公开(公告)号：CN101438429A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016568.0

申请日：2007-05-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  酒井浩光 ,  塙健三 ,  横山泰典 ,  佐佐木保正 ,  加治亘章

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。