-
公开(公告)号：CN103221559A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180056157.0
申请日：2011-11-16
Applicant: 日立金属株式会社 , 泰科纳等离子系统有限公司
CPC classification number: C22B34/129 , B22F9/26 , C22B34/1272 , F27D99/00
Abstract: 金属钛制造装置包括：（a）第一流路，其用于供给气体状的镁；（b）第二流路，其用于供给气体状的四氯化钛；（c）气体混合部，气体状的镁和气体状的四氯化钛能够在该气体混合部内混合，气体混合部内的温度被控制在1600℃以上；（d）金属钛析出部，以析出用粒子能够在金属钛析出部移动的方式配置有析出用粒子，该金属钛析出部的温度范围处于715℃～1500℃，绝对压力为50kPa～500kPa；以及（e）混合气体的排出部，其与金属钛析出部相连通。
-
公开(公告)号：CN115279926A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180019418.5
申请日：2021-03-10
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 提供一种能够稳定地获得优异的磁特性的Fe‑Co系合金棒材及其制造方法。一种Fe‑Co系合金棒材的制造方法，包括加热笔直工序，所述加热笔直工序是对于Fe‑Co系合金的热轧材，一边将所述热轧材的温度加热到500℃～900℃一边赋予拉伸应力。优选为在所述加热笔直工序的加热方法中使用通电加热。另外，一种Fe‑Co系合金棒材，以面积比率计具有20％以上的晶粒取向扩展值(Grain Orientation Spread，GOS)显示为0.5°以上的晶粒。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108950490A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810517955.2
申请日：2018-05-25
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/457 , C04B35/453
Abstract: 本发明提供一种氧化物靶材及其制造方法，所述氧化物靶材用于形成ZTO薄膜，所述ZTO薄膜为抑制阈值电压的不稳定性的、构成对高精细的显示器等进行驱动的TFT的沟道层的ZTO薄膜。相对于金属成分整体，含有20.0原子％～50.0％原子的Sn，余量由Zn及不可避免的杂质组成，面积10000μm2中的ZnO相的面积率为10.5面积％以下，更优选相对于金属成分整体，含有总计0.005原子％～4.000原子％的Al、Ga、Mo及W中的1种以上。
-
公开(公告)号：CN107236877A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710192660.8
申请日：2017-03-28
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供溅射靶材及其制造方法，该溅射靶材为用于减少分割溅射靶中的分割数的长尺寸制品，且在均匀地控制氧化物半导体膜的厚度方面是适宜的。一种溅射靶材，其为相对于金属成分整体含有20～50原子％的Sn、余量为Zn和不可避免的杂质的氧化物烧结体，且该溅射靶材的长边为660mm以上，短边为200mm以上，厚度方向的相对密度的离散度[(最大值‑最小值)/平均值×100](％)为0.4％以下。
-
公开(公告)号：CN106868459A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611127906.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/086
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其能够抑制在溅射靶材的机械加工时、焊接工序中的翻转作业等处理中的裂纹的产生。一种溅射靶材，其为相对于金属成分整体，含有20原子％～50原子％的Sn、50原子％～80原子％的Zn的氧化物烧结体，在每1050μm2中，具有超过2.0μm的圆当量直径的孔隙不足1个，优选相对密度的平均值为98.5％以上，更优选其的距平均值的离散度为0.3％以下。
-
公开(公告)号：CN103221559B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201180056157.0
申请日：2011-11-16
Applicant: 日立金属株式会社 , 泰科纳等离子系统有限公司
CPC classification number: C22B34/129 , B22F9/26 , C22B34/1272 , F27D99/00
Abstract: 金属钛制造装置包括：（a）第一流路，其用于供给气体状的镁；（b）第二流路，其用于供给气体状的四氯化钛；（c）气体混合部，气体状的镁和气体状的四氯化钛能够在该气体混合部内混合，气体混合部内的温度被控制在1600℃以上；（d）金属钛析出部，以析出用粒子能够在金属钛析出部移动的方式配置有析出用粒子，该金属钛析出部的温度范围处于715℃～1500℃，绝对压力为50kPa～500kPa；以及（e）混合气体的排出部，其与金属钛析出部相连通。
-
公开(公告)号：CN102803527A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180014738.8
申请日：2011-03-07
Applicant: 日立金属株式会社 , 泰科纳等离子系统有限公司
CPC classification number: C23C16/06 , C22B34/1272 , F27B17/00 , F27D2099/0015 , Y02P10/253
Abstract: 本发明提供一种金属钛制造装置，其包括：(a)使固体镁蒸发的镁蒸发部及与蒸发部连通的供应气体状的镁的第一流路；(b)供应气体状的四氯化钛的第二流路；(c)与第一流路及第二流路连通的混合气体状的镁和四氯化钛的气体混合部，其绝对压力控制为50kPa～500kPa，温度控制为1600℃以上；(d)与气体混合部连通，并配置有至少一部分处于715～1500℃的温度范围的析出用基材，且绝对压力为50kPa～500kPa的金属钛析出部；(e)与金属钛析出部连通的混合气体的排出部。
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.023 seconds)
