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公开(公告)号：CN114538457A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011366680.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 本发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40％‑60％之间的硼粉，选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成，具体包括以下步骤：(1)将硅粉和硼粉按比例称重；(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀；(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中，并将坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃，保温2‑3h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相，且除Si和B外其他杂质含量小于1％。
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公开(公告)号：CN113135576A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110488057.0
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 一种B4Si及B6Si的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要解决B4Si及B6Si的提纯工艺复杂，提纯纯度不高的问题，本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺思路：即先对粉体进行氧化处理，将部分单质如B和Si转化为相应的氧化物，然后在加热条件下用浓KOH处理，将相应的杂质转化为易溶于水的物质，经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用于粉体材料提纯领域。
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公开(公告)号：CN118373596A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410271881.4
申请日：2024-03-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种高频用低介低损耗高热导率LTCC生瓷带，由玻璃粉、氮化硅颗粒、粘结剂、分散剂、增塑剂、溶剂组成；组成质量分数：玻璃粉为30‑50％，氮化硅颗粒为10‑40％，粘结剂为3‑10％，分散剂为0.3‑1％，增塑剂为2‑6％，溶剂为20‑27％；其制法为采用高温熔融‑水淬工艺制备所需玻璃材料，球磨至合适粒度后，按比例分别称取玻璃粉、氮化硅颗粒、粘结剂、分散剂、增塑剂、溶剂进行混合得到浆料，流延形成LTCC生瓷带；通过CaO‑B2O3‑SiO2玻璃、高硼硅玻璃及氮化硅成分的复合，制备了兼得优异高频介电性能及较高热导率的LTCC生瓷带。
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公开(公告)号：CN110922186B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201911258099.4
申请日：2019-12-10
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01B3/12 , C04B35/495
Abstract: 本发明公开了属于电子材料制造技术领域的一种中低温烧结(烧结温度为900℃‑1200℃)高介电常数陶瓷材料及其制备方法。配方组成为：aBaO‑bMgO‑cAl2O3‑dTiO2‑eSiO2‑fNb2O5‑gSrO‑hPbO，其中的a、b、c、d、e、f、g、h表示各成分的摩尔比例，分别为：2≤a≤15，2≤b≤5，0≤c≤10，4≤d≤16，5≤e≤45，20≤f≤55，16≤g≤27，3≤h≤25。将原料混合均匀，高温熔融、搅拌，形成均匀的液体；将熔融液快速倒入去离子水中，得到玻璃渣；将玻璃渣球磨、烘干、过筛、造粒后，压制成型为坯体，再将坯体于900℃‑1200℃烧结，保温3小时，制得陶瓷电容器介质材料，该介质材料适用于单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN113149018A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110488058.5
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B33/06
Abstract: 一种TaSi2粉体的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要提供一种经济与易于实施且提纯效果佳的TaSi2粉体的提纯方法。本发明方法：取TaSi2原粉体，加入浓度为1～5mol/L的KOH溶液，在室温～90℃水浴锅中搅拌反应2～10h，然后用砂芯漏斗抽滤，超纯水洗至中性，真空干燥后，得提纯后的TaSi2粉体；其中，TaSi2原粉体和KOH溶液的质量体积比为1g：(10～50)mL。本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺：经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用TaSi2粉体领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118373597A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410271883.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高频低损耗LTCC材料及其制备方法和应用，包括玻璃粉、溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂，所述玻璃粉质量分数为40‑60％，溶剂质量分数为30‑50％，分散剂质量分数为0.3‑1％，粘结剂质量分数为3.7‑7％，增塑剂质量分数为2‑6％。所述玻璃粉由30～58wt％高熔点玻璃粉、40～68wt％低熔点玻璃粉和2wt％添加物组成；本发明中通过多种玻璃材料的复合提高了材料烧结致密度和力学性能，烧结析出介电性能优异的CaSiO3和CaB2O4晶相，获得了高频低损耗的LTCC材料。
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公开(公告)号：CN116262653A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111519262.5
申请日：2021-12-13
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有高透光率低介电损耗的锂铝硅系微晶玻璃及其制备方法。按质量百分比计，玻璃组成为：54％≤SiO2≤62％，16％≤Al2O3≤24％，3％≤Li2O≤7％，2％≤ZrO2≤3％，1.2％≤TiO2≤1.6％，0.5≤Sb2O3≤2％，0.5≤ZnO≤2％，1％≤Na2O≤4％，1％≤CaO≤4％，1％≤MgO≤5％，1％≤K2O≤4％，0.5％≤MgF2≤1.5％。其制备方法包括以下步骤：(1)按照所设计的玻璃组成准确称量各种原料，将原料充分混合均匀后放入铂金坩埚中在1520℃熔制3h，浇注成块后在550℃退火处理30min，然后随炉冷却至室温；(2)将所得玻璃在580～610℃进行核化处理，核化时间为4h，然后在670～700℃进行晶化处理，晶化时间为1h；结晶处理后的样品随炉冷却至室温。本发明制备的锂铝硅系微晶玻璃具备高透光率、低介电损耗和良好的力学性能。
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公开(公告)号：CN113092306B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110483063.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N5/04
Abstract: 一种有效检测四硼化硅及六硼化硅纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测B4Si及B6Si纯度的方法。本发明将试样去除水分后，采用不同浓度的氢氟酸处理后，再与KOH反应，砂芯漏斗抽滤，清洗后，进行计算。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出B4Si及B6Si物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于B4Si及B6Si材料领域。
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公开(公告)号：CN113045206B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201911375624.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C03C12/00
Abstract: 本发明涉及一种具有核壳结构的高硅氧玻璃粉及其制备方法，该高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料。该高硅氧玻璃粉具有核壳结构，以质量百分比计算，高硅氧玻璃颗粒的内核部分由3～10％B2O3和90～97％SiO2组成；外壳部分由10～20％B2O3和80～90％SiO2组成。本发明以高纯石英粉和硼酐为基础原料，经球磨、烧结、破碎、再球磨等步骤制备得到。本发明具有核壳结构的高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料，采用本发明的高硅氧玻璃制备涂层，可在高温下形成致密涂层。
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公开(公告)号：CN113045206A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911375624.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C03C12/00
Abstract: 本发明涉及一种具有核壳结构的高硅氧玻璃粉及其制备方法，该高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料。该高硅氧玻璃粉具有核壳结构，以质量百分比计算，高硅氧玻璃颗粒的内核部分由3～10％B2O3和90～97％SiO2组成；外壳部分由10～20％B2O3和80～90％SiO2组成。本发明以高纯石英粉和硼酐为基础原料，经球磨、烧结、破碎、再球磨等步骤制备得到。本发明具有核壳结构的高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料，采用本发明的高硅氧玻璃制备涂层，可在高温下形成致密涂层。
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