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公开(公告)号：CN104471718A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380038079.0
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供的太阳能电池元件，其具有：具有受光面、与上述受光面相反侧的背面及侧面的半导体基板；配置于上述受光面上的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面、上述背面及侧面中的至少一个面上且含有选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的至少1种化合物的钝化层。
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公开(公告)号：CN106935664A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201611001547.9
申请日：2013-07-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547 , H01L31/18
Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基；n表示0～3的整数；X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基；R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
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公开(公告)号：CN106471626A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580035295.9
申请日：2015-07-02
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L21/316 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供包含下述通式(I)所示的化合物和水的第1钝化层形成用组合物及包含下述通式(I)所示的化合物的水解物的第2钝化层形成用组合物。通式(I)：M(OR1)m[通式(I)中，M表示选自Al、Nb、Ta、VO、Y及Hf中的至少1种。R1分别独立地表示烷基或芳基。m表示1～5的整数]。
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公开(公告)号：CN105518828A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480047084.2
申请日：2014-08-20
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成组合物、使用该n型扩散层形成组合物的n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子、分散介质和有机金属化合物。
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公开(公告)号：CN105229750A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201380076538.4
申请日：2013-05-13
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01B1/22 , C03C3/074 , C03C3/21 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , C03C3/0745 , C03C3/21 , H01B1/22 , H01L31/022441 , H01L31/02245 , H01L31/022458 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的电极形成用组合物含有：含磷铜合金粒子、含锡粒子、含有特定金属元素M[M表示选自Li、Be、Na、Mg、K、Ca、Rb、Sr、Cs、Ba、Fr、Ra、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Pd、Ag、Cd、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Al、Ga、Ge、In、Sb、Tl、Pb、Bi和Po中的至少1种]的粒子、玻璃粒子、溶剂和树脂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104488069A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380036945.2
申请日：2013-07-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , C23C18/1216 , H01L31/022425 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , C23C18/10
Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
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公开(公告)号：CN104471717A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380038010.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02013 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种钝化层形成用组合物，其含有通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物和树脂。式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基。m表示1～5的整数。
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公开(公告)号：CN104081517A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280067367.4
申请日：2012-12-11
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C08G2261/1426 , C08G2261/1452 , C08G2261/148 , C08G2261/312 , C08G2261/3444 , C08G2261/91 , C08L65/00 , C08L65/02 , H01L23/3171 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有酸性基的化合物。根据本发明，可以以简便的方法形成具有优异钝化效果的半导体基板用钝化膜。
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公开(公告)号：CN104081499A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380005051.7
申请日：2013-01-10
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其含有：含施主元素化合物；金属化合物，其是与上述含施主元素化合物不同的化合物，且含有选自碱土金属及碱金属中的至少1种金属元素；和分散介质。此外，本发明还提供一种带n型扩散层的半导体基板的制造方法，其在半导体基板上赋予上述n型扩散层形成用组合物而形成组合物层，并且对形成有上述组合物层的半导体基板实施热处理，从而制造带n型扩散层的半导体基板。
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公开(公告)号：CN104025306A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201380004639.0
申请日：2013-01-10
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L21/2255 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池用基板的制造方法，其包括：在半导体基板的表面上形成含有金属化合物的掩模层的工序，其中，所述金属化合物含有碱土金属或碱金属；和在上述半导体基板的未形成掩模层的区域形成扩散层的工序。
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