公开(公告)号：CN101611160B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200880004970.1

申请日：2008-02-12

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 横山绅一郎 ,  饭田恭之 ,  佐佐木计 ,  石仓洋二 ,  板桥弘光 ,  三田正裕 ,  藤原义行

IPC: C22C19/03 ,  H01F1/147

CPC classification number: H01F1/14708 ,  C22C19/002 ,  C22C19/03 ,  C22F1/10

Abstract: 提供一种低磁场区域下的磁屏蔽性优异的磁屏蔽材料和使用它的磁屏蔽部件和磁屏蔽室。一种以质量％计，Ni：70.0～85.0％、Cu：6.0％以下、Mo：10.0％以下、Mn：2.0％以下，余量实质上由Fe构成的磁屏蔽材料，是磁场0.05A/m下的相对磁导率μr为40,000以上，最大外加磁场0.8A/m的直流磁滞曲线中的残留磁通密度Br和最大磁通密度B0.8的矩形比Br/B0.8为0.85以下的磁屏蔽材料。

公开(公告)号：CN103814146A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201280045566.5

申请日：2012-09-18

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 横山绅一郎 ,  藤原义行

IPC: C22C38/00 ,  C22C38/58 ,  H01F1/14 ,  H01F1/16

CPC classification number: C22C38/58 ,  C21D8/12 ,  C22C38/001 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/34 ,  C22C38/40 ,  H01F1/147 ,  H01F1/16

Abstract: 本发明提供能够适用于利用磁路的工业制品的、在单一材料中兼具强磁性区域和弱磁性区域的复合磁性中可以兼具具有优异的软磁特性、铁损和高磁通密度的强磁性区域以及即使在极低温环境下也稳定的弱磁性区域的复合磁性材原材料和复合磁性构件。在用于制成兼具强磁性区域和弱磁性区域的复合磁性构件的复合磁性材原材料中，前述复合磁性材原材料为满足以质量%计C：0.30～0.80%、N：0.01～0.10%、Al：0.5～2.5%、Si：0.5～2.5%、Mn：1.0～2.8%、Ni：0.1～2.5%、Cr：14.0～16.5%、且2.5%≤Al+Si≤3.5%、Mn+Ni：2.0%以上，余量由Fe及杂质组成的复合磁性材原材料。

公开(公告)号：CN103814146B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280045566.5

申请日：2012-09-18

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 横山绅一郎 ,  藤原义行

IPC: C22C38/00 ,  C22C38/58 ,  H01F1/14 ,  H01F1/16

CPC classification number: C22C38/58 ,  C21D8/12 ,  C22C38/001 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/34 ,  C22C38/40 ,  H01F1/147 ,  H01F1/16

Abstract: 本发明提供能够适用于利用磁路的工业制品的、在单一材料中兼具强磁性区域和弱磁性区域的复合磁性中可以兼具具有优异的软磁特性、铁损和高磁通密度的强磁性区域以及即使在极低温环境下也稳定的弱磁性区域的复合磁性材原材料和复合磁性构件。在用于制成兼具强磁性区域和弱磁性区域的复合磁性构件的复合磁性材原材料中，前述复合磁性材原材料为满足以质量%计C：0.30～0.80%、N：0.01～0.10%、Al：0.5～2.5%、Si：0.5～2.5%、Mn：1.0～2.8%、Ni：0.1～2.5%、Cr：14.0～16.5%、且2.5%≤Al+Si≤3.5%、Mn+Ni：2.0%以上，余量由Fe及杂质组成的复合磁性材原材料。

公开(公告)号：CN101611160A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004970.1

申请日：2008-02-12

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 横山绅一郎 ,  饭田恭之 ,  佐佐木计 ,  石仓洋二 ,  板桥弘光 ,  三田正裕 ,  藤原义行

IPC: C22C19/03 ,  H01F1/147

CPC classification number: H01F1/14708 ,  C22C19/002 ,  C22C19/03 ,  C22F1/10

Abstract: 提供一种低磁场区域下的磁屏蔽性优异的磁屏蔽材料和使用它的磁屏蔽部件和磁屏蔽室。一种以质量％计，Ni：70.0～85.0％、Cu：6.0％以下、Mo：10.0％以下、Mn：2.0％以下，余量实质上由Fe构成的磁屏蔽材料，是磁场0.05A/m下的相对磁导率μr为40,000以上，最大外加磁场0.8A/m的直流磁滞曲线中的残留磁通密度Br和最大磁通密度B0.8的矩形比Br/B0.8为0.85以下的磁屏蔽材料。

公开(公告)号：CN103320716A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310088615.X

申请日：2013-03-19

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 横山绅一郎 ,  藤原义行 ,  福泽范英

IPC: C22C38/58 ,  C22C38/40 ,  C22C38/00 ,  C21D8/00 ,  H01F1/12

Abstract: 本发明提供一种复合磁性材料的原材料的制造方法，通过对具有以质量%计，满足C：0.40～0.70%、N：0.01～0.05%、Al：0.3～2.5%、Si：0.5～3.0%、Mn：超过0且在2.5%以下、Cr：12.0～18.0%、Ni：0.5～2.5%、并且Al＋Si：1.8～3.5%、Mn＋Ni：2.0～4.5%的组成，剩余部分由Fe及杂质构成且施加了热轧与软化退火的原材料进行冷轧而获得板厚0.2～0.8mm的冷轧材料，之后利用超过700℃且在1170℃以下的温度范围内的低铁损化热处理获得最大动作磁通密度1T、动作频率400Hz中的铁损W10／400为95W／kg以下的复合磁性材料的原材料。

公开(公告)号：CN103237912A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180058631.3

申请日：2011-12-05

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 藤原义行 ,  横山绅一郎

IPC: C22C38/00 ,  C22C38/40 ,  H01F1/14

CPC classification number: C22C38/001 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/40 ,  H01F1/147 ,  H01F41/0246

Abstract: 本发明提供复合磁性材料用坯材和复合磁性材料，该复合磁性材料用坯材作为能够应用于利用磁路的工业产品中的、用于得到在单一材料中兼具铁磁性区和弱磁区的复合磁性材料的坯材，能够提高在极低温度下的弱磁区的组织稳定性且兼具具有优异的软磁特性的铁磁性区。该复合磁性材料用坯材用于形成具有铁磁性区和非熔融的弱磁区的复合磁性体，所述复合磁性材料用坯材满足以质量%计C：0.30～0.80%、N：0.01～0.10%、Al：0.5～2.0%、Si：1.0～2.0%、Mn：0.6～1.2%、Cr：16.5～18.0%、Ni：1.5～2.5%并且Al+Si：3.5%以下，剩余部分由Fe和杂质组成。