公开(公告)号：CN114127956A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080051447.5

申请日：2020-07-17

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅 ,  安东靖典 ,  瀬戸口佳孝

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。

公开(公告)号：CN113632592A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201980094225.9

申请日：2019-03-20

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典

IPC: H05H1/46

Abstract: 一种等离子体处理装置，使用等离子体对配置于处理室中的被处理物进行真空处理，所述等离子体处理装置包括：容器主体，在形成所述处理室的壁具有开口；金属板，以堵塞所述开口的方式设置，并形成有在厚度方向上贯通的狭缝；电介质板，自所述处理室的外部侧堵塞所述金属板的狭缝；以及天线，以与所述金属板相向的方式设置于所述处理室的外部，并与高频电源连接而产生高频磁场。

公开(公告)号：CN111656475A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201980009942.7

申请日：2019-01-25

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 李东伟 ,  安东靖典

IPC: H01G5/06 ,  H01G5/013 ,  H01G5/08 ,  H05H1/46

Abstract: 在使用液体物质来作为电介质的电容元件中，防止静电电容变化。电容元件包括：收纳容器，具有将作为电介质的液体导入的导入端口及将所述液体导出的导出端口，且由所述液体来装满；以及至少一对电极，设置于所述收纳容器内且彼此相向，并且在所述收纳容器的上壁形成有用以将此收纳容器内的气泡排出的开口部。

公开(公告)号：CN107208833B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201680007653.X

申请日：2016-01-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 李东伟 ,  安东靖典

IPC: F16L41/08 ,  F16L5/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明提供一种管路保持连接结构及高频天线装置，所述管路保持连接结构能够减小结构整体的宽度，且能够减少零件数及装配作业步骤。所述管路保持连接结构(30a)包括：外壳(32)，以气密地封闭真空容器(4)的开口部(6)的方式而固定；第1管路(50)，端部附近贯穿开口部(6)及外壳(32)；以及第2管路(60)，具有与所述端部的公螺纹部(56)螺合的母螺纹部(64)。管路(50)具有卡止部(52)。两管路(50)、(60)内供流体(2)流动。在管路(50)与外壳(32)及管路(60)的端部之间，分别设置有衬垫(72)、(73)。所述管路保持连接结构(30a)能够用于所述高频天线装置。

公开(公告)号：CN105491780B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510627231.X

申请日：2015-09-28

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典 ,  李东伟

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明提供一种等离子体产生用的天线及具备该天线的等离子体处理装置，天线是配置在真空容器内以用于产生电感耦合型等离子体的天线，即使在加长天线的情况下，也能够抑制其阻抗的增大。天线(20)配置在真空容器(2)内，用于使高频电流流经以使真空容器(2)内产生电感耦合型等离子体(16)，所述天线(20)具备：绝缘管(22)；以及中空的天线本体(24)，配置在绝缘管(22)中，且内部流经有冷却水，天线本体(24)采用使中空绝缘体(28)介隔在相邻的金属管(26)间而将多个金属管(26)串联连接的结构，各连接部具有相对于真空及所述冷却水的密封功能。本发明即使在加长天线的情况下，也能够抑制其阻抗的增大。

公开(公告)号：CN104427736B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410415737.X

申请日：2014-08-21

Applicant: 日新电机株式会社 ,  株式会社日本制钢所

Inventor： 安东靖典 ,  入泽一彦 ,  岸田茂明 ,  千叶理树

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以提升在天线的长度方向上的基板处理的均匀性。天线形成将高频电极收纳在电介质盒内的构造。高频电极形成：使2片电极导体以两者作为整体来呈现矩形板状的方式，相互隔开间隙且接近并平行地配置，且利用导体将两电极导体的长度方向的其中一端彼此连接而构成返回导体构造，且高频电流相互逆向地流向两电极导体。且在电极导体的间隙侧的边形成开口部，将该开口部以多个分散并配置在高频电极的长度方向。将该天线以高频电极的主面与基板的表面成为实质上相互垂直的方向而配置在真空容器内。

公开(公告)号：CN102833937B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210306854.3

申请日：2012-08-24

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3211 ,  C23C16/402 ,  C23C16/507

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，使天线的有效电感减小，而将天线长度方向的两端部间所产生的电位差抑制为小电位差，借此将等离子电位抑制为低电位，并提高天线长度方向上的等离子密度分布的均一性。构成等离子处理装置的平面形状实质上笔直的天线(30)呈往返导体构造，即，以使两块矩形导体板(31、32)位于同一平面上的方式，彼此隔开间隙(34)靠近地平行配置两块导体板(31、32)，利用导体(33)将两导体板长度方向(X)的一端相连接。高频电流(IR)彼此逆向流至两个导体板(31、32)。在两导体板(31、32)的间隙侧边上形成开口部(37)，使多个开口部(37)分散地配置在天线(30)的长度方向(X)上。

公开(公告)号：CN103875077A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280049140.7

申请日：2012-10-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  粟田英章 ,  冈田浩 ,  栗巢贤一 ,  安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/345 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN102647847A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210127627.4

申请日：2012-04-26

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 角田孝典 ,  松原克夫 ,  安东靖典 ,  辻藏行

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其是电感耦合型装置，可减小天线的有效电感系数，将等离子体电位抑制得较低，并且，可通过该天线来控制其长度方向上的等离子体密度分布。该等离子体处理装置中，由相互接近而配置在沿着竖立在基板(2)表面的垂线(3)的方向即上下方向(Z)上且使高频电流(IR)相互逆向地流动的返回导体(31、32)，构成平面形状平直的天线(30)。且，使返回导体(31、32)间的上下方向(Z)的间隔(D)在天线(30)的长度方向(X)上进行变化。

公开(公告)号：CN1210756C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02118812.2

申请日：2002-04-28

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 井内裕 ,  前野修一 ,  安东靖典 ,  松田恭博

IPC: H01J37/04 ,  G01R19/00

Abstract: 现有技术的法拉第装置中，仍有部分等离子体能够到达法拉第杯，因而影响了离子束电流的测量精度。本发明提供了一种法拉第装置，其中设置了一对磁体，用于在所述孔径附近产生一个具有横跨所述障板孔径的方向的磁场，于是射束等离子体和障板表面附近产生的等离子体不能到达正偏置电极。由此减少了包含于等离子体中的离子被抑制器电极的负电压吸引并被入射到法拉第杯上的机会，因而减少了束电流测量中的误差。