公开(公告)号：CN107078222A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580050438.3

申请日：2015-09-16

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 ,  国立大学法人东京工业大学 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  户田喜丈 ,  中村伸宏 ,  宫川直通 ,  渡边晓 ,  渡边俊成

IPC: H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H05B33/06 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L51/5092 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3281 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5392 ,  H01L2251/558 ,  H05B33/06 ,  H05B33/26

Abstract: 一种发光元件，其具有以相互分离地对置的方式配置在基板的第一表面上的一对第一电极、配置在所述第一电极的至少一个上的发光层、配置在所述发光层上的第二电极、和将所述第一电极的各个电极连接的桥接层，所述桥接层由具有100kΩ～100MΩ范围的电阻的材料构成。

公开(公告)号：CN105793969A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480065559.0

申请日：2014-10-02

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 渡边俊成 ,  宫川直通 ,  伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  光井彰

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体装置，其为具有源极、漏极、栅极和非晶硅层的半导体装置，其特征在于，在上述源极和上述漏极的一者或两者与上述非晶硅层之间，具有含有钙原子和铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜。

公开(公告)号：CN102549707A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080037548.3

申请日：2010-08-24

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  宫川直通 ,  黑岩裕 ,  伊藤节郎

IPC: H01J61/06 ,  H01J9/02 ,  H01J61/067

CPC classification number: H01J61/0677 ,  H01J9/022 ,  H01J61/78

Abstract: 本发明涉及一种放电灯用电极，在发射二次电子的电极的至少一部分中具有钙铝石化合物，其中，所述钙铝石化合物的表面进行了等离子体处理。

公开(公告)号：CN102484031A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037996.3

申请日：2010-08-24

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 渡边晓 ,  宫川直通 ,  黑岩裕 ,  伊藤和弘 ,  伊藤节郎 ,  前田敬

IPC: H01J61/06 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J61/0675 ,  H01J9/042 ,  H01J61/0672

Abstract: 本发明涉及一种电极，其为具有发射热电子的电极主体部的放电灯用电极，其中，所述电极主体部由导电性钙铝石化合物的烧结体构成。

公开(公告)号：CN100343198C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200410069964.8

申请日：2004-07-16

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 篠原伸广 ,  渡边俊成 ,  柳泽荣治 ,  宫川直通

IPC: C04B38/00 ,  B01D39/20 ,  C04B35/584

CPC classification number: C04B38/0006 ,  C04B38/0025 ,  C04B2111/00129 ,  C04B35/584 ,  C04B38/08 ,  C04B40/0268 ,  C04B14/24 ,  C04B38/061

Abstract: 本发明提供一种以金属硅粒子作为起始原料、具有最适于除尘和脱尘的细孔径和气孔率的氮化硅质蜂窝式过滤器的制造方法。通过将含有50-85质量%的平均粒径5-50μm的金属硅粒子、5-30质量%的平均粒径为20-60μm的软化温度为400-1000℃的玻璃质中空粒子和10-20质量%的有机粘合剂的成形体，在氮气氛中进行热处理使金属硅实际上形成氮化硅。

公开(公告)号：CN1229164C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN02119316.9

申请日：2002-05-10

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 宫川直通

IPC: B01D39/20 ,  B01D29/31 ,  F01N3/022

CPC classification number: B28B11/006 ,  B01D39/2075 ,  B01D46/2418 ,  B01D2271/025 ,  C04B35/591 ,  C04B35/63416 ,  F01N3/0222 ,  Y02T10/20

Abstract: 一种用于密封氮化硅过滤器的方法，该过滤器通常具有圆柱状外形，并具有多个相互平行的通孔，孔延伸到相对端面，该方法包括：将含有金属硅粒子的组合物有选择地充填到每个端面上待密封的通孔开口附近，在氮气气氛中对氮化硅过滤器进行热处理，以使组合物中包含的金属硅粒子氮化，形成用于密封的氮化硅。

公开(公告)号：CN108293281A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680069408.1

申请日：2016-11-21

Applicant: 国立大学法人东京工业大学 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  云见日出也 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  宫川直通

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/08 ,  H01L51/48 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

Abstract: 一种制造光电转换元件的方法，具有：在基板上配置第一电极的步骤；在所述第一电极的上部配置由含有锌(Zn)以及氧(O)、并且还含有硅(Si)以及锡(Sn)中的至少一方的金属氧化物构成的第一薄膜的步骤；利用气体对具有所述第一电极以及所述第一薄膜的所述基板施加压力的步骤；在所述第一薄膜的上部配置作为将施加电压转换成光的层或者将入射光转换成电力的层的光电转换层的步骤；以及在所述光电转换层的上部配置第二电极的步骤。

公开(公告)号：CN105849929A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071371.7

申请日：2014-12-04

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 ,  国立大学法人东京工业大学 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  户田喜丈 ,  渡边俊成 ,  宫川直通 ,  伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  光井彰 ,  大越雄斗

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/5072 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/4273 ,  H01L51/44 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5353 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。

公开(公告)号：CN105283579A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480033195.8

申请日：2014-06-02

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  宫川直通 ,  渡边俊成 ,  光井彰

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/44

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423

Abstract: 一种非晶膜形成用溅射靶，其为含有导电性钙铝石化合物的溅射靶，该导电性钙铝石化合物的电子密度为3×1020cm-3以上，且该导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na和Zr所构成的组中的一种以上元素。

公开(公告)号：CN104684868A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380050813.5

申请日：2013-09-25

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  宫川直通

IPC: C04B35/44 ,  C01F7/00 ,  C01F7/16

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C01F7/002 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  H01B1/08

Abstract: 本发明涉及一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，包括准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序；将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。