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公开(公告)号：CN1838435A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610065381.7
申请日：2006-03-23
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/7722 , Y10S438/931
Abstract: 结型半导体装置及其制造方法。本发明的结型半导体装置具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区(11)；由形成于半导体晶体的另一面上的第一导电型的低电阻层构成的源区(12)；形成于源区(12)周围的第二导电型的栅区(13)；以及源区(12)和漏区(11)之间的第一导电型的高电阻层(14)。在栅区(13)和源区(12)之间的半导体晶体的表面附近设有第二导电型的复合抑制半导体层(16)。
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公开(公告)号：CN1747309A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510099264.8
申请日：2005-09-08
Applicant: 富士电机电子技术株式会社 , 夏普株式会社 , 本田技研工业株式会社
IPC: H02M7/5387
CPC classification number: H02P27/06 , B60L3/003 , B60L2210/20 , H02M7/003 , Y02T10/725
Abstract: 逆变器单元、集成电路芯片以及车辆驱动装置。提供了一种可小型化的、低成本高可靠性的逆变器单元。将控制电路部分、第一驱动与异常检测电路部分及第二驱动与异常检测电路部分形成SOI基板上，作为一个集成电路芯片，该控制电路部分用于控制包括在逆变器电路部分中的高击穿电压半导体元件的操作定时，该第一驱动与异常检测电路部分以及第二驱动与异常检测电路部分用于输出根据操作定时来驱动高击穿电压半导体元件的驱动信号并向控制电路部分反馈逆变器电路部分的异常。在该集成电路芯片上，通过电介质使基准电势不同的电路形成区彼此分隔开。形成有多个电平切换器，用于发送在通过电介质分隔开的电路形成区之间交换的信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100511954C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510099264.8
申请日：2005-09-08
Applicant: 富士电机电子技术株式会社 , 夏普株式会社 , 本田技研工业株式会社
IPC: H02M7/5387
CPC classification number: H02P27/06 , B60L3/003 , B60L2210/20 , H02M7/003 , Y02T10/725
Abstract: 逆变器单元、集成电路芯片以及车辆驱动装置。提供了一种可小型化的、低成本高可靠性的逆变器单元。将控制电路部分、第一驱动与异常检测电路部分及第二驱动与异常检测电路部分形成SOI基板上，作为一个集成电路芯片，该控制电路部分用于控制包括在逆变器电路部分中的高击穿电压半导体元件的操作定时，该第一驱动与异常检测电路部分以及第二驱动与异常检测电路部分用于输出根据操作定时来驱动高击穿电压半导体元件的驱动信号并向控制电路部分反馈逆变器电路部分的异常。在该集成电路芯片上，通过电介质使基准电势不同的电路形成区彼此分隔开。形成有多个电平切换器，用于发送在通过电介质分隔开的电路形成区之间交换的信号。
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公开(公告)号：CN100544023C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200680021188.1
申请日：2006-06-09
Applicant: 本田技研工业株式会社
Inventor： 野中贤一
IPC: H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/732 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/73 , H01L29/0607 , H01L29/0804 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/732
Abstract: 本发明提供一种双极半导体器件及其制造方法。一种半导体晶体包括布置在基极接触区(16)与发射极区(14)之间的表面的附近的具有第二导电类型的复合抑制半导体层(17)，并且该复合抑制半导体层(17)将具有大量表面状态的半导体表面与主要传导空穴电流的部分和电子电流的部分分离。抑制了复合，从而增大了电流放大因子并降低了导通电压。
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公开(公告)号：CN101443910A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780017224.1
申请日：2007-04-25
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/373
CPC classification number: H01L23/057 , H01L23/3735 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/16195 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H05K1/0271 , H05K1/0306 , H05K3/0061 , H05K3/38 , H05K2201/0355 , H05K2201/068 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块(10)，所述功率半导体模块(10)具有集成电路板(11)，所述集成电路板(11)具有被接合的金属基板电极(14)、绝缘基板(15)和散热片(12)。碳化硅半导体功率器件(13)接合到电路板的金属基板电极的顶部。在从室温到接合时间温度的温度范围内，电路板的多个组成材料之间的平均热膨胀系数差为2.0ppm/℃或更小，并且由操作温度和接合温度之间的差产生的电路板的组成材料之间的膨胀差为2000ppm或更小。
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公开(公告)号：CN100508216C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200610065381.7
申请日：2006-03-23
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/7722 , Y10S438/931
Abstract: 结型半导体装置及其制造方法。本发明的结型半导体装置具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区(11)；由形成于半导体晶体的另一面上的第一导电型的低电阻层构成的源区(12)；形成于源区(12)周围的第二导电型的栅区(13)；以及源区(12)和漏区(11)之间的第一导电型的高电阻层(14)。在栅区(13)和源区(12)之间的半导体晶体的表面附近设有第二导电型的复合抑制半导体层(16)。
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公开(公告)号：CN101199058A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680021188.1
申请日：2006-06-09
Applicant: 本田技研工业株式会社
Inventor： 野中贤一
IPC: H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/732 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/73 , H01L29/0607 , H01L29/0804 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/732
Abstract: 本发明提供一种双极半导体器件及其制造方法。一种半导体晶体包括布置在基极接触区(16)与发射极区(14)之间的表面的附近的具有第二导电类型的复合抑制半导体层(17)，并且该复合抑制半导体层(17)将具有大量表面状态的半导体表面与主要传导空穴电流的部分和电子电流的部分分离。抑制了复合，从而增大了电流放大因子并降低了导通电压。
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