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公开(公告)号：CN117355719A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202180098332.6
申请日：2021-07-21
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: F28F1/40
Abstract: 本发明的换热器在扁平通道内配置具有传热性的内散热片，所述内散热片由多个散热片部形成，所述散热片部具有由顶面部和侧面部形成的凸形状，而且在所述凸形状的内侧具有中空，在将经由连结部而一连串地形成来排列的方向定义为第1方向、将多个所述散热片部彼此之间形成狭缝来排列的方向定义为第2方向的情况下，多个所述散热片部彼此在所述第2方向上空出规定间隔加以配置，所述内散热片配置成所述第1方向及所述第2方向相对于流至所述扁平通道内的制冷剂的流动而分别成锐角。
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公开(公告)号：CN116802801A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202180089194.5
申请日：2021-09-29
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明为一种形成为大致长方形状的、对功率半导体元件进行冷却的换热装置以及配备换热装置的功率变换装置，具备沿短边方向流动冷却水的散热片形成区域和在层叠方向上将间隔壁夹在中间而与散热片形成区域相对地形成的缓冲区域，在长边方向的两端部中的至少一方分别形成有冷却水的入口及出口，在短边方向的两端部形成有连接散热片形成区域与缓冲区域的流路孔，缓冲区域具有划分从入口流入的冷却水与去往出口的冷却水的分隔部，散热片形成区域与入口及出口经由流路孔而各自连接。
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公开(公告)号：CN118648106A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202280090847.6
申请日：2022-12-28
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 半导体装置具备：多个半导体元件；导体板，其接合有所述多个半导体元件；绝缘片，其粘接在所述导体板的与所述多个半导体元件侧相反的面上；以及树脂构件，其密封所述多个半导体元件、所述绝缘片和所述导体板，所述导体板具有：多个元件接合区域，其供所述多个半导体元件的每一个接合；以及连接区域，其设置在所述多个元件接合区域之间，所述导体板的所述元件接合区域中的所述绝缘片侧表面比所述连接区域的所述绝缘片侧表面突出并与所述绝缘片粘接，在所述导体板的所述连接区域中的所述绝缘片侧表面与所述绝缘片之间填充所述树脂构件。
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公开(公告)号：CN115668485A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180035676.2
申请日：2021-01-22
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 功率模块具备：第一导体板，其接合有第一功率半导体元件；第二导体板，其接合有第二功率半导体元件并且与所述第一导体板相邻配置；第一散热构件，其与所述第一导体板及所述第二导体板相对配置；以及第一绝缘片构件，其配置在所述第一散热构件和所述第一导体板之间，在从靠近所述第二导体板一侧的所述第一导体板的端部到所述第一功率半导体元件的第一长度比从远离所述第二导体板一侧的所述第一导体板的端部到所述第一功率半导体元件的第二长度大的位置，配置有所述第一功率半导体元件，所述第二长度大于所述第一导体板的厚度。
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公开(公告)号：CN115088065A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202080096165.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明具备：功率半导体元件；第一导体板，其与所述功率半导体元件的一个面连接；第一片状构件，其具有第一树脂绝缘层且至少覆盖所述第一导体板的表面；密封材料，其密封所述功率半导体元件、所述第一导体板及所述第一片状构件的端部；以及第一冷却构件，其与所述第一片状构件密接，所述第一片状构件具有：所述第一片状构件的所述端部被所述密封材料覆盖而成的埋没部；作为与所述第一导体板的表面重叠的区域的散热面部；以及作为所述埋没部和所述散热面部之间的区域的余白部，所述余白部比所述散热面部向内部后退，所述埋没部比所述余白部向内部后退。
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