公开(公告)号：CN1487569A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03154327.8

申请日：2003-08-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永直记 ,  世良贤二

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包括：绝缘基板(1)、形成于该基板上的半导体层(4)和在形成于该半导体层中的源区和漏区(10，11)之上的形成的源电极和漏电极(15，16)，源电极和漏电极由铝或铝合金构成，该方法包括以下步骤：形成栅电极(9)；将杂质的离子注入到用于形成源区和漏区的半导体层中；在基板的整个表面上形成层间绝缘膜(13)；形成贯通层间绝缘膜的接触孔(14)，使得源区和漏区从接触孔露出；在接触孔中形成由铝或铝合金构成的导电膜，以形成源电极和漏电极(15，16)；以及在275～350℃条件下，在惰性气氛中对基板进行1.5～3小时的热退火。

公开(公告)号：CN1288489C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200310124837.9

申请日：2003-12-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永直记 ,  世良贤二

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1335

CPC classification number: H01L27/1218 ,  G02F1/136209 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管，它包括有源层，其中形成源区和泄漏区；第一光屏蔽膜，它屏蔽投射到有源层上的光；和第二光屏蔽膜，它在有源层与第一光屏蔽膜之间。至少第二光屏蔽膜对着有源层的表面部分的载流子浓度约为1017/cm3或更少。

公开(公告)号：CN1519631A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310124837.9

申请日：2003-12-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永直记 ,  世良贤二

IPC: G02F1/136 ,  G02B5/00 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1335

CPC classification number: H01L27/1218 ,  G02F1/136209 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管，它包括有源层，其中形成源区和泄漏区；第一光屏蔽膜，它屏蔽投射到有源层上的光；和第二光屏蔽膜，它在有源层与第一光屏蔽膜之间。至少第二光屏蔽膜对着有源层的表面部分的载流子浓度约为1017/cm3或更少。

公开(公告)号：CN1329966C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03154327.8

申请日：2003-08-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永直记 ,  世良贤二

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包括：绝缘基板(1)、形成于该基板上的半导体层(4)和在形成于该半导体层中的源区和漏区(10，11)之上的形成的源电极和漏电极(15，16)，源电极和漏电极由铝或铝合金构成，该方法包括以下步骤：形成栅电极(9)；将杂质的离子注入到用于形成源区和漏区的半导体层中；在基板的整个表面上形成层间绝缘膜(13)；形成贯通层间绝缘膜的接触孔(14)，使得源区和漏区从接触孔露出；在接触孔中形成由铝或铝合金构成的导电膜，以形成源电极和漏电极(15，16)；以及在275～350℃条件下，在惰性气氛中对基板进行1.5～3小时的热退火。

公开(公告)号：CN1272853C

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN03153462.7

申请日：2003-08-13

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永直记 ,  世良贤二 ,  高桥美朝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78624

Abstract: 提供了一种薄膜半导体器件，其包括在玻璃衬底上形成的具有不同驱动电压的多个薄膜晶体管TFT，其中在多个薄膜晶体管的各驱动电压处的栅极绝缘膜的电场在大约1MV/cm至2MV/cm的范围内，并且p-型薄膜晶体管TFT的漏极浓度在大约3E+19/cm3至1E+20/cm3的范围内。

公开(公告)号：CN1484315A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03153462.7

申请日：2003-08-13

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松永直记 ,  世良贤二 ,  高桥美朝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78624

Abstract: 提供了一种薄膜半导体器件，其包括在玻璃衬底上形成的具有不同驱动电压的多个薄膜晶体管TFT，其中在多个薄膜晶体管的各驱动电压处的栅极电场在大约1MV/cm至2MV/cm的范围内，并且p－型薄膜晶体管TFT的漏极浓度在大约3E+19/cm3至1E+20/cm3的范围内。