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公开(公告)号：CN1838435A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610065381.7
申请日：2006-03-23
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/7722 , Y10S438/931
Abstract: 结型半导体装置及其制造方法。本发明的结型半导体装置具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区(11)；由形成于半导体晶体的另一面上的第一导电型的低电阻层构成的源区(12)；形成于源区(12)周围的第二导电型的栅区(13)；以及源区(12)和漏区(11)之间的第一导电型的高电阻层(14)。在栅区(13)和源区(12)之间的半导体晶体的表面附近设有第二导电型的复合抑制半导体层(16)。
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公开(公告)号：CN100499051C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610065382.1
申请日：2006-03-23
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/337
CPC classification number: H01L29/7722
Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。
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公开(公告)号：CN100508216C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200610065381.7
申请日：2006-03-23
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/7722 , Y10S438/931
Abstract: 结型半导体装置及其制造方法。本发明的结型半导体装置具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区(11)；由形成于半导体晶体的另一面上的第一导电型的低电阻层构成的源区(12)；形成于源区(12)周围的第二导电型的栅区(13)；以及源区(12)和漏区(11)之间的第一导电型的高电阻层(14)。在栅区(13)和源区(12)之间的半导体晶体的表面附近设有第二导电型的复合抑制半导体层(16)。
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公开(公告)号：CN1838390A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610065382.1
申请日：2006-03-23
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/337
CPC classification number: H01L29/7722
Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。
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