公开(公告)号：CN104245783A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021628.3

申请日：2013-04-18

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： P·米希凯维奇 ,  T·巴克隆德 ,  P·E·梅 ,  T·卡尔 ,  L·F·罗迪斯 ,  E·埃尔斯 ,  A·贝尔

IPC: C08G61/08 ,  H01L27/32 ,  C08L65/00

CPC classification number: H01L51/0035 ,  C08G61/08 ,  C08G2261/418 ,  C08L65/00 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及多环烯烃聚合物在有机电子器件中作为结构限定材料的用途，例如在这些器件的隔板、绝缘结构或堤岸结构中，且进一步涉及包含该多环烯烃聚合物堤岸结构的有机电子器件，且涉及制备该多环烯烃聚合物堤岸结构和有机电子器件的方法。

公开(公告)号：CN101432867A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015765.0

申请日：2007-03-21

Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： C·阿帕尼厄斯 ,  R·A·希克 ,  H·恩格 ,  A·贝尔 ,  张伟 ,  P·尼尔

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/29 ,  C08F32/00 ,  C08G64/0208 ,  C09D145/00 ,  H01L24/13 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/838 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/05599

Abstract: 公开了材料，和使用此种材料的方法，它们可用于形成芯片堆叠体、芯片和晶片粘结和晶片减薄。此种方法和材料提供强粘结，同时还可容易地除去而几乎没有残留物。

公开(公告)号：CN105038069B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201510255696.7

申请日：2011-08-26

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： D·C·穆勒 ,  T·库尔 ,  P·米斯基韦茨 ,  M·卡拉斯克-奥罗兹可 ,  A·贝尔 ,  E·埃尔斯 ,  L·F·罗迪斯 ,  藤田一義 ,  H·恩格 ,  P·坎达纳拉什切 ,  S·史密斯

IPC: C08L45/00 ,  C08K5/3415 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/052 ,  C08F32/04 ,  C08F232/00 ,  C08L45/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/107

Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。

公开(公告)号：CN104877292A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510255678.9

申请日：2011-08-26

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： D·C·穆勒 ,  T·库尔 ,  P·米斯基韦茨 ,  M·卡拉斯克-奥罗兹可 ,  A·贝尔 ,  E·埃尔斯 ,  L·F·罗迪斯 ,  藤田一義 ,  H·恩格 ,  P·坎达纳拉什切 ,  S·史密斯

IPC: C08L45/00

CPC classification number: H01L51/052 ,  C08F32/04 ,  C08F232/00 ,  C08L45/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/107

Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。

公开(公告)号：CN103221482B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180056170.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： C·阿帕纽斯 ,  A·贝尔 ,  L·朗斯多夫 ,  W·C·P·塔桑

IPC: C08L69/00 ,  B23K1/20 ,  C08K5/09 ,  H01L21/56

CPC classification number: C08K5/09 ,  C08L69/00 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H05K13/00 ,  H05K13/0465 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的实施方案涵盖可用于将微电子组件的组装体组装到各种基材材料上的聚合物组合物。此类聚合物组合物既提供保持所述微电子组件在基材上的所需位置，提供此类组件与基材的焊料粘结的助熔又保留在适当位置作为此类组件的底部填料。

公开(公告)号：CN103261250A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180042505.9

申请日：2011-08-26

Applicant: 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： D·C·穆勒 ,  T·库尔 ,  P·米斯基韦茨 ,  M·卡拉斯克-奥罗兹可 ,  A·贝尔 ,  E·埃尔斯 ,  L·F·罗迪斯 ,  藤田一羲 ,  H·恩格 ,  P·坎达纳拉什切 ,  S·史密斯

IPC: C08F232/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/052 ,  C08F32/04 ,  C08F232/00 ,  C08L45/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/107

Abstract: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。

公开(公告)号：CN101802025B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200880107390.5

申请日：2008-08-07

Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： A·贝尔 ,  D·雅布隆斯基 ,  E·科洛尼奇 ,  B·纳普 ,  D·阿莫罗索

IPC: C08F4/44 ,  C08F10/00 ,  C08F36/00

CPC classification number: C07B63/00 ,  C07C7/148 ,  C07C2602/42 ,  C08F232/08 ,  C07C13/28

Abstract: 本发明的实施方式主要涉及由其构象异构体的混合物制造高纯度外型-烯基降冰片烯的方法。

公开(公告)号：CN102695741A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080055973.5

申请日：2010-12-13

Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： A·贝尔 ,  E·埃尔斯 ,  K·塞托

IPC: C08G61/08 ,  C08F32/08 ,  C08J5/22 ,  H01B1/12 ,  H01M8/08

CPC classification number: C08G61/08 ,  B01D71/44 ,  B01D71/82 ,  B01D2325/42 ,  C08F32/08 ,  C08G2261/143 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/418 ,  C08G2261/516 ,  C08J5/2231 ,  C08J5/2256 ,  C08J2345/00 ,  C08J2365/00 ,  C08J2385/04 ,  C08L45/00 ,  C08L65/00 ,  H01M4/8663 ,  H01M8/083 ,  H01M2300/0014 ,  H01M2300/0082

Abstract: 本发明公开内容的实施方案包括具有至少一种包括N+(CH3)3OH部分的重复单元的乙烯基加成和ROMP聚合物。依照本发明公开内容的其他实施方案包括由一种该聚合物制成的碱性阴离子交换膜（AAEM）和包括该AAEM的阴离子燃料电池（AFC）和该AFC中不同于AAEM的包括这样的聚合物之一的部件。

公开(公告)号：CN111278889A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880069789.2

申请日：2018-10-26

Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： 瀬户圭太郎 ,  A·贝尔

IPC: C08G64/02 ,  C08G64/34

Abstract: 本发明的实施方式通常涉及具有衍生自金刚烷环氧化物单体的重复单元的聚碳酸酯聚合物及使用这些聚合物和包含这些聚合物的组合物的方法。如此形成的组合物可以用于制造各种光电器件。

公开(公告)号：CN102066002B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN200980123202.2

申请日：2009-04-24

Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： L·F·罗兹 ,  L·F·马丁 ,  A·贝尔

IPC: C08F4/00 ,  B01J37/00

CPC classification number: C08F4/70 ,  C08F4/7037 ,  C08F232/08 ,  C08F2410/03

Abstract: 根据本发明的实施方式包括形成原位烯烃聚合催化剂体系的方法、该体系包含的催化剂和使用该体系制备的聚合物。对于此原位烯烃聚合催化剂体系，烃基卤化镁通常与卤代烃化合物接触以形成卤代烃格氏试剂，并且此格氏试剂通常与第10族金属化合物接触以形成烯烃聚合催化剂，该烯烃聚合催化剂与一种或多种烯烃单体接触从而由其形成聚合物。