公开(公告)号：CN1490883A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03158436.5

申请日：2003-09-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 土弘 ,  世良贤二

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/127 ,  G11C7/062 ,  H01L27/1214 ,  H03F3/45192 ,  H03F3/45219 ,  H03K5/2481 ,  H03K19/0016

Abstract: 提供一种能够不以复杂工序在多晶硅膜上形成适合电路特性的n沟道型TFT和p沟道型TFT的薄膜半导体装置及其制造方法。本发明包含在形成于玻璃基板1上的多晶硅膜3上形成n沟道型TFT和p沟道型TFT时，在n沟道型TFT的一部分沟道区中和p沟道型TFT的一部分沟道区中同时引入P型或N型掺杂剂的工序，可以通过1次沟道掺杂形成低VT和高VT的p沟道型TFT组，以及低VT和高VT的n沟道型TFT组，借助于用此方法形成能够减小逻辑、开关电路的关态电流的高VT－TFT，以及能够扩大模拟电路的动态范围的低VT－TFT，求得了薄膜半导体装置性能的提高。

公开(公告)号：CN1402538A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02127779.6

申请日：2002-08-05

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 世良贤二 ,  奥村藤男

IPC: H04N5/74 ,  H04N5/335 ,  H04N9/30

CPC classification number: H01L29/78633 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种TFT矩阵基底，它有效地阻挡了朝向TFT的有源层传播的光。具有图案的第一遮光层以这样一种方式形成于一个透明板和TFT之间，以便与TFT的有源层相重叠。形成具有图案的第三遮光层，以便覆盖相对于TFT来说是位于所述板的对侧上的TFT。第三遮光层具有沿着所述矩阵的行延伸的第一部分，以及沿着其列延伸的第二部分。具有图案的第二遮光层形成于所述第一遮光层和TFT之间。第二遮光层具有吸光特性，它会吸收进入所述基底内侧的光。可以在TFT和第三遮光层之间，额外提供一个形成图案的、具有吸光特性第四遮光层。

公开(公告)号：CN100590877C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200610071008.2

申请日：2003-09-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 土弘 ,  世良贤二

IPC: H01L27/12

Abstract: 提供一种能够不以复杂工序在多晶硅膜上形成适合电路特性的n沟道型TFT和p沟道型TFT的薄膜半导体装置及其制造方法。本发明包含在形成于玻璃基板1上的多晶硅膜3上形成n沟道型TFT和p沟道型TFT时，在n沟道型TFT的一部分沟道区中和p沟道型TFT的一部分沟道区中同时引入P型或N型掺杂剂的工序，可以通过1次沟道掺杂形成低VT和高VT的p沟道型TFT组，以及低VT和高VT的n沟道型TFT组，借助于用此方法形成能够减小逻辑、开关电路的关态电流的高VT-TFT，以及能够扩大模拟电路的动态范围的低VT-TFT，求得了薄膜半导体装置性能的提高。

公开(公告)号：CN1329966C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03154327.8

申请日：2003-08-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永直记 ,  世良贤二

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包括：绝缘基板(1)、形成于该基板上的半导体层(4)和在形成于该半导体层中的源区和漏区(10，11)之上的形成的源电极和漏电极(15，16)，源电极和漏电极由铝或铝合金构成，该方法包括以下步骤：形成栅电极(9)；将杂质的离子注入到用于形成源区和漏区的半导体层中；在基板的整个表面上形成层间绝缘膜(13)；形成贯通层间绝缘膜的接触孔(14)，使得源区和漏区从接触孔露出；在接触孔中形成由铝或铝合金构成的导电膜，以形成源电极和漏电极(15，16)；以及在275～350℃条件下，在惰性气氛中对基板进行1.5～3小时的热退火。

公开(公告)号：CN1272853C

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN03153462.7

申请日：2003-08-13

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永直记 ,  世良贤二 ,  高桥美朝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78624

Abstract: 提供了一种薄膜半导体器件，其包括在玻璃衬底上形成的具有不同驱动电压的多个薄膜晶体管TFT，其中在多个薄膜晶体管的各驱动电压处的栅极绝缘膜的电场在大约1MV/cm至2MV/cm的范围内，并且p-型薄膜晶体管TFT的漏极浓度在大约3E+19/cm3至1E+20/cm3的范围内。

公开(公告)号：CN1652339A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510006702.1

申请日：2005-02-02

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 是成贵弘 ,  世良贤二 ,  加纳博司

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/28273 ,  H01L23/552 ,  H01L29/7881 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种非易失性半导体存储器及其制造方法，其中，至少在被形成在绝缘衬底上的存储晶体管的上方或下方，提供屏蔽层，该屏蔽层的面积大于该存储晶体管的半导体层的面积，并且该屏蔽层具有电磁波屏蔽作用或光屏蔽作用，或者具有电磁波屏蔽和光屏蔽两种作用，并且借助该屏蔽层，防止了电磁波或光进入半导体层。或者，使存储晶体管的栅和电荷积聚层的至少之一的区域面积大于半导体层，以防止电磁波或光通过该栅或电荷积聚层进入半导体层。

公开(公告)号：CN1484315A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03153462.7

申请日：2003-08-13

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永直记 ,  世良贤二 ,  高桥美朝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78624

Abstract: 提供了一种薄膜半导体器件，其包括在玻璃衬底上形成的具有不同驱动电压的多个薄膜晶体管TFT，其中在多个薄膜晶体管的各驱动电压处的栅极电场在大约1MV/cm至2MV/cm的范围内，并且p－型薄膜晶体管TFT的漏极浓度在大约3E+19/cm3至1E+20/cm3的范围内。