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公开(公告)号：CN116741692A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310115342.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供半导体制造装置用部件，能够抑制发生开裂，并且，从外部控制内部空间。半导体制造装置用部件(10)具备：基底基材(20)、聚焦环(FR)载放台(30)、晶片载放台(40)、以及内部空间(50)。基底基材(20)具有晶片载放台支撑部(21)和FR载放台支撑部(22)。FR载放台(30)借助环状接合层(26)而接合于FR载放台支撑面(22a)。晶片载放台(40)与FR载放台(30)分体，且俯视与FR载放面(30a)的内周部重复，借助圆形接合层(27)而接合于晶片载放台支撑面(21a)及FR载放面(30a)的内周部。内部空间(50)为由晶片载放台支撑部(21)的侧面、FR载放台(30)的内周面及圆形接合层(27)包围的环状空间，借助连通路(25)而与外部连通。
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公开(公告)号：CN116454002A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211018740.9
申请日：2022-08-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种具备容许气体流通的多孔质插塞的廉价的半导体制造装置用部件。半导体制造装置用部件(10)具备：陶瓷板(20)，其上表面具有晶片载放面(21)；以及树脂多孔质插塞(50)，其上表面(50a)在晶片载放面(21)露出。树脂多孔质插塞(50)被压入固定于：沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)的插塞插入孔(54)，并容许气体流通。
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公开(公告)号：CN116130324A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210953556.7
申请日：2022-08-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台。晶片载放台(10)具备：氧化铝基材(20)、冷却基材(30)、以及展延性的内螺纹部件(38)。氧化铝基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a)，且内置有电极(26)。冷却基材(30)接合于氧化铝基材(20)的下表面，且在内部形成有冷媒流路(32)。内螺纹部件(38)以被限制了轴旋转的状态且卡合于收纳孔(36)的卡合部的状态收纳于在冷却基材(30)的下表面呈开口的收纳孔(36)内。内螺纹部件(38)能够与从冷却基材(30)的下表面侧插入的螺栓(98)的外螺纹进行旋合。
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公开(公告)号：CN115954252A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210678561.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 一种晶片载放台，降低排热能力高且不易发生破损的晶片载放台的制造成本。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，上表面具有晶片载放面(22a)，内置有电极(26)；冷却基材(30)，内部形成有冷媒流路(38)；金属接合层(40)，将陶瓷基材(20)的下表面和冷却基材(30)的上表面接合。冷却基材(30)具有：金属基复合材料制或低热膨胀金属材料制的顶部基材(81)，构成冷媒流路(38)的顶部；主成分与陶瓷基材(20)相同的陶瓷材料制的带沟基材(83)，上表面设置有构成冷媒流路(38)的底部及侧壁的流路沟(88)；金属制的顶部接合层(82)，将顶部基材(81)的下表面和带沟基材(83)的上表面接合。
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公开(公告)号：CN114375074A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111203612.7
申请日：2021-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够防止供电部件从位于板侧安装位置的端子脱落的晶片载置台。陶瓷加热器(10)具备陶瓷板(20)、电极(第一及第二加热器电极(21、22))、第一及第二供电部件(31、32)、板侧的第一及第二端子孔(23a、24a)、以及电源侧的第一及第二安装孔(61、62)。第一及第二安装孔(61、62)在俯视时与第一及第二端子孔(23a、24a)偏离。第一供电部件(31)具备使第一供电部件(31)从第一安装孔(61)向第一端子孔(23a)强制地进行方向转换的金属构件(31a)。第二供电部件(32)也是同样的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116110766B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210788357.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的顶面至晶片载放面(22a)的距离(d)，最下游部(32L)的距离(d)比最上游部(32U)的距离(d)短。
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公开(公告)号：CN118251756A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280006998.9
申请日：2022-10-25
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 晶圆载置台(10)具备陶瓷板(20)、冷却板(30)、接合层(40)、凹槽(21d)、插塞配置孔(24)以及多孔插塞(50)。陶瓷板(20)具有在基准面(21c)设置有用于支撑晶圆(W)的多个小突起(21b)的晶圆载置部(21)，且内置有电极(22)。冷却板(30)具有制冷剂流路(32)。接合层(40)将陶瓷板(20)与冷却板(30)接合。凹槽(21d)设置于基准面(21c)，底面比基准面(21c)低。插塞配置孔(24)在厚度方向上贯通陶瓷板(20)，在凹槽(21d)的底面开口。多孔插塞(50)配置于插塞配置孔(24)，顶面与凹槽(21d)的底面为相同高度，外周面接合于插塞配置孔(24)的内周面，允许气体流通。
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公开(公告)号：CN117897804A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280005270.4
申请日：2022-06-23
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷基材20，其上表面具有晶片载放面22a，且内置有电极26；金属陶瓷复合材料制的冷却基材30，其内部形成有冷媒流路32；以及金属接合层40，其将陶瓷基材20的下表面和冷却基材30的上表面接合。冷却基材30中的比冷媒流路32更靠下侧的厚度为13mm以上，或者为冷却基材30整体的厚度的43％以上。
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公开(公告)号：CN116960043A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310007250.7
申请日：2023-01-04
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其能够抑制晶片的端子孔的正上方附近成为温度特异点。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、供电端子(54)、以及供电端子孔(36)。陶瓷基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a)，且内置有电极(26)。冷却基材(30)接合于陶瓷基材(20)的下表面，且形成有制冷剂流路(32)。供电端子(54)与电极(26)连接。供电端子孔(36)沿着上下方向贯穿冷却基材(30)，且对供电端子(54)进行收纳。供电端子孔(36)与制冷剂流路(32)交叉。
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公开(公告)号：CN116344428A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211023886.2
申请日：2022-08-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用部件，能够抑制在晶片与导电性基材之间发生放电。半导体制造装置用部件(10)具备：陶瓷板(20)；金属接合层(40)及冷却板(30)(导电性基材)，它们设置于陶瓷板(20)的下表面；第一孔(24)，其沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)；以及贯通孔(42)及气体孔(34)(第二孔)，它们沿着上下方向贯穿导电性部件，且与第一孔(24)连通。多孔质插塞(50)的上表面在第一孔(24)的上部开口露出，下表面位于导电性基材的上表面以下。绝缘管(60)的上表面位于比晶片载放面(21)更靠下方的位置，下表面位于比多孔质插塞(50)的下表面更靠下方的位置。一体化部件(As)是通过多孔质插塞(50)和绝缘管(60)被一体化而得到的，其外周面通过从第一孔(24)的上表面至第二孔的内部的粘接层(70)而被固定于第一孔(24)及第二孔。
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