热式空气流量计
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108458762B

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201810190200.6

    申请日:2013-12-13

    Abstract: 为了提供测量精度高的热式流量计,采用以下结构:具有流量检测部、用于配置上述流量检测部的副通路和被输入从上述流量检测部得到的信号且向外部输出信号的LSI,上述副通路的侧壁配置在上述流量检测部与上述LSI之间或者配置在上述LSI上,设置在上述LSI的内部的扩散电阻的长度方向与单晶硅的 轴平行。

    热式流量计的制造方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105378441B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201480034692.X

    申请日:2014-02-07

    CPC classification number: G01F1/692 G01F1/684 G01F5/00

    Abstract: 本发明的目的在于,在膜片结构部的附近具有使用模具而形成的树脂部的结构的热式流量计中,防止膜片结构部在模具按压时被破坏,为此,在热式流量计的制造方法中,以在膜片(201)的四周,对树脂部(104)进行模塑的模具所形成的按压力的作用部位于基板倾斜部(202a)的外侧的方式设定模具,该热式流量计的制造方法是将气体流量测定元件(200)支承在支承构件(102b)、(111)上,并利用通过模塑而形成的树脂部(104)被覆气体流量测定元件(200)和支承构件(102b)、(111),该气体流量测定元件(200)包括:空腔部(202),其由相对于基板面而倾斜的基板倾斜部(202a)围成;膜片(201),其覆盖空腔部;以及电阻,其形成于膜片(201)上。

    热式空气流量传感器
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103975226B

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201180075125.5

    申请日:2011-11-28

    CPC classification number: G01F1/69 G01F1/692

    Abstract: 本发明提供减少了测量误差的热式空气流量传感器。上述热式空气流量传感器包括:半导体衬底;形成于上述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体;和将上述半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部,上述发热电阻体和上述测温电阻体形成在上述膜片部上,在上述发热电阻体和上述测温电阻体的上层具有作为上述电绝缘体而形成的氮化硅膜,其中,上述氮化硅膜形成有与上述发热电阻体和上述测温电阻体图案对应的台阶,并且,上述氮化硅膜为多层构造。

    热式空气流量计
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105408727B

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201480041230.0

    申请日:2014-02-03

    CPC classification number: G01F1/684 G01F1/6842 G01F1/692 G01F5/00 G01F15/14

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种测量精度高的热式空气流量计,该热式空气流量计确保流量检测部的高的定位精度、并降低产生于LSI内的电阻的热应力的影响。因此,在具备通过将具备电阻(7)的LSI3与流量检测部(4a)以流量检测部(4a)的至少一部分露出的方式嵌入模制而构成的传感器部件(100)、具有副通路(305i、305o、305s)将流量检测部(4a)配置于副通路(305s)内并收纳传感器部件(100)的箱体(301),传感器部件(100)由第一树脂模制成形,箱体(301)由第二树脂模制成形的热式空气流量计中,传感器部件(100)利用形成第二树脂固定于箱体(301),具备相对于传感器部件(100)产生与流量检测部(4a)的露出面平行的方向的拉伸应力的树脂结构(20、21)。

    热式空气流量计
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108458762A

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201810190200.6

    申请日:2013-12-13

    Abstract: 为了提供测量精度高的热式流量计,采用以下结构:具有流量检测部、用于配置上述流量检测部的副通路和被输入从上述流量检测部得到的信号且向外部输出信号的LSI,上述副通路的侧壁配置在上述流量检测部与上述LSI之间或者配置在上述LSI上,设置在上述LSI的内部的扩散电阻的长度方向与单晶硅的 轴平行。

    热式空气流量传感器
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104508434B

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201380040625.4

    申请日:2013-06-28

    CPC classification number: G01F1/692 G01F1/6842 G01F1/6845

    Abstract: 提供流量测定精度高的热式空气流量传感器。该热式空气流量传感器具有测定元件,该测定元件包括:半导体衬底;电绝缘体,其包括在上述半导体衬底上沉积薄膜而形成的发热电阻体、测温电阻体和氧化硅膜;和隔膜部,其是将半导体衬底的一部分除去而形成的,在上述隔膜部上形成有上述发热电阻体和上述测温电阻体,薄膜相对于上述测定元件的面积的占有面积的比率为40%~60%。

    热式空气流量传感器
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103975226A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201180075125.5

    申请日:2011-11-28

    CPC classification number: G01F1/69 G01F1/692

    Abstract: 本发明提供减少了测量误差的热式空气流量传感器。上述热式空气流量传感器包括:半导体衬底;形成于上述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体;和将上述半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部,上述发热电阻体和上述测温电阻体形成在上述膜片部上,在上述发热电阻体和上述测温电阻体的上层具有作为上述电绝缘体而形成的氮化硅膜,其中,上述氮化硅膜形成有与上述发热电阻体和上述测温电阻体图案对应的台阶,并且,上述氮化硅膜为多层构造。

    热式空气流量传感器
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103003675A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201180035120.X

    申请日:2011-07-06

    CPC classification number: H01L37/00 B81C1/00793 G01F1/6845 G01F1/692

    Abstract: 本发明的目的在于提供抑制形成于表面的最近处(最上层)的硅氧化膜的吸湿,降低计测误差的热式空气流量传感器。为了达成上述目的,本发明的热式空气流量传感器,对形成于表面的最近处(最上层)的硅氧化膜(4)使用硅、氧或者氩、氮等惰性元素中的至少某一种原子或者分子进行离子注入,使硅氧化膜(4)所含的原子的浓度比进行离子注入前高。

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