公开(公告)号：CN109219576B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201780034377.0

申请日：2017-06-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 埜村清志 ,  内田博 ,  石原吉满 ,  中岛裕美子 ,  岛田茂 ,  佐藤一彦

IPC: C01B33/04 ,  B01J29/48 ,  B01J29/46

Abstract: 本发明提供能够选择性制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。通过不仅使用甲硅烷作为原料，而且使用硅原子数比目标低聚硅烷少的低聚硅烷和/或相反硅原子数多的低聚硅烷作为原料，能够提高目标低聚硅烷的选择率，高效制造低聚硅烷。

公开(公告)号：CN109219576A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201780034377.0

申请日：2017-06-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 埜村清志 ,  内田博 ,  石原吉满 ,  中岛裕美子 ,  岛田茂 ,  佐藤一彦

IPC: C01B33/04 ,  B01J29/48 ,  B01J29/46

Abstract: 本发明提供能够选择性制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。通过不仅使用甲硅烷作为原料，而且使用硅原子数比目标低聚硅烷少的低聚硅烷和/或相反硅原子数多的低聚硅烷作为原料，能够提高目标低聚硅烷的选择率，高效制造低聚硅烷。