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公开(公告)号:CN107531491A
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201780001452.3
申请日:2017-02-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的目的在于,提供使用特定催化剂的低聚硅烷的制造方法,即、提供与不使用催化剂的情况相比能够以高收率制造低聚硅烷的方法。通过使氢化硅烷的脱氢缩合反应在含有选自元素周期表第3族过渡元素、第4族过渡元素、第5族过渡元素、第6族过渡元素和第7族过渡元素中的至少1种过渡元素的催化剂的存在下进行,能够高效地制造低聚硅烷。
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公开(公告)号:CN102460867B
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201080026855.1
申请日:2010-06-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C08G18/44 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F1/02 , C08G18/0823 , C08G18/12 , C08G18/6659 , C08G18/758 , C08G18/7671 , C08L75/04 , H01C17/0652 , H01C17/06553 , H01C17/06586 , C08G18/2825
Abstract: 本发明提供可以对各种设计的电子电路基板以自由的形状且简便地实现ESD对策,并且,放电时的工作性优异、能够小型化、低成本化的静电放电保护体,以及提供可以用于制造那样的静电放电保护体的放电间隙填充用组合物。作为解决问题的方法是,提供放电间隙填充用组合物以及使用该组合物而获得的一种静电放电保护体,所述放电间隙填充用组合物是包含金属粉末(A)和粘合剂成分(B)的组合物,其特征在于,上述金属粉末(A)中的一次粒子的表面被包含金属氧化物的膜覆盖,上述金属粉末(A)中的一次粒子的形状为薄片状。
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公开(公告)号:CN102356526B
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201080012273.8
申请日:2010-03-17
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H02H9/06 , H01C7/1006 , H01C7/12 , H01C7/123 , H01C17/06526 , H01C17/06553 , H01L27/0288 , H01T4/02 , H01T4/08 , H05K1/0259 , H05K1/167
Abstract: 本发明的目的是提供可以对各种设计的电子电路基板以自由的形状且简便地实现应对ESD,并且工作电压的调整精度优异、可小型化、低成本化的静电放电保护体,以及可以用于制造上述静电放电保护体的放电间隙填充用组合物。本发明涉及放电间隙填充用组合物、以及由该组合物制成的静电放电保护体,所述放电间隙填充用组合物的特征在于,包含用下述通式(1)所示金属醇盐的水解产物包覆金属粒子而成的金属粒子(A)和粘合剂成分(C)。R-O-[M(OR)2-O-]n-R(1)其中,M是金属原子,O是氧原子,R是烷基,R的全部可以相同或彼此不同,n是1~40的整数。
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公开(公告)号:CN101400716B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200780008930.X
申请日:2007-03-13
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H05K3/285 , C08G18/12 , C08G18/348 , C08G18/44 , C08G18/6659 , C08G18/69 , C08G59/4269 , C08K5/1539 , C08K5/41 , C08L75/04 , C09D163/00 , C09D175/04 , H05K1/0393 , H05K2201/0209 , C08G18/282 , C08L2666/20 , C08L2666/04 , C08L2666/14
Abstract: 本发明提供了可以得到与基材的密合性,特别是与锡的密合性优异,且电绝缘的长期可靠性优异,翘起小的保护膜的外覆剂和热固性树脂组合物。本发明的热固性树脂组合物特征在于,以含有羧基的聚氨酯树脂(A)、固化剂(B)、和酸酐(C)为必须成分。另外,本发明的挠性电路基板用外覆剂的特征在于,含有上述构成的热固性树脂组合物。本发明的表面保护膜的特征在于,由上述的热固性树脂组合物的固化物形成。
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公开(公告)号:CN109219576B
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN201780034377.0
申请日:2017-06-06
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供能够选择性制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。通过不仅使用甲硅烷作为原料,而且使用硅原子数比目标低聚硅烷少的低聚硅烷和/或相反硅原子数多的低聚硅烷作为原料,能够提高目标低聚硅烷的选择率,高效制造低聚硅烷。
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公开(公告)号:CN109219576A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201780034377.0
申请日:2017-06-06
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供能够选择性制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。通过不仅使用甲硅烷作为原料,而且使用硅原子数比目标低聚硅烷少的低聚硅烷和/或相反硅原子数多的低聚硅烷作为原料,能够提高目标低聚硅烷的选择率,高效制造低聚硅烷。
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公开(公告)号:CN106573786A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201580043836.2
申请日:2015-08-12
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C01B33/04 , B01J29/126 , B01J29/40 , B01J29/44 , B01J29/46 , B01J29/70 , B01J29/7007 , B01J29/74 , B01J29/7407 , B01J29/7415 , B01J29/7484 , B01J37/04 , B01J37/088 , B01J2229/20
Abstract: 本发明的目的是提供一种低聚硅烷的制造方法,特别是提供能改善收率和选择率、可效率良好地在更低温下制造低聚硅烷的方法。在氢硅烷的脱氢缩合反应中,通过在具有短径0.43nm以上、长径0.69nm以下的细孔的沸石存在下进行反应,低聚硅烷的选择率、特别是乙硅烷的选择率提高,能够在更低温下效率良好地制造低聚硅烷。
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公开(公告)号:CN103329369B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201280006043.X
申请日:2012-01-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H02H9/044 , H01T4/10 , H05K1/0259 , H05K1/026
Abstract: 本发明提供一种涂布性(排注性)良好的放电间隙填充用组合物,以及使用该组合物而成的、能够相对于各种设计的电子电路基板以自由的形状简便地实现ESD对策,且、放电时的工作性优异,能够小型化、低成本化的静电放电保护体。本发明的放电间隙填充用组合物含有金属粉末(A)、粘合剂成分(B)和稀释剂(C),其特征在于,所述稀释剂(C)在分子内具有2个以上的特性基团,该特性基团彼此在分子内不直接结合而介由烃基或硅原子结合。
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公开(公告)号:CN102341978A
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:CN201080010184.X
申请日:2010-03-01
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01T4/02 , H01C7/1006 , H01C7/12 , H01C17/06526 , H01C17/06553 , H01T4/10 , H05K9/0067
Abstract: 本发明的课题是提供可以对各种设计的电子电路基板形成自由的形状且简便地实现应对ESD,并且工作电压的调整精度优异、可小型化、低成本化的静电放电保护体,以及可以用于制造上述静电放电保护体的放电间隙填充用组合物。作为解决本发明课题的方法是提供放电间隙填充用组合物和由该组合物形成的静电放电保护体,所述放电间隙填充用组合物的特征在于,包含具有氧化皮膜的金属粒子(A)、层状物质(B)和粘合剂成分(C)。
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公开(公告)号:CN102177627A
公开(公告)日:2011-09-07
申请号:CN200980139999.5
申请日:2009-10-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01C7/12 , H01T4/10 , H05K1/0259 , H05K2201/09672 , H05K2201/09881
Abstract: 本发明的课题是提供对于各种各样的设计的电子电路基板能够自由且简便地谋求静电放电对策的静电放电保护体。本发明的静电放电保护体,其特征在于,具有包括1对电极和电极以外的导电性构件在内的至少3个导电性构件,各个导电性构件被配置成与其他的导电性构件的至少1个的间隙的宽度为0.1~10μm,在与各导电性构件相邻的宽度为0.1~10μm的间隙的至少1个中,以填埋该间隙的方式配置有绝缘性构件,所述电极中的一个电极,介由所述绝缘性构件和电极以外的所述导电性构件,与和该一个电极构成对的电极连结。
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