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公开(公告)号：CN1969394A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580018500.7
申请日：2005-05-06
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/26 , H01S5/0421 , H01S5/3054 , H01S5/32341
Abstract: 在一种设置在晶体衬底上的至少具有作为发光层的由III族氮化物半导体形成的n型有源层以及在所述n型有源层上的包含p型杂质的III族氮化物半导体层的p－n结型化合物半导体发光二极管中，所述二极管具有沉积在所述包含p型杂质的III族氮化物半导体层上的室温下其带隙超过形成所述n型有源层的所述III族氮化物半导体的带隙且在未掺杂状态下呈现p型导电性的磷化硼基III－V族化合物半导体层，并且具有接合到所述磷化硼基III－V族化合物半导体层的表面的欧姆正电极。
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公开(公告)号：CN1947265A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580009941.0
申请日：2005-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 提供了一种pn结化合物半导体发光器件，包括：包括由n型或p型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，而且所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其中所述层叠结构中包括n型或p型导体层，所述导体层和所述衬底接合在一起，以及所述导体层由含硼III－V族化合物半导体构成。
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公开(公告)号：CN1717810A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104447.3
申请日：2003-12-01
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L29/205 , H01L29/20 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种器件性能优异的磷化硼基化合物半导体器件，其包括具有宽带隙的磷化硼基化合物半导体层。所述磷化硼基化合物半导体层包括非晶层和与非晶层结合的多晶层，并且所述磷化硼基化合物半导体层的室温带隙为3.0eV至小于4.2eV。
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公开(公告)号：CN100472721C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200480015692.1
申请日：2004-07-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L21/28 , H01L33/00 , H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40 , Y10T29/53178
Abstract: 本发明提供了一种适于n型III族氮化物半导体的n型欧姆电极的结构，及其用于提供低的接触电阻率的形成方法。提供的n型欧姆电极在与n型III族氮化物半导体的结界面处包括铝和镧的合金或包括镧。所述方法包括在300℃或更低温度下形成镧铝合金层，以在所述结界面处形成富镧的n型欧姆电极。
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公开(公告)号：CN100461339C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200580010043.7
申请日：2005-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/26 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L33/00
Abstract: 一种化合物半导体器件包括：六角碳化硅晶体衬底以及形成在所述碳化硅晶体衬底上的磷化硼基半导体层，其中所述碳化硅晶体衬底具有呈现{0001}晶面的表面，并且所述磷化硼基半导体层由{111}晶体构成，所述{111}晶体层叠在所述碳化硅晶体衬底的所述{0001}晶面上并平行于所述碳化硅晶体衬底的所述{0001}晶面，以及当沿所述碳化硅晶体衬底的[0001]晶向包含在原子排列的一个周期单元中的层数是n时，包括在形成所述{111}晶体的{111}晶面中的n层层叠结构的层叠高度基本上等于所述碳化硅晶体衬底的c轴晶格常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100413106C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200580013077.1
申请日：2005-04-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L33/00
Abstract: 该pn结化合物半导体发光器件包括：结晶衬底；n型发光层，由六角n型Ⅲ族氮化物半导体形成，并设置在所述结晶衬底上；p型Ⅲ族氮化物半导体层，由六角p型Ⅲ族氮化物半导体形成，并设置在所述n型发光层上作为上覆层；薄膜层，由来掺杂的六角Ⅲ族氮化物半导体构成，并形成在所述p型Ⅲ族氮化物半导体层上；以及p型磷化硼基半导体层，具有闪锌矿晶体类型，并设置在所述薄膜层上，其中所述p型磷化硼基半导体层接合到所述薄膜层。
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公开(公告)号：CN100413086C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200380104447.3
申请日：2003-12-01
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L29/205 , H01L29/20 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种器件性能优异的磷化硼基化合物半导体器件，其包括具有宽带隙的磷化硼基化合物半导体层。所述磷化硼基化合物半导体层包括非晶层和与非晶层结合的多晶层，并且所述磷化硼基化合物半导体层的室温带隙为3.0eV至小于4.2eV。
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公开(公告)号：CN100403546C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200380104015.2
申请日：2003-11-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L29/205 , H01L29/20 , H01L33/00
Abstract: 一种器件特性优良的磷化硼基半导体器件，其具有Ⅲ族氮化物半导体层和磷化硼层的结结构。磷化硼基化合物半导体器件具有异质结结构，所述结构包括Ⅲ族氮化物半导体层和磷化硼层，其中Ⅲ族氮化物半导体层的表面具有(0.0.0.1.)晶面，以及磷化硼层是{111}-磷化硼层，其具有在Ⅲ族氮化物半导体层的(0.0.0.1.)晶面上层叠的与(0.0.0.1.)晶面平行的{111}晶面。
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公开(公告)号：CN1947268A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580013077.1
申请日：2005-04-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L33/00
Abstract: 该pn结化合物半导体发光器件包括：结晶衬底；n型发光层，由六角n型III族氮化物半导体形成，并设置在所述结晶衬底上；p型III族氮化物半导体层，由六角p型III族氮化物半导体形成，并设置在所述n型发光层上；p型磷化硼基半导体层，具有闪锌矿晶体类型，并设置在所述p型III族氮化物半导体层上；以及薄膜层，由形成在所述p型III族氮化物半导体层上的未掺杂的六角III族氮化物半导体构成，其中所述p型磷化硼基半导体层接合到由未掺杂的六角III族氮化物半导体构成的所述薄膜层。
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公开(公告)号：CN1938821A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010043.7
申请日：2005-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/26 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L33/00
Abstract: 一种化合物半导体器件包括：六角碳化硅晶体衬底以及形成在所述碳化硅晶体衬底上的磷化硼基半导体层，其中所述碳化硅晶体衬底具有呈现{0001}晶面的表面，并且所述磷化硼基半导体层由{111}晶体构成，所述{111}晶体层叠在所述碳化硅晶体衬底的所述{0001}晶面上并平行于所述碳化硅晶体衬底的所述{0001}晶面，以及当沿所述碳化硅晶体衬底的[0001]晶向包含在原子排列的一个周期单元中的层数是n时，包括在形成所述{111}晶体的{111}晶面中的n层层叠结构的层叠高度基本上等于所述碳化硅晶体衬底的c轴晶格常数。
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