-
公开(公告)号：CN114292110A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202210095287.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 有研科技集团有限公司
IPC: C04B35/581 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种AlON粉体的制备方法、AlON粉体及其应用，所述方法包括：将纳米氧化铝粉体和碳粉按质量比称重，加入0‑10wt％的分散剂，并以无水乙醇为介质，采用球磨方法混合，得到混合粉体；利用碳热还原氮化法烧结混合粉体；再将烧结后的粉体进行行星球磨处理，处理结束后，以无水乙醇为介质，添加0‑10wt％分散剂，并采用超声进行分散处理，得到所述AlON粉体；本发明通过分步骤添加分散剂，改进了粉体的整体分散性能，制备出分散性高，且相纯度高，粒度也较小的高烧结活性的AlON粉体，将其应用于AlON透明陶瓷的制备中，能够得到性能较好的AlON透明陶瓷。
-
公开(公告)号：CN111320478B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010234099.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 有研科技集团有限公司
IPC: C04B35/575 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/65 , C23C14/35 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％‑15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/‑1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。
-
公开(公告)号：CN113213915A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110407171.6
申请日：2021-04-15
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/46 , C04B35/622 , C23C14/30
Abstract: 本发明提供了一种低温五氧化三钛晶体镀膜材料的制备方法。该制备方法包括：采用冷等静压成型的工艺，将混合原料压制成坯体并放于坩埚中；将坩埚放入炉体中，对炉体抽真空后，开始对炉体加热；采用分段加热的方式，通过控制每段的反应温度和反应时间，制备得到预设规格的低温五氧化三钛晶体颗粒；其中，结晶的反应温度低于五氧化三钛的熔点；将从坩埚倒出的低温五氧化三钛晶体颗粒加工成低温五氧化三钛晶体镀膜材料。通过该制备方法，实现在低于五氧化三钛熔点的温度下，“一次制备”高纯度的低温五氧化三钛晶体颗粒的目的；并且，基于该晶体，一方面大大降低了晶体的取出难度，另一方面避免了镀膜过程中的喷料现象。
-
公开(公告)号：CN109369180B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811508783.9
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了属于陶瓷靶材技术领域的一种高密度HfO2靶材的制备方法。本发明利用碱性溶剂对HfO2粉体预处理，将预处理后粉体置于马弗炉、热压炉中烧结，然后粉碎、过筛，再置于热压炉中进行三段式热压烧结，最后随炉冷却，得到HfO2靶材；所得HfO2靶材外观呈均匀灰色，相对密度达到85％～95％，具有高强度、不易开裂的特点，适用于溅射制备光学薄膜。
-
公开(公告)号：CN111393165A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010234167.X
申请日：2020-03-27
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/30
Abstract: 本发明公开了一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)以高纯氧化铈粉体为原料，向其中添加去离子水并进行造粒处理，得到结合紧密的氧化铈片状物；(2)将得到的片状物研磨破碎，并筛分出＜0.1mm的预处理粉体；(3)将所得预处理粉体装入胶套中进行冷等静压成型为坯体。(4)将所得坯体按照如下烧结工艺进行烧结：2-3小时升温到300-400℃保温1h-2h，2小时升到600℃-800℃保温1h-2h，4小时升温到1000℃-1200℃保温1h-2h，4小时升温到1300℃保温1h-2h，2小时升温至1400℃保温1-2h，1小时升温到1450-1550℃保温3h-5h；(5)冷却得到氧化铈烧结坯料，将坯料进行破碎和筛分得到镀膜用氧化铈颗粒。该方法生产的氧化铈颗粒具有高纯度、高密度、低喷溅等优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111320478A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010234099.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 有研科技集团有限公司
IPC: C04B35/575 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/65 , C23C14/35 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％-15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/-1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。
-
公开(公告)号：CN118390000B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410492678.X
申请日：2024-04-23
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C23C14/22 , C04B35/48 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本申请提供一种锆酸钆镨陶瓷靶材、制备方法及其应用，所述锆酸钆镨的化学式为(Gd1‑xPrx)2Zr2O7，其中，0＜x≤0.15。采用先低温烧结、经加工后再进行二次烧结的方式，能够改善锆酸钆镨陶瓷靶材的力学性能，相比锆酸钆具有更低的热导率和更高的热膨胀系数，更低的热导率有利于提升航空发动机热障涂层的热循环性能和高温稳定性，更高的热膨胀系数有利于热障涂层与基底的匹配，提升涂层热循环寿命。
-
公开(公告)号：CN111969196B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202010780626.4
申请日：2020-08-05
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料。该纳米片状氧化亚硅的化学式为SiOx，其中0.9＜x＜1.1；并且具有纳米片状颗粒形貌；其由激光粒度仪测试的中位粒径(D50)为100‑1000nm，由氮吸附测试的比表面积为50‑150m2/g。该纳米片状氧化亚硅颗粒平面方向的平均直径为100‑1000nm，厚度为10‑50nm，且所述颗粒平面方向的平均直径与颗粒厚度的比值大于5。所述复合负极材料包含所述纳米片状氧化亚硅及添加剂，其中纳米片状氧化亚硅在复合负极材料中的质量分数为5‑50％。本发明的纳米片状氧化亚硅具有电子、离子传输距离短的优势，在电极充放电过程中能够保持导电结构稳定。基于该纳米片状氧化亚硅的复合负极材料，可以减少导电组分的用量，在提高导电性和改善循环性能的同时保持高容量。
-
公开(公告)号：CN115010506A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210697517.5
申请日：2022-06-20
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 有研科技集团有限公司
IPC: C04B35/66 , C04B35/48 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种RE‑Zr(Hf)共掺杂Gd2Zr2O7材料，所述RE‑Zr(Hf)共掺杂Gd2Zr2O7材料的化学式为(Gd1‑xREx)2‑z(Zr1‑yHfy)2+zO7+δ；其中，x为掺杂RE元素的含量，y为掺杂Hf和/或过量的Zr的含量，z表征了(Gd+RE)与Zr(Hf)之间的化学计量比，δ为掺杂所述RE元素所导致的氧空位的浓度；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤2，0≤δ≤1。本发明通过在Gd2Zr2O7中共同掺杂RE元素和Zr(Hf)，能够在提高材料的断裂韧性和热膨胀系数的同时，还能降低材料的热导率，使得由RE‑Zr(Hf)共掺杂Gd2Zr2O7材料制成的热障涂层，具有的优异热学性能和力学性能，从而能够更好地发挥热防护的作用。
-
公开(公告)号：CN114591089A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210343585.1
申请日：2022-04-02
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种基于缺陷调控的超高温陶瓷的致密化方法，所述方法包括：采用多种合成方法制备得到与每种合成方法对应的超高温陶瓷粉体；计算得到超高温陶瓷粉体的位错密度；基于计算得到的粉体的位错密度，确定多种合成方法分别得到超高温陶瓷粉体的混合比例；按照所述混合比例，将多种合成方法分别得到的超高温陶瓷进行混合以调控超高温陶瓷粉体缺陷浓度；将混合后的超高温陶瓷粉体进行烧结，得到超高温陶瓷；本发明通过计算位错密度并利用不同位错密度的粉体调控粉体缺陷，制备得到致密度高的超高温陶瓷。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.059 seconds)
