公开(公告)号：CN1555580A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN02817952.8

申请日：2002-09-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 间部谦三 ,  远藤和彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314 ,  H01L21/471

CPC classification number: H01L21/02244 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

Abstract: 在具有MIS(金属－绝缘膜－半导体)结构的半导体器件中，在半导体上使用以AL、O、N原子为主体的膜。另外，在具有MIS结构的半导体器件中，在源和漏之间的沟道区上，作为栅绝缘膜而设置以AL、O、N原子为主体的膜。满足栅长为0.05μm等级的半导体晶体管的栅绝缘膜所要求的特性。特别是，不具有膜中的固定电荷，降低了杂质扩散。

公开(公告)号：CN1198002A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98108828.7

申请日：1998-04-02

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松原义久 ,  远藤和彦

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在非晶氟化碳膜与金属之间的界面放置诸如氮化钛高熔点含氮金属膜。由于高熔点含氮金属膜的防止氟扩散的功能,得到的结构能防止加热处理时诸如金属与氟反应等问题,也可以解决金属膜的塌下或膨胀。另外,在制造步骤中可以引入热处理步骤,所以可以完成实用的由低介电常数非晶碳构成的多层布线结构的LSI制备工艺。