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公开(公告)号：CN109803921A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201780059057.0
申请日：2017-09-19
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供能够高效制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。本发明提供了一种低聚硅烷的制造方法，包含反应工序，在所述反应工序中，向内部具有催化剂层的连续式反应器中投入含有氢化硅烷的流体，由氢化硅烷生成低聚硅烷，从反应器排出含有低聚硅烷的流体，所述反应工序满足下述(i)～(iii)的所有条件，(i)含有氢化硅烷的流体在催化剂层的入口处的温度高于含有低聚硅烷的流体在催化剂层的出口处的温度，(ii)含有氢化硅烷的流体在催化剂层的入口处的温度是200～400℃，(iii)含有低聚硅烷的流体在催化剂层的出口处的温度是50～300℃。
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公开(公告)号：CN101641311B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200880009847.9
申请日：2008-03-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C17/383 , C07C17/10 , C07C17/389 , C07C19/10
Abstract: 本发明1，2，3，4-四氯六氟丁烷的制造方法的特征在于，在含有氟化氢的溶剂的存在下，使氟与1，2，3，4-四氯丁烷反应。该1，2，3，4-四氯丁烷可以通过3，4-二氯-1-丁烯的氯化而得到。另外，本发明还提供对如所述那样得到的1，2，3，4-四氯六氟丁烷进行纯化的方法。根据本发明，通过使用以往作为氯丁二烯的副产物而被废弃的1，2，3，4-四氯丁烷，可以在工业上高效地制造作为六氟-1，3-丁二烯的合成原料是有用的1，2，3，4-四氯六氟丁烷，所述六氟-1，3-丁二烯可以例如作为半导体用蚀刻气体来使用。
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公开(公告)号：CN109219576B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201780034377.0
申请日：2017-06-06
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供能够选择性制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。通过不仅使用甲硅烷作为原料，而且使用硅原子数比目标低聚硅烷少的低聚硅烷和/或相反硅原子数多的低聚硅烷作为原料，能够提高目标低聚硅烷的选择率，高效制造低聚硅烷。
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公开(公告)号：CN109219576A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780034377.0
申请日：2017-06-06
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供能够选择性制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。通过不仅使用甲硅烷作为原料，而且使用硅原子数比目标低聚硅烷少的低聚硅烷和/或相反硅原子数多的低聚硅烷作为原料，能够提高目标低聚硅烷的选择率，高效制造低聚硅烷。
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公开(公告)号：CN109803921B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201780059057.0
申请日：2017-09-19
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供能够高效制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。本发明提供了一种低聚硅烷的制造方法，包含反应工序，在所述反应工序中，向内部具有催化剂层的连续式反应器中投入含有氢化硅烷的流体，由氢化硅烷生成低聚硅烷，从反应器排出含有低聚硅烷的流体，所述反应工序满足下述(i)～(iii)的所有条件，(i)含有氢化硅烷的流体在催化剂层的入口处的温度高于含有低聚硅烷的流体在催化剂层的出口处的温度，(ii)含有氢化硅烷的流体在催化剂层的入口处的温度是200～400℃，(iii)含有低聚硅烷的流体在催化剂层的出口处的温度是50～300℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107531491B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201780001452.3
申请日：2017-02-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供使用特定催化剂的低聚硅烷的制造方法，即、提供与不使用催化剂的情况相比能够以高收率制造低聚硅烷的方法。通过使氢化硅烷的脱氢缩合反应在含有选自元素周期表第3族过渡元素、第4族过渡元素、第5族过渡元素、第6族过渡元素和第7族过渡元素中的至少1种过渡元素的催化剂的存在下进行，能够高效地制造低聚硅烷。
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公开(公告)号：CN107531491A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201780001452.3
申请日：2017-02-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供使用特定催化剂的低聚硅烷的制造方法，即、提供与不使用催化剂的情况相比能够以高收率制造低聚硅烷的方法。通过使氢化硅烷的脱氢缩合反应在含有选自元素周期表第3族过渡元素、第4族过渡元素、第5族过渡元素、第6族过渡元素和第7族过渡元素中的至少1种过渡元素的催化剂的存在下进行，能够高效地制造低聚硅烷。
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公开(公告)号：CN105009347A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480008288.5
申请日：2014-02-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01M10/0567 , H01M10/05 , H01M10/0568 , H01M10/0569
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , H01M2300/0028 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供一种二次电池用非水电解液及非水电解液二次电池，所述二次电池用非水电解液含有电解质、溶剂及添加剂，所述添加剂含有下述式(I)所示的化合物，(式(I)中，n表示1～4的整数，n＝1时，R1表示卤素原子等，n＝2时，R1表示碱土类金属原子等，n＝3时，R1表示3价过渡金属原子等，n＝4时，R1表示4价过渡金属原子等。R2表示碳原子数1～6的亚烷基、或碳原子数2～6的亚烯基。)。本发明的效果是，使用本发明的二次电池用非水电解液的非水电解液二次电池具有高的低温特性，并具有高的高温特性。
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公开(公告)号：CN101641311A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009847.9
申请日：2008-03-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C17/383 , C07C17/10 , C07C17/389 , C07C19/10
Abstract: 本发明1，2，3，4-四氯六氟丁烷的制造方法的特征在于，在含有氟化氢的溶剂的存在下，使氟与1，2，3，4-四氯丁烷反应。该1，2，3，4-四氯丁烷可以通过3，4-二氯-1-丁烯的氯化而得到。另外，本发明还提供对如所述那样得到的1，2，3，4-四氯六氟丁烷进行纯化的方法。根据本发明，通过使用以往作为氯丁二烯的副产物而被废弃的1，2，3，4-四氯丁烷，可以在工业上高效地制造作为六氟-1，3-丁二烯的合成原料是有用的1，2，3，4-四氯六氟丁烷，所述六氟-1，3-丁二烯可以例如作为半导体用蚀刻气体来使用。
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