公开(公告)号：CN1282226C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN97199370.X

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为50-500纳米，初级颗粒粒径中央值为50-190纳米，颗粒粒径中央值为200-510纳米，颗粒最大粒径在1430纳米以下。

公开(公告)号：CN1795543A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014467.6

申请日：2004-05-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小山直之 ,  町井洋一 ,  吉田诚人 ,  深泽正人 ,  芦泽寅之助

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1454

Abstract: 本发明涉及一种研磨剂，其包含在介质中分散有4价金属氢氧化物粒子的研浆和添加剂，所述添加剂为含有从由通式(I)以及通式(II)所表示的单体中选出的至少一种单体成分的聚合物。通式(I)中R1表示氢、甲基、苯基、苯甲基、氯基、二氟甲基、三氟甲基、氰基，R2、R3分别表示独立的氢或C2～C18的烷基链、羟甲基、乙酰基、双丙酮基，但不包括两个均为氢的情况。通式(II)中，R1与通式(I)一样，R4表示吗啉基、硫化吗啉基、吡咯烷基、哌啶基。本发明提供的研磨剂，由粒子与被研磨膜形成化学反应层，由于粒子非常小的机械作用和研磨垫的机械除去而不产生研磨损伤，并通过添加剂来实现高平坦化。

公开(公告)号：CN102965025A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210434219.3

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、其用途以及研磨方法。本发明的氧化硅用研磨剂为用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，包括研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，所述多晶硅研磨抑制剂包括从聚乙烯吡咯烷酮或者含有乙烯吡咯烷酮的共聚物选出的聚乙烯吡咯烷酮类。

公开(公告)号：CN101649182A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200810184455.8

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO 2 绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为10～600纳米，初级颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN1323124C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN03119819.8

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN1935927A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610142509.5

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。

公开(公告)号：CN1245471C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN03119818.X

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C01F17/0043 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。