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公开(公告)号：CN109416967A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201680086940.4
申请日：2016-06-21
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 能够兼得电感的提高和电流密度的提高这两者。一种电感器(1A)，将基板(2)用作母材，并具备磁芯部(3)及线圈部(4)、形成于线圈部(4)的导体(40)间的绝缘部(5)、将磁芯部(3)及线圈部(4)与外部连接的端子部(6、7)。根据在线圈部(4)流动的电流生成的磁场的主要方向为基板(2)的平面方向。在线圈部(4)的至少一部分，将线圈部(4)的长方形状截面积(S1)的宽度(w)和厚度(t)双方设定为比绝缘部(5)的宽度(d)大。
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公开(公告)号：CN102859689B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180020142.9
申请日：2011-04-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/8213 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/823487 , H01L27/0727 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/2003 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明的目的为缩短邻接的两个绝缘栅极部的间隔，使半导体装置微细化。漂移区域配置于半导体基体之上，第一阱区域配置于漂移区域的上部，源极区域配置于第一阱区域的上部。各绝缘栅极部在位于漂移区域和源极区域之间的第一阱区域形成沟道（反转层）。第一主电极以构成单极二极管的方式与在一主表面露出的漂移区域接合，且与第一阱区域及源极区域连接。从漂移区域的一主表面的法线方向观察，多个绝缘栅极部具有相互平行的线状图案。邻接的绝缘栅极部之间沿绝缘栅极部延伸的方向排列有第一主电极与漂移区域的接合的接合部位及第一阱区域。沟道至少形成于漂移区域的一主表面的法线方向。
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公开(公告)号：CN101452958B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810179265.7
申请日：2008-12-04
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。将异质半导体角部区作为防止反向偏置电流集中在凸型角部的电流集中缓和区布置在异质半导体区中。由此，可以防止电流集中在凸型角部。结果，可以改善关断时的关断特性，并且还防止导通时在特定部分产生热点以抑制特定部分的劣化，由此确保了长期可靠性。另外，当半导体芯片用在L负载电路等中时，例如，在导通时或对关断状态的瞬态响应期间，在作为当出现过流或过压时的破坏耐受度的指标的例如短路阻抗负载量和雪崩阻抗量等的指标中，可以防止电流集中在特定部分，因此，可以改善这些破坏耐受度。
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公开(公告)号：CN101188201B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200710193701.1
申请日：2007-11-22
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/267 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底异质邻接；栅极绝缘层，其接触半导体衬底和异质半导体区的异质结；栅电极，其形成在栅极绝缘层上；电场缓和区，其与接触栅极绝缘层的异质结的异质结驱动端间隔开预定距离，并且接触半导体衬底和栅极绝缘层；源电极，其接触异质半导体区；以及漏电极，其接触半导体衬底。在异质半导体区形成掩模层，并且通过至少使用部分第一掩模层来形成电场缓和区和异质结驱动端。
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公开(公告)号：CN100481353C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610066559.X
申请日：2006-03-30
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7828
Abstract: 总的来说，本公开说明在反向偏压状态下表现出增大的电阻和减小的漏电流的半导体装置，还涉及用于制造该半导体装置的方法。例如，在一个实施例中，通过在形成于N-型外延层上的多晶硅层内引入P+或者P-型杂质来获得反向偏压状态下的增大电阻。另外，半导体装置维持正向偏压状态下的低电阻。为保持正向偏压电阻低，栅极附近的多晶硅层可以是N+型。此外，N+型源提取区形成在多晶硅层的表面，以将源极连接到漏极并维持正向偏压时的低电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101093797A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610082949.6
申请日：2006-06-21
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/18 , H01L21/329 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。该半导体装置包括由第一半导体材料制成的半导体基底；由第二半导体材料制成的异质半导体区，第二半导体材料具有与第一半导体材料不同的带隙，并且与半导体基底形成异质结。该异质结的形成是通过将半导体基底与由第二半导体材料制成的衬底接合起来而完成的。
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公开(公告)号：CN112005379A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201880092525.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 具备：第一导电型的漂移区域(21)，其具有接触部(211)以及沿着基板的主面延伸的延伸部(212)；第二导电型的列区域(22)，其沿着与延伸部(212)的延伸方向垂直的方向与延伸部(212)交替配置，一端部与接触部(211)连接；第二导电型的阱区域(23)，其分别与列区域(22)的另一端部以及延伸部(212)的前端连接；电场缓和电极(30)，其经由绝缘膜(60)配置在除了形成于延伸部(212)和列区域(22)之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方。
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公开(公告)号：CN109219869B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201680086244.3
申请日：2016-05-30
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 一种半导体装置，其具备：衬底；第一导电型的漂移区域，其形成于衬底的主面；第二导电型的阱区域，其形成于漂移区域的主面；第一导电型的源极区域，其形成于阱区域；栅极槽，其从漂移区域的主面沿垂直方向形成，与源极区域、阱区域及漂移区域相接；第一导电型的漏极区域，其形成于漂移区域的主面；栅电极，其经由栅极绝缘膜形成于栅极槽的表面；第二导电型的保护区域，其形成于栅极绝缘膜的与漏极区域相对的面；第二导电型的连接区域，其与阱区域和保护区域相接而形成。
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公开(公告)号：CN101233618B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200680028008.2
申请日：2006-08-02
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/0445 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体基体；与所述半导体基体相接触的异质半导体区域；隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极；连接至所述异质半导体区域的源电极；以及连接至所述半导体基体的漏电极。所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙。所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域。在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域，在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。
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