本单元中，多条布线的路径与半导体芯片的某一边构成90度，基本单元内的多条布线的路径的一端和另一端，分别配置在基本单元相对的2边，使备好的多个基本单元中的一个基本单元的多条布线的一端或另一端，连接备好的多个基本单元中的另一个基本单元的多条布线的一端或另一端，来实施基本单元的配置，形成所述屏蔽布线，由端部单元将屏蔽布线的布线路径端部折回并连接。

公开(公告)号：CN101373758A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810166690.2

申请日：2004-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松野则昭 ,  角田真人 ,  和田博文

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/522 ,  G06F17/50 ,  G06F21/00 ,  G06K19/073

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种屏蔽布线的布线构造，在路径端部折回并连接起来，多条屏蔽布线的每一条，与多条屏蔽布线中的自身路径不同的路径的屏蔽布线相邻。

公开(公告)号：CN101276227A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810084546.4

申请日：2008-03-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上敦雄 ,  松野则昭

IPC: G05F3/16

Abstract: 本发明提供了一种基准电流电路，即使在使用具有非常低温度依存性的电阻的电阻器的情形下也能够降低基准电流的温度依存性。该基准电流电路包括：接收温度补偿的基准电压VBG并且在输出点处产生电压Vout1的非反相放大器电路110；电流源电路120，由通过电阻器连接到输出点的晶体管Q1和接收等于在Q1的端子间产生的电压VBE1的电压并且产生相应的电流的晶体管Q2。电路110(i)包括第三晶体管Q3，在它的端子间产生的电压VBE3具有与VBE1相同的温度特性，以及(ii)被构造为使得Vout1是(a)基于基准电压VBG的温度补偿电压成分和(b)等于电压VBE3的电压成分之和。

公开(公告)号：CN1703775A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN03825520.0

申请日：2003-07-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤理惠 ,  松野则昭 ,  角田真人

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L21/3205 ,  G06F1/04

CPC classification number: H01L23/576 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体集成电路装置(10)，由LSI功能部(11)和在其上形成的屏蔽布线层(22)构成。LSI功能部(11)，由半导体基板(12)和第1绝缘膜(13)构成，在半导体基板(12)上，例如形成包含MOS晶体管(14)的多个电路元件。屏蔽布线层(22)，由在第2绝缘膜(17)上依次形成的下部屏蔽布线(23)、第3绝缘膜(24)、上部屏蔽布线(25)及第4绝缘膜(26)构成。下部屏蔽布线(23)和上部屏蔽布线(25)各自被配置的配置方向，互相正交。