公开(公告)号：CN101611160B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200880004970.1

申请日：2008-02-12

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 横山绅一郎 ,  饭田恭之 ,  佐佐木计 ,  石仓洋二 ,  板桥弘光 ,  三田正裕 ,  藤原义行

IPC: C22C19/03 ,  H01F1/147

CPC classification number: H01F1/14708 ,  C22C19/002 ,  C22C19/03 ,  C22F1/10

Abstract: 提供一种低磁场区域下的磁屏蔽性优异的磁屏蔽材料和使用它的磁屏蔽部件和磁屏蔽室。一种以质量％计，Ni：70.0～85.0％、Cu：6.0％以下、Mo：10.0％以下、Mn：2.0％以下，余量实质上由Fe构成的磁屏蔽材料，是磁场0.05A/m下的相对磁导率μr为40,000以上，最大外加磁场0.8A/m的直流磁滞曲线中的残留磁通密度Br和最大磁通密度B0.8的矩形比Br/B0.8为0.85以下的磁屏蔽材料。

公开(公告)号：CN101611160A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004970.1

申请日：2008-02-12

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 横山绅一郎 ,  饭田恭之 ,  佐佐木计 ,  石仓洋二 ,  板桥弘光 ,  三田正裕 ,  藤原义行

IPC: C22C19/03 ,  H01F1/147

CPC classification number: H01F1/14708 ,  C22C19/002 ,  C22C19/03 ,  C22F1/10

Abstract: 提供一种低磁场区域下的磁屏蔽性优异的磁屏蔽材料和使用它的磁屏蔽部件和磁屏蔽室。一种以质量％计，Ni：70.0～85.0％、Cu：6.0％以下、Mo：10.0％以下、Mn：2.0％以下，余量实质上由Fe构成的磁屏蔽材料，是磁场0.05A/m下的相对磁导率μr为40,000以上，最大外加磁场0.8A/m的直流磁滞曲线中的残留磁通密度Br和最大磁通密度B0.8的矩形比Br/B0.8为0.85以下的磁屏蔽材料。