公开(公告)号：CN101611160A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004970.1

申请日：2008-02-12

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 横山绅一郎 ,  饭田恭之 ,  佐佐木计 ,  石仓洋二 ,  板桥弘光 ,  三田正裕 ,  藤原义行

IPC: C22C19/03 ,  H01F1/147

CPC classification number: H01F1/14708 ,  C22C19/002 ,  C22C19/03 ,  C22F1/10

Abstract: 提供一种低磁场区域下的磁屏蔽性优异的磁屏蔽材料和使用它的磁屏蔽部件和磁屏蔽室。一种以质量％计，Ni：70.0～85.0％、Cu：6.0％以下、Mo：10.0％以下、Mn：2.0％以下，余量实质上由Fe构成的磁屏蔽材料，是磁场0.05A/m下的相对磁导率μr为40,000以上，最大外加磁场0.8A/m的直流磁滞曲线中的残留磁通密度Br和最大磁通密度B0.8的矩形比Br/B0.8为0.85以下的磁屏蔽材料。

公开(公告)号：CN105575912B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201510710709.5

申请日：2015-10-28

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 横山绅一郎 ,  石尾雅昭

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L2924/16195

Abstract: 本发明提供一种气密密封用盖及其制造方法、电子零件收纳封装包。盖设为包括：平板状的第1金属层；第2金属层，在第1金属层的平板状的一个面上具备；以及氧化皮膜层，在第1金属层的平板状的另一个面上具备；第1金属层的截面通过SEM‑EDX而检测出2质量％～8质量％的Cr，第2金属层的表面通过SEM‑EDX而检测出10质量％以下的Cr，氧化皮膜层的表面通过SEM‑EDX而检测出超过10质量％的Cr。并且，电子零件收纳封装包设为将所述盖与收纳有电子零件的陶瓷框体经由玻璃结合层而结合。本发明可进行激光标记的读取及识别信息的辨别、气密密封的可靠性得到提高，且可期待实现电子零件收纳封装包的薄型化。

公开(公告)号：CN105575912A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510710709.5

申请日：2015-10-28

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 横山绅一郎 ,  石尾雅昭

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L2924/16195 ,  H01L23/02 ,  H01L21/52 ,  H01L23/10 ,  H01L2223/00

Abstract: 本发明提供一种气密密封用盖及其制造方法、电子零件收纳封装包。盖设为包括：平板状的第1金属层；第2金属层，在第1金属层的平板状的一个面上具备；以及氧化皮膜层，在第1金属层的平板状的另一个面上具备；第1金属层的截面通过SEM-EDX而检测出2质量％～8质量％的Cr，第2金属层的表面通过SEM-EDX而检测出10质量％以下的Cr，氧化皮膜层的表面通过SEM-EDX而检测出超过10质量％的Cr。并且，电子零件收纳封装包设为将所述盖与收纳有电子零件的陶瓷框体经由玻璃结合层而结合。本发明可进行激光标记的读取及识别信息的辨别、气密密封的可靠性得到提高，且可期待实现电子零件收纳封装包的薄型化。

公开(公告)号：CN103748248A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280040056.9

申请日：2012-08-17

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 藤吉优 ,  横山绅一郎

IPC: C22C38/00 ,  C21D6/00 ,  H01F1/06

CPC classification number: G01R33/02 ,  C21D6/00 ,  C21D8/0247 ,  C22C38/00 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/004 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/08 ,  C22C38/14 ,  G01R33/0052 ,  G08B13/2442 ,  H01F1/14716 ,  H01F1/15308

Abstract: 本发明提供一种将防盗用磁传感器的磁偏条带所要求的矫顽力和剩余磁通密度维持在与现有的半硬质磁性材料相同的范围内、且降低了Ni含量的资源节约型的半硬质磁性材料和使用其而成的防盗用磁传感器及半硬质磁性材料的制造方法。该半硬质磁性材料是按质量％计包含Ni：5.0％以上且小于13.0％、Mn：0.5％以上且4.0％以下、Al：超过0％且3.0％以下、Ti：超过0％且1.0％以下，余量为Fe和杂质，矫顽力为1000～2400A／m，剩余磁通密度为1.3T以上。所述的半硬质磁性材料的制造方法是对冷轧后的薄板于520～680℃的温度范围内进行时效处理而使矫顽力为1000～2400A／m、剩余磁通密度为1.3T以上的半硬质磁性材料的制造方法。

公开(公告)号：CN101611160B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200880004970.1

申请日：2008-02-12

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 横山绅一郎 ,  饭田恭之 ,  佐佐木计 ,  石仓洋二 ,  板桥弘光 ,  三田正裕 ,  藤原义行

IPC: C22C19/03 ,  H01F1/147

CPC classification number: H01F1/14708 ,  C22C19/002 ,  C22C19/03 ,  C22F1/10

Abstract: 提供一种低磁场区域下的磁屏蔽性优异的磁屏蔽材料和使用它的磁屏蔽部件和磁屏蔽室。一种以质量％计，Ni：70.0～85.0％、Cu：6.0％以下、Mo：10.0％以下、Mn：2.0％以下，余量实质上由Fe构成的磁屏蔽材料，是磁场0.05A/m下的相对磁导率μr为40,000以上，最大外加磁场0.8A/m的直流磁滞曲线中的残留磁通密度Br和最大磁通密度B0.8的矩形比Br/B0.8为0.85以下的磁屏蔽材料。

公开(公告)号：CN101103458A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200680002080.8

申请日：2006-02-15

Applicant: 日立金属株式会社 ,  岛根县

Inventor： 横山绅一郎 ,  佐藤公纪

IPC: H01L23/373 ,  C22C47/04 ,  C22C47/14 ,  C22C49/02 ,  C23C18/31 ,  C22F1/08 ,  B22F3/14

CPC classification number: H01L23/3733 ,  B22F2998/00 ,  C22C47/04 ,  C22C49/02 ,  C23C18/38 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/26 ,  C23C20/02 ,  B22F3/14 ,  B22F2202/13 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种散热材料，它由大体上按一个方向对齐的碳纤维和铜复合而成的复合材料构成，其特征在于：在散热材料中所说的铜的金属组织是再结晶组织。本发明能提供由碳纤维和铜复合而成的复合材料构成的具有高热传导率的散热材料。