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公开(公告)号：CN106057637A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610206201.6
申请日：2016-04-05
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及通过原子层沉积和原子层蚀刻沉积保形膜。提供了用于在原子层沉积过程中使用含卤素的蚀刻剂沉积共形膜的方法。所述方法包括在衬底暴露于第一前体和衬底暴露于第二等离子体活化的反应物之间将衬底暴露于含卤素的蚀刻剂，例如暴露于三氟化氮。可沉积的共形膜的实例包括含硅膜和含金属膜。还提供了相关的装置。
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公开(公告)号：CN118366852A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410253185.0
申请日：2018-04-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 照健·史蒂文·黎 , 约瑟亚·科林斯 , 汉娜·班诺乐克 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·范克利蒙布特
IPC: H01L21/285 , H10B12/00 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。
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公开(公告)号：CN114586035A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202080074050.8
申请日：2020-10-22
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 卡皮尔·优曼许·萨维拉尼 , 阿塔施·巴苏 , 大卫·迈克尔·弗拉德 , 米卡尔·达内克 , 埃米莉·安·奥尔登
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , H01L21/768 , G06F119/18
Abstract: 提出了使用机器学习(ML)来确定用于制造半导体的制程以加速制程的定义的方法、系统和计算机程序。一个一般方面包括一种方法，该方法包括用于执行用于处理部件的实验的操作，每个实验由识别用于制造设备的参数的一组制程中的一个制程控制。该方法还包括用于执行虚拟模拟以处理部件的操作，每个模拟由该组制程中的一个制程控制。通过使用实验结果和来自虚拟模拟的虚拟结果训练ML算法以获得ML模型。该方法还包括用于接收对部件的期望处理的规范，以及通过ML模型创建用于根据规范处理部件的新制程的操作。
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公开(公告)号：CN111492092A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880082209.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 伊拉尼特·费希尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 帕特里克·范克利蒙布特 , 施卢蒂·托姆贝尔
IPC: C23C16/455 , C23C16/06 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 一种方法包括：将衬底布置在处理室中；以及将所述衬底暴露于包含第一金属前体气体和第二金属前体气体的气体混合物，以将第一金属前体和第二金属前体同时沉积到所述衬底上。该方法还包括：清扫所述处理室；供应所述第一金属前体和所述第二金属前体两者共同的反应物，以在所述衬底上形成合金层；以及清扫所述处理室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106057637B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610206201.6
申请日：2016-04-05
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及通过原子层沉积和原子层蚀刻沉积保形膜。提供了用于在原子层沉积过程中使用含卤素的蚀刻剂沉积共形膜的方法。所述方法包括在衬底暴露于第一前体和衬底暴露于第二等离子体活化的反应物之间将衬底暴露于含卤素的蚀刻剂，例如暴露于三氟化氮。可沉积的共形膜的实例包括含硅膜和含金属膜。还提供了相关的装置。
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公开(公告)号：CN114641592B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202080075633.2
申请日：2020-08-19
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉维·韦兰基 , 埃里克·H·伦茨 , 维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 , 桑杰·戈皮纳特 , 米卡尔·达内克 , 普罗德尤特·玛久姆德 , 诺维·特约克洛 , 陈彦璋 , 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·A·范克利蒙布特
IPC: C23C16/455
Abstract: 提供各种喷头及方法。一种喷头可以包含：面板，其部分地由前表面和背表面限定；背板，其具有气体入口、第一圆锥台表面以及第二圆锥台表面；充气部容积，其流体连接至所述气体入口，且至少部分地由所述气体入口、所述面板的所述背表面、所述第一圆锥台表面、以及所述第二圆锥台表面限定；以及挡板，其位于所述充气部容积内，且具有多个挡板通孔，所述多个挡板通孔延伸穿过所述挡板。所述第二圆锥台表面可以相对于所述喷头的中心轴而从所述第一圆锥台表面径向地往外定位，并且所述第二圆锥台表面可以沿着所述中心轴而定位成比所述第一圆锥台表面更远离所述气体入口。
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公开(公告)号：CN114641592A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080075633.2
申请日：2020-08-19
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉维·韦兰基 , 埃里克·H·伦茨 , 维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 , 桑杰·戈皮纳特 , 米卡尔·达内克 , 普罗德尤特·玛久姆德 , 诺维·特约克洛 , 陈彦璋 , 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·A·范克利蒙布特
IPC: C23C16/455
Abstract: 提供各种喷头及方法。一种喷头可以包含：面板，其部分地由前表面和背表面限定；背板，其具有气体入口、第一圆锥台表面以及第二圆锥台表面；充气部容积，其流体连接至所述气体入口，且至少部分地由所述气体入口、所述面板的所述背表面、所述第一圆锥台表面、以及所述第二圆锥台表面限定；以及挡板，其位于所述充气部容积内，且具有多个挡板通孔，所述多个挡板通孔延伸穿过所述挡板。所述第二圆锥台表面可以相对于所述喷头的中心轴而从所述第一圆锥台表面径向地往外定位，并且所述第二圆锥台表面可以沿着所述中心轴而定位成比所述第一圆锥台表面更远离所述气体入口。
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公开(公告)号：CN113366622A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011487.7
申请日：2020-01-28
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/768 , G06F30/20
Abstract: 在此提供了用于优化特征填充工艺的系统与方法。该特征填充优化系统与方法可用于从小量的图案化晶片测试来优化特征填充。该系统与方法可用于优化增强的特征填充工艺，其中该增强的特征填充工艺包括有包含抑制和/或蚀刻操作与沉积操作的操作。来自试验的结果可用于校准特征尺度行为模型。一旦被校准了，参数空间可迭代地被探索，以优化该工艺。
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