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公开(公告)号：CN106573786B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201580043836.2
申请日：2015-08-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种低聚硅烷的制造方法，特别是提供能改善收率和选择率、可效率良好地在更低温下制造低聚硅烷的方法。在氢硅烷的脱氢缩合反应中，通过在具有短径0.43nm以上、长径0.69nm以下的细孔的沸石存在下进行反应，低聚硅烷的选择率、特别是乙硅烷的选择率提高，能够在更低温下效率良好地制造低聚硅烷。
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公开(公告)号：CN107531491A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201780001452.3
申请日：2017-02-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供使用特定催化剂的低聚硅烷的制造方法，即、提供与不使用催化剂的情况相比能够以高收率制造低聚硅烷的方法。通过使氢化硅烷的脱氢缩合反应在含有选自元素周期表第3族过渡元素、第4族过渡元素、第5族过渡元素、第6族过渡元素和第7族过渡元素中的至少1种过渡元素的催化剂的存在下进行，能够高效地制造低聚硅烷。
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公开(公告)号：CN107531491B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201780001452.3
申请日：2017-02-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供使用特定催化剂的低聚硅烷的制造方法，即、提供与不使用催化剂的情况相比能够以高收率制造低聚硅烷的方法。通过使氢化硅烷的脱氢缩合反应在含有选自元素周期表第3族过渡元素、第4族过渡元素、第5族过渡元素、第6族过渡元素和第7族过渡元素中的至少1种过渡元素的催化剂的存在下进行，能够高效地制造低聚硅烷。
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公开(公告)号：CN106573786A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043836.2
申请日：2015-08-12
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C01B33/04 , B01J29/126 , B01J29/40 , B01J29/44 , B01J29/46 , B01J29/70 , B01J29/7007 , B01J29/74 , B01J29/7407 , B01J29/7415 , B01J29/7484 , B01J37/04 , B01J37/088 , B01J2229/20
Abstract: 本发明的目的是提供一种低聚硅烷的制造方法，特别是提供能改善收率和选择率、可效率良好地在更低温下制造低聚硅烷的方法。在氢硅烷的脱氢缩合反应中，通过在具有短径0.43nm以上、长径0.69nm以下的细孔的沸石存在下进行反应，低聚硅烷的选择率、特别是乙硅烷的选择率提高，能够在更低温下效率良好地制造低聚硅烷。
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