公开(公告)号：CN100382261C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN00809896.4

申请日：2000-06-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 成田正力 ,  坪井保孝 ,  池谷雅彦 ,  前贵晴 ,  金山真司

IPC: H01L21/60 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L21/67144 ,  H01L21/67138

Abstract: 本发明的目的是提供可以防止对电荷发生半导体基板(201、202)的热电破坏及物理破损的凸起形成装置(101、501)、利用该凸起形成装置实施的电荷发生半导体基板的除静电方法、电荷发生半导体基板用除静电装置、及电荷发生半导体基板。采用以下所述构成：即，至少在向晶片(202)焊接凸起后冷却该晶片时，使该晶片直接接触后热装置(170)，除去由于该冷却而蓄积在该晶片中的电荷，或者，通过可在非接触状态下除去静电的温度下降控制来除去静电。因此，与以往相比可以降低所述晶片的带电量，所以，可以防止所述晶片的热电破坏，而且可以防止晶片自身的断裂等损伤的发生。

公开(公告)号：CN1222026C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN01812387.2

申请日：2001-06-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 成田正力 ,  吉田幸一 ,  池谷雅彦 ,  前贵晴 ,  金山真司 ,  今西诚 ,  东和司 ,  福本健治 ,  和田浩

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/742 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/67248 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/351 ,  Y10T29/4921 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。

公开(公告)号：CN1155068C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99807558.2

申请日：1999-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今西诚 ,  成田正力 ,  池谷雅彦 ,  金山真司 ,  前贵晴

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/67288 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/67248 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在半导体片上形成凸点时，进行与现有的不同的温度控制的凸点形成装置以及在该凸点形成装置中所实行凸点形成方法。包括焊接台(110)、移载装置(140)以及控制装置(180)，在凸点形成后，根据上述控制装置的控制在上述焊接台的上方放置由上述移载装置所支撑的凸点形成后片(202)，控制该片的温度下降。因此，即使是对温度变化敏感的化合物半导体片也能防止由热应力引起的龟裂等不良现象的发生。

公开(公告)号：CN1324496A

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：CN99812718.3

申请日：1999-10-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今西诚 ,  米泽隆弘 ,  金山真司 ,  片野良一郎 ,  前贵晴

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L21/68 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种加工装置包括:具有为固定被吸附的电子部件(1)的位置的吸附孔(C12)、把电子部件作位置调整时吸附电子部件的位置调整用吸附孔(C11)的平台(5)、确定此平台上的电子部件的位置的位置调整爪(7)、可以控制对该平台上的电子部件作位置调整时的位置调整吸附力的位置调整吸附力控制部(22、1100)。